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郭荣辉

作品数：13 被引量：1H指数：1
供职机构：南京航空航天大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 12篇光器件
  • 10篇单边带
  • 10篇单边带调制
  • 10篇调制
  • 10篇边带
  • 8篇测量方法
  • 7篇测光
  • 2篇调谐
  • 2篇直流偏置
  • 2篇色散
  • 2篇偏振
  • 2篇偏置
  • 2篇偏转
  • 2篇微波源
  • 2篇线宽
  • 2篇宽带
  • 2篇宽带传输
  • 2篇光电
  • 2篇光电检测
  • 2篇光电探测

机构

  • 13篇南京航空航天...
  • 1篇东南大学
  • 1篇三江学院

作者

  • 13篇郭荣辉
  • 12篇朱丹
  • 12篇潘时龙
  • 12篇薛敏
  • 10篇唐震宙
  • 10篇赵永久
  • 6篇顾晓文
  • 2篇何超

传媒

  • 1篇电声技术

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2012
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于光单边带调制的光器件测量方法、测量装置
本发明公开了一种基于光单边带调制的光器件测量方法。本发明方法在现有基于光单边带调制的光器件测量技术基础上进行了改进，在进行光电转换时，将通过待测光器件的光单边带扫频信号等分为两路，滤除其中一路的载波并调节另一路的光路长度...
潘时龙薛敏唐震宙顾晓文赵永久朱丹郭荣辉
文献传递
一种基于光单边带调制的光器件测量方法、测量装置
本发明公开了一种基于光单边带调制的光器件测量方法。本发明用两个并联的可调谐窄线宽激光器替换原测量装置中单个输出波长固定的窄线宽激光器，并利用控制两激光器交替工作的方法将光单边带测量技术的测量范围从原来的0.4nm拓展到4...
潘时龙薛敏赵永久顾晓文唐震宙郭荣辉朱丹
文献传递
一种光单边带调制方法及装置
本发明公开了一种光单边带调制方法。本发明将微波源输出的微波信号等分为两路并调整这两路微波信号的相位差为120°后，通过双驱动光电调制器将这两路微波信号调制到光载波上，得到调制信号；通过调整所述双驱动光电调制器的直流偏置抑...
潘时龙薛敏赵永久朱丹郭荣辉
文献传递
一种基于偏振偏转干涉法的光器件测量方法及装置
本发明公开了一种基于偏振偏转干涉法的光器件测量方法，利用干涉结构使通过待测光器件的输入光信号包含两个正交偏振态，通过对待测光器件沿着两个不同偏振方向的响应进行处理，得到待测光器件参数；所述输入光信号是利用光频梳调制器将微...
潘时龙唐震宙薛敏郭荣辉朱丹赵永久
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一种光器件测量方法及测量装置
本发明公开了一种光器件测量方法。本发明方法包括以下步骤：步骤A、利用光频梳调制器将具有固定频率及相位的微波信号调制到由光源输出的光载波上，生成光频梳；利用光子滤波器依次滤出所述光频梳的多根连续梳齿；步骤B、对于所滤出的每...
潘时龙薛敏唐震宙赵永久朱丹郭荣辉何超
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光单边带调制方法、调制器及光器件测量装置、测量方法
本发明公开了一种光单边带调制方法。本发明方法将光载波分为两路，对于其中一路，先进行抑制偶阶边带的光强度调制，然后从得到的光强度调制信号中滤出一个一阶边带信号，最后将滤出的一阶边带信号与另一路光载波合并，得到最终的光单边带...
潘时龙唐震宙薛敏朱丹郭荣辉顾晓文
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一种光器件测量方法及测量装置
本发明公开了一种光器件测量方法。本发明方法包括以下步骤：步骤A、利用光频梳调制器将具有固定频率及相位的微波信号调制到由光源输出的光载波上，生成光频梳；利用光子滤波器依次滤出所述光频梳的多根连续梳齿；步骤B、对于所滤出的每...
潘时龙薛敏唐震宙赵永久朱丹郭荣辉何超
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一种基于光单边带调制的光器件测量方法、测量装置
本发明公开了一种基于光单边带调制的光器件测量方法。本发明用两个并联的可调谐窄线宽激光器替换原测量装置中单个输出波长固定的窄线宽激光器，并利用控制两激光器交替工作的方法将光单边带测量技术的测量范围从原来的0.4nm拓展到4...
潘时龙薛敏赵永久顾晓文唐震宙郭荣辉朱丹
一种光单边带调制方法及装置
本发明公开了一种光单边带调制方法。本发明将微波源输出的微波信号等分为两路并调整这两路微波信号的相位差为120°后，通过双驱动光电调制器将这两路微波信号调制到光载波上，得到调制信号；通过调整所述双驱动光电调制器的直流偏置抑...
潘时龙薛敏赵永久朱丹郭荣辉
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SGT MOS器件电容特性研究与分析被引量：1
2020年
功率器件的频率响应特性与其电容特性密切相关。相比于主要由沟槽底部宽度决定的普通沟槽型MOS器件栅漏电容,SGT MOS器件由于栅极在沟槽上半部分通过侧边氧化层、漂移区连接漏级,需要考虑4部分电容的并联。因此,建立SGT MOS器件的电容模型并加以仿真分析,验证了SGT MOS器件在电容特性上具有的绝对优势。
任丽丽李建澄郭荣辉
关键词：电容特性
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共2页<12>
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