于治国
- 作品数：9 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学轻工技术与工程电气工程更多>>
- 阳极多孔氧化铝的斜孔形成过程及机理
- 2010年
- 研究了在草酸、磷酸不同电压条件下,阳极氧化铝(AAO)的孔结构特点。在较高电压下(60～120V),孔发生倾斜,并随电压的增大而加剧。通过建立与阻挡层/金属界面的应力有关的流模型对这一现象进行解释,并发现孔倾斜是AAO从无序到有序的一个自组织的现象。
- 于治国刘荣海周建军赵红华雪梅刘斌谢自力修向前宋雪云陈鹏韩平张荣郑有炓
- 关键词：斜孔应力流模型
- 交流发光二极管的发展与挑战
- 本文综述了目前市面上商业化的AC LED产品与技术，例举了面临的主要技术难题。目前产品主要有韩国首尔半导体公司的Acriche系列，以及台湾工业技术研究院的相关产品，产品比较单一，应用面有待拓宽。AC LED刚刚步入成长...
- 王文杰陈鹏于治国杨国锋谢自力陈敦军刘斌修向前韩平张荣郑有炓
- 深能级对白光LED的电致发光和I-V特性的影响被引量：1
- 2011年
- 为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比。实验发现白光LED的电致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的较宽的长波长发光峰,根据这个发光峰的强度与温度之间的依赖关系,通过数据拟合,得到了深能级的平均激活能,约为199 meV。由于有源区中存在大量深能级,也对白光LED的I-V特性产生一定影响,有源区中的深能级成为额外的载流子源,使白光LED的I-V特性表现出独特的性质。
- 孟庆芳陈鹏郭媛于治国杨国锋张荣郑有炓
- 关键词：氮化镓深能级发光二极管(LED)电致发光电流-电压特性
- 表面纳米结构制备及LED表面等离激元耦合增强发光机制研究
- 近几年，InGaN基LED已经得到了迅猛的发展，被广泛用于显示、照明、医疗、科研等等领域。然而，与远景目标相比，InGaN基LED的发光效率仍然需要很大的提高。在众多方法中，利用金属纳米颗粒产生的局域表面等离激元提高LE...
- 于治国
- 关键词：发光二极管表面等离激元
- 利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱被引量：1
- 2011年
- 报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构。通过电子扫描显微镜(SEM)照片看出,以GaN表面所形成的Ni纳米岛作为模板图形,通过控制ICP刻蚀时间,在一定的刻蚀时间内(2 min)获得有序的并拥有半极性晶面的GaN纳米柱阵列。这种新颖的半极性GaN纳米柱作为氮化物量子阱或者超晶格结构的生长模板,可以有效减小甚至消除极化效应,提高光电子器件的效率和性能。
- 杨国锋陈鹏于治国刘斌谢自力修向前韩平赵红华雪梅张荣郑有炓
- 关键词：氮化镓
- GaN电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析被引量：1
- 2012年
- 通过分别改变电感耦合等离子体(ICP)刻蚀过程中的ICP功率和DC偏压,对ICP刻蚀GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究。刻蚀后表面的损伤和形貌通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子能谱(EDS)、荧光光谱(PL)等技术进行表征和分析。实验结果表明,刻蚀速率随ICP功率和DC偏压的增加而增加;刻蚀损伤与DC偏压成正比,而与ICP功率的关系较为复杂。实验中观测到刻蚀后GaN样品的荧光光谱带边发射峰和黄带发射峰的强度均有明显下降,这意味着刻蚀产生的缺陷中存在非辐射复合中心,并且该非辐射复合中心的密度与DC偏压成正比。为了兼顾高刻蚀速率和低刻蚀损伤,建议使用高ICP功率(>450 W)和低DC偏压(<300 V)进行ICP刻蚀。
- 滕龙于治国杨濛张荣谢自力刘斌陈鹏韩平郑有炓施毅
- 关键词：功率
- 宽带隙半导体材料光电性能的测试
- 2011年
- 主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升。带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。
- 郭媛陈鹏孟庆芳于治国杨国锋张荣郑有炓
- 关键词：深能级束缚激子多量子阱蓝移
- 一种干法腐蚀去除电池极片毛刺的方法
- 利用干法腐蚀去除电池极片毛刺的方法，利用电感线圈将反应气体离子化，使得离子化后的反应粒子在DC偏压下轰击电池极片毛刺表面，使电池极片工件边缘的毛刺在物理轰击效果下被消除，从而达到消除因工件加工带来的边缘毛刺。所使用的设备...
- 张荣智婷陶涛谢自力于治国刘斌陈鹏修向前李毅韩平施毅郑有炓
- 文献传递
- 交流发光二极管的发展与挑战(摘要)
- 能源危机，温室效应以及生态环境的日益恶化时刻提醒人们，改变人们的能源获取方式以及提高能源利用率，保护环境和可持续发展已成为当前世人的共识。目前，在世界电力的使用结构中，大约21％的电力用于照明，其中最主要的部分用于人...
- 王文杰张荣郑有炓陈鹏于治国杨国锋谢自力陈敦军刘斌修向前韩平
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