蔡雪原
- 作品数：8 被引量：8H指数：1
- 供职机构：兰州大学更多>>
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- 相关领域：电子电信化学工程自动化与计算机技术更多>>
- 铁电栅材料GaN基场效应晶体管的特性
- 2008年
- 针对铁电薄膜/GaN基FET结构,利用数值方法研究了铁电栅材料自发极化强度PS变化对GaN基表面电子浓度nS和场效应晶体管转移特性Id-Vg的影响,给出了典型PS和εr值下跨导gm与Vg的关系。结果表明:零栅压下,nS在随PS(0～±59μC/cm2)变化时有4～6个数量级的提高或降低;当Vg=0.65V、PS为-26～26μC/cm2时,nS提高约4个数量级;负栅压下,nS因受引起电子耗尽的PS的影响而降低6～7个数量级,而PS未对Id-Vg产生明显影响,跨导gm在1V左右的栅偏压下达到最大值。这些结果对利用铁电极化和退极化可能改善新型器件性能的研究具有重要意义。
- 蔡雪原冉金枝魏莹杨建红
- 关键词：自发极化铁电材料载流子浓度跨导
- 硅基锗PIN红外探测器的数值模拟研究
- 2009年
- 本文基于漂移扩散模型,对硅基锗PIN红外探测器的电流特性随应变、Ge吸收层厚度、吸收层掺杂浓度的变化进行了数值模拟,并给出了一种器件优化设计方案。研究结果表明,当Ge应变从0增加到0.3%时,器件的暗电流增大了约50%;当Ge吸收层厚度从1μm增加到4μm时,器件的暗电流降低了近80%,量子效率增大了近1倍;当吸收层的掺杂浓度由1×10^(14)cm^(-3)增大2个量级时,器件的光电流降低了近60%。综合考虑吸收层厚度对器件量子效率和暗电流的影响以及吸收层掺杂浓度对光电流的影响,对硅基锗PIN红外探测器的外延锗吸收层进行了设计:外延生长厚度为4μm,掺杂浓度为1×10^(14)cm^(-3),以期能为提高器件性能和制备实际器件提供良好的依据。
- 徐敏杰魏莹蔡雪原杨建红
- 关键词：红外探测器PIN硅锗暗电流
- 纳米碳化硅颗粒的团聚及分散的研究进展被引量：8
- 2013年
- 介绍了微粒团聚机理、团聚类型及其区别;在介绍软团聚处理方法的基础上,综述了pH值、悬浮液黏度及分散剂类型对纳米碳化硅分散效果的影响;阐述了自然碳化硅的带电状态、化学成分及其表面改性情况;在列举了添加分散剂前后纳米碳化硅等电点(IEP)的基础上,重点分析了一种新的分散剂—甲苯酰-聚乙烯亚胺的分子结构及工作原理,同时从吸附量、悬浮液黏度及Zeta电位三个方面与传统分散剂作了对比;最后,根据人们对团聚机理的认识及纳米碳化硅分散的研究现状,在未来的研究中不仅要侧重于纳米碳化硅性质、颗粒微观结构的研究,而且要注重纳米碳化硅的工业生产和制备以及分散剂的优化。
- 刘亚虎蔡雪原朱延超张琳娇杨建红
- 关键词：纳米碳化硅团聚分散剂PH值黏度ZETA电位
- 有机非挥发存储器件:浮栅结构有机薄膜晶体管
- 2011年
- 提出了一种浮栅结构的新型有机薄膜晶体管(FG-OTFT)器件,并阐述了这种器件的工作机理。该器件通过控制浮置栅上的电荷来控制FG-OTFT器件的阈值电压的大小,而器件不同的阈值电压便可用来存储"0"和"1"两个状态,故这种器件可以被用作有机非挥发存储器。我们通过计算机数值模拟的方法对这种器件进行了研究。研究表明该存储器件表现出4V的记忆窗口和很好的存储特性。这种新型结构的有机存储器件可以广泛的用于信息存领域。
- 吴承龙杨建红贾水英蔡雪原盛晓燕
- 关键词：存储器件数值模拟
- 铁电/氮化镓异质结及其场效应晶体管
- 氮化镓半导体具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电场及高温热稳定等优良特性,特别适合工作在军事宇航等恶劣环境。将具有铁电、压电、电光、声光及非线性光电特性的铁电薄膜集成在氮化镓器件中,出现了集合两者优势、具有多种用途的...
- 蔡雪原
- 关键词：平带电压电滞回线
- 非平衡格林函数法在纳米MOS器件分析中的应用
- ＜正＞本论文采用非平衡格林函数（NEGF）法分析和处理纳米半导体器件中载流子的散射和输运问题, 建立了适用于纳米量级 MOS 器件的模型方程组,对诸如设置边界条件、提高收敛速度等特殊问题提出了解决方法。以此为基础,给出并...
- 杨建红蔡雪原张致琛
- 文献传递
- 基于多价离子束流的高能量注入工艺研究
- 2010年
- 针对专用高能量注入设备价格昂贵、维护成本高等问题,研究了一种基于二价、三价离子束流提升中低能设备能量上限的离子注入工艺。利用离化质量分析谱线分析了多价离子的筛选,介绍了元素沾污和能量沾污的工艺风险及其防治方法,设计了多价离子和单价离子注入的对比实验。结果表明,在注入到硅片的多价离子与单价离子总能量相等的条件下,二者注入结深一致,测试片的方块电阻差异仅为2.5%,验证了此工艺的可行性,以期达到充分发挥设备潜力、优化产品工艺的目的。
- 徐敏杰丁伯继崔建王旭蔡雪原杨建红
- 关键词：离子注入高能量沾污
- 一种格栅状上电极的CMOS工艺聚酰亚胺电容型湿度传感器(英文)
- 2011年
- 报道了采用标准CMOS工艺制作的格栅型上电极的电容型湿度传感器,采用高分子材料聚酰亚胺作为感湿介质,铝作为金属电极。对该湿度传感器的器件结构、制作工艺和传感器特性,如灵敏度、湿滞以及响应时间等进行了讨论。测试结果表明,在12%-92%的湿度范围内,电容-相对湿度曲线具有良好的线性度,灵敏度为0.9 pF/RH,响应时间为5.5 s。
- 贾水英杨建红谢宏伟蔡雪原吴承龙
- 关键词：电容型湿度传感器聚酰亚胺CMOS工艺
