李欢
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：天津工业大学信息与通信工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 近红外锗硅光电探测器的研究进展被引量：2
- 2006年
- 介绍了单片集成硅基光接收器相对于混合集成光接收器在光纤通信领域的应用优势，介绍了与硅微电子工艺兼容的、工作在波长λ=0．80～1．60μm近红外波段的锗硅光电探测器在单片集成硅基光接收器中的应用价值．描述了SiGe应变层特性．详细评述了近红外锗硅光电探测器的最新研究进展实例并对其未来作出展望．
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- 关键词：SIGE应变层近红外光电探测器
- 长波长锗硅光电探测器的材料生长研究
- 2007年
- 介绍了应变SiGe层的特性,包括SiGe应变层临界厚度与Ge组分的关系,能带变窄,折射率增加以及应变SiGe层的亚稳态特性。然后从材料生长方面入手,提出了4种改善长波长锗硅光电探测器性能的方案,包括采用生长缓冲层来减小位错的方法、生长高组分表面起伏多量子阱的方法和生长Ge岛超晶格的方法,随之给出了相关的实验结果,并对这4种方案进行了分析。最后对上述内容进行小结,并对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。
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- 关键词：锗硅探测器应变层
- 高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟被引量：1
- 2008年
- 介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加,以及应变SiGe层的亚稳态特性。设计了应变锗硅缓冲层上的高Ge组分PIN光电探测器的外延材料和结构,采用Silvaco软件分别对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流进行了模拟,结果显示,探测器有源区面积增大,其响应电流也增大,且暗电流比其响应电流小6～8个数量级;探测器的响应时间约为3.8×10-9s;探测器在850nm左右具有较好的光响应;这些结果都比较理想。采用L-edit软件设计了该光电探测器的结构,最后对研究结果做出总结。
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- 关键词：光电探测器锗硅缓冲层
- 硅基PIN光电探测器的设计与模拟被引量：4
- 2007年
- 介绍了单片集成硅光接收器的研究背景,阐述了硅光电探测器的工作机理。设计了一种应用于单片集成硅光接收器的PIN结构光电探测器,并用Silvaco软件对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流分别进行了模拟,对模拟结果进行了分析。设计了该光电探测器的版图,给出了其主要工艺流程,搭建了其光响应谱测试电路。最后对研究结果进行了总结。
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- 关键词：单片集成光接收器光电探测器
