宋迎新
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
- 供职机构：济南市半导体元件实验所更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 基于埋层结构的高压功率MOS器件终端设计
- 2022年
- 为改善传统结终端延伸(JTE)结构的终端注入剂量偏低、终端对表面固定电荷敏感、终端尺寸优化不够等缺陷,设计了一种基于场板(FP)与埋层(BL)的新型终端结构,用于降低表面固定电荷对击穿电压的影响,并且通过提高JTE区域的掺杂剂量,同时优化表面电场,实现了终端电场更加均衡,提高了击穿电压及减少结终端尺寸。利用仿真软件对提出的新型终端结构进行仿真,对新结构的电场分布、击穿电流电压曲线、击穿电压随终端JTE区注入剂量变化和击穿电压随表面固定电荷Qf变化四个方面进行分析,结果表明:相比传统JTE终端,本文设计的新型终端尺寸缩短16%,耐压提升约20%,同时可靠性也有所提升。
- 宋迎新马捷侯杰孙德福刘进松李泽宏任敏
- 关键词：埋层击穿电压
- δ-掺杂受主的扩散对GaAs/AlAs量子阱子带的影响（英文）
- 2019年
- 在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出。高温下扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱价带的子带中引入空穴。带负电荷的扩散受主离子和价带子带中的空穴,它们都是带电粒子在GaAs阱层中按库伦定律激发电场。相比较而言,对于无掺杂同结构量子阱,在空穴的薛定谔中增加了一个额外的微扰势,从而使无掺杂的量子阱价带的子带有所改变。在有效质量和包络函数近似下,通过循环迭代方法,数值求解了既满足薛定谔方程又满足泊松方程的空穴波函数,找出了自洽、收敛的空穴子带的能量本征值。计算发现考虑到这种额外微扰势,重空穴基态子带hh的能量有一个电子伏特变化,并且随着掺杂受主剂量的增加,重空穴基态子带hh向着价带顶红移,计算结果与实验测量符合得很好。
- 郑卫民黄海北李素梅丛伟艳王爱芳李斌宋迎新
- δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文）被引量：1
- 2019年
- 三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工工艺制备了相应的两端器件。在4~200 K的温度范围内,我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线,清楚地观察到了重、轻空穴通过δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象。发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小,轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动,这个结果和通过AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的。然而,随着测量温度的进一步升高,两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动,并且在150 K温度下,其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式。
- 郑卫民黄海北李素梅丛伟艳王爱芳李斌宋迎新
- 关键词：共振隧穿
- 掺杂在GaAs材料中Be受主能级之间的跃迁
- 2019年
- 通过远红外吸收谱、光致发光光谱和拉曼散射光谱,对均匀掺杂在GaAs材料中Be受主能级之间的跃迁进行了研究.实验中使用的GaAs:Be样品是通过分子束外延设备,生长在半绝缘(100) GaAs衬底之上的外延单层.在4.2 K温度下,对样品分别进行了远红外吸收光谱、光致发光光谱、Raman光谱的实验测量.在远红外吸收光谱中,清楚地观察到了从Be受主1S3/2Γ8基态到它的三个激发态2P3/2Γ8, 2P5/2Γ8和2P5/2Γ7之间的奇宇称跃迁吸收峰.跃迁能量与先前文献中报道的符合得很好.从光致发光光谱中,观察到了Be受主从1S3/2Γ8基态到2S3/2Γ8激发态的两空穴跃迁的发光峰,从而间接地找到了两能级之间的跃迁能量.在Raman光谱中,清楚地分辨出来了Be受主从1S3/2Γ8基态到2S3/2Γ8激发态偶宇称跃迁的拉曼散射峰,直接得到了两能级间的跃迁能量.对比发现,分别直接和间接得到的1S3/2Γ8基态到2S3/2Γ8激发态跃迁能量结果是一致的.
- 郑卫民黄海北李素梅丛伟艳王爱芳李斌宋迎新
- 关键词：RAMAN光谱光致发光光谱
- Si基Al/ZnO/Ag肖特基二极管的研制及其光电特性
- 2013年
- ZnO薄膜是以Si作为基底,利用射频磁控溅射和高温度退火技术制备而成的。分析ZnO薄膜结构特征时,使用X射线衍射显示ZnO薄膜具有高度的C轴择优取向;用电子显微镜扫描样品,表面光洁、平整。在制备ZnO薄膜工艺条件下,在石英玻璃基底上制备Al/ZnO/Ag肖特基二极管紫外探测器。对该器件进行电流测试显示:在室温下,Ag与ZnO已经形成肖特基接触,Al/ZnO/Ag肖特基二极管探测器具有明显的光电响应特性。
- 秦海英王婷宋迎新宋传利
- 关键词：ALZNO光电特性
- 肖特基二极管芯片、器件及芯片复合势垒的制备方法
- 本发明公开了一种肖特基二极管芯片、器件及芯片复合势垒的制备方法，芯片包括N型硅半导体衬底，半导体衬底的正面设有NiPtSi势垒层，所述势垒层与半导体衬底直接接触，形成NiPtSi‑Si势垒。本发明方法简易、成本低、实用有...
- 陈守迎张聪董军单维刚杨晓亮沈中堂宋迎新
- 文献传递
- 肖特基二极管芯片、器件及芯片复合势垒的制备方法
- 本发明公开了一种肖特基二极管芯片、器件及芯片复合势垒的制备方法，芯片包括N型硅半导体衬底，半导体衬底的正面设有NiPtSi势垒层，所述势垒层与半导体衬底直接接触，形成NiPtSi-Si势垒。本发明方法简易、成本低、实用有...
- 陈守迎董军单维刚杨晓亮沈中堂宋迎新
