刘威
- 作品数：12 被引量：15H指数：3
- 供职机构：哈尔滨理工大学机械动力工程学院更多>>
- 发文基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目国家自然科学基金黑龙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 激光波长对镁钌铁铌酸锂的全息存储性能影响被引量：2
- 2011年
- 在生长Fe∶LiNbO3熔体中掺进摩尔分数x(Ru2O3)=0.1%和x(MgO)=1%、3%、7%,用提拉法生长镁钌铁铌酸锂(Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3)晶体。通过二波耦合光路,分别以红光(632.8nm)、绿光(532nm)和蓝光(476nm)为光源测量晶体的全息存储性能。实验结果表明,在476nm下,Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3晶体全息存储性能随着Mg离子掺杂浓度的增加而呈现逐渐增强的趋势,与其在红光和绿光下不同。研究了Mg离子掺杂浓度的增加使Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3晶体的蓝光全息存储性能增强的机理。
- 王义杰莫阳刘威沈涛代丽范叶霞刘成龙徐玉恒
- 关键词：全息存储性能
- 近化学计量比Fe:Mg:LiNbO_3晶体生长与其存储性能被引量：1
- 2009年
- 在LiNbO3(LN)中分别掺入0.5%(摩尔分数,下同),1%和2% MgO,0.03%(质量分数)Fe2O3,配料中n(Li)/n(Nb)=1.38,采用顶部籽晶溶液生长法生长近化学计量比Fe:Mg:LiNbO3(near-stoichiometric Fe:Mg:LiNbO3,Fe:Mg:SLN)晶体。测试了晶体的红外光谱、抗光损伤能力和存储性能。结果表明:Fe:2%Mg:LN晶体的OH-吸收峰移到3535cm-1,抗光损伤能力比Fe:LN提高3个数量级。Fe:0.5%Mg:LN晶体的灵敏度、动态范围和抗光损伤能力比Fe:LN晶体分别高2.5倍,2倍和1个数量级。以Fe:2%Mg:LN晶体和Fe:LN晶体分别作为存储介质,进行大容量存储实验。在一个公共体积内实现1200幅体全息图的存储。Fe:2%Mg:LN晶体的存储质量优于Fe:LN晶体。
- 王义杰刘威范叶霞于峰孙亮关承祥徐玉恒
- 关键词：红外光谱
- TSSG法生长Zr:Fe:LiNbO_3晶体及其分凝系数被引量：4
- 2016年
- 采用顶部耔晶法生长了不同Li/Nb(Li/Nb=0.94,1.05,1.20and1.38)的Zr:Fe:LiNbO_3单晶.测试了Zr:Fe:LiNbO_3晶体的分凝系数.实验结果表明,Li/Nb=1.38的Zr:Fe:LiNbO_3晶体有的Zr离子分凝系数减少并趋于1,随着熔体中Li/Nb比增加,晶体Li/Nb比增加,结合LiNbO_3晶体的占位机制和锂空位缺陷解释了这一实验结果.
- 阎哲华代丽孙晋姜发同刘威代平李云鹏
- 关键词：分凝系数
- Hf:Fe:LN晶体生长与光折变性能的研究被引量：1
- 2009年
- 原料采用在Fe(0.03%,质量分数)∶LN中掺进摩尔分数为(1%、2%、4%、5%)的HfO2,再次采用提拉法生长Hf∶Fe∶LN晶体。抗光损伤阈值测试表明,Hf(5%,摩尔分数)∶Fe∶LN晶体抗光损伤能力比Hf(1%,摩尔分数)∶Fe∶LN晶体提高2个数量级以上。以二波耦合光路测试晶体的衍射效率,写入时间和擦除时间,并计算出光折变灵敏度和动态范围。结果表明,Hf∶Fe∶LN晶体全息存储性能优于Fe∶LN晶体。
- 代丽吴士平尹红郭景杰刘威苏彦庆徐玉恒
- 关键词：红外光谱衍射效率动态范围
- [Li]／[Nb]比变化对Ce：Mn：LiNbO3晶体光折变性能的影响：
- 2007年
- 采用提拉法生长4种不同[Li]／[Nb]比（0．94，1．05，1．20，1．38）的Ce（0．1％（质量分数））：Mn（0．05％（质量分数））：LiNb03晶体和掺镁量为5％（摩尔分数）的Mg：Ce（0．1％）：Mn（0．015％）：LiNbO3晶体。测试晶体红外光谱，[Li]／[Nb]为1．2和1．38的Ce：Mn：LiNb03晶体OH吸收峰移到3466cm^-1，这是化学计量比的标志吸收峰。Mg（5％（摩尔分数））Ce：Mn：LiNbO3晶体OH吸收峰移到3535cm^-1，这是Mg^2＋达到阈值浓度的标志吸收峰,以锂空位模型解释OH-吸收峰移动机理。采用光斑畸变法测试晶体抗光损伤能力，采用二波耦合光路测试晶体的指数增益系数、响应时间、计算载流子浓度。随着[Li]／[Nb]比增加，这些数据指标增加。[Li]／[Nb]为1．38，Ce：Mn：LiNbO3晶体是化学计量比，它的指数增益系数比Ce：Mn：LiNbO3晶体提高1倍，响应速度和抗光损伤能力提高1个数量级以上，是性能最为优良的光折变晶体材料之一。
- 王义杰于海涛刘威
- 关键词：CEMNLINBO3晶体光折变性能
- Mg系列铌酸锂晶体光折变性能研究
- 本论文中采用提拉法生长了一系列Mg:Fe:LiNbO/_3晶体,研究了晶体的生长工艺、结构及光学性能。探索出生长同成分铌酸锂晶体合适的工艺参数/(温度梯度、晶体生长速度、晶体旋转速度/),保持了平坦的固液界面。
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- 刘威
- 关键词：晶体生长体全息存储
- 文献传递
- 镁掺量对镁钕铌酸锂晶体的抗光损伤和激光性能的影响被引量：3
- 2014年
- 采用提拉法生长了掺0.4%(摩尔分数,下同)Nd2O3和分别掺1.0%、3.0%、5.0%、7.0%MgO的4种Nd∶Mg∶LiNbO3(Nd∶Mg∶LN)晶体。通过透射光束变形法测试晶体抗光损伤能力。结果表明:0.4%Nd∶7.0%Mg∶LN和0.4%Nd∶5.0%Mg∶LN两种晶体抗光损伤能力皆达到阈值浓度,抗光损伤能力比0.4%Nd∶3.0%Mg∶LN和0.4%Nd∶1.0%Mg∶LN晶体提高2个数量级。利用980nm激光二极管测试晶体的荧光光谱。在500～900nm的光谱范围内,出现2个光发射带,发光强度最强的近红外发射波长为840nm,对应4 I9/2→2 H9/2,4 F5/2能级跃迁。840nm处荧光来源于双光子过程,该上转换荧光在生物医学领域有着应用前景。
- 张欣代丽冯国楠焦珊珊刘威姜发同徐玉恒
- 关键词：激光性能上转换发光
- In:Er:LiNbO_3晶体生长及抗光损伤性能被引量：1
- 2009年
- 掺入摩尔分数为1%In2O3和0.5%Er2O3,从n(Li)/n(Nb)比为0.94,1.05,1.20,1.38的熔体中用提拉法生长In:Er:LiNbO3(In:Er:LN)晶体。测试了晶体的紫外–可见吸收光谱、荧光光谱和抗光损伤阈值。结果表明:随着n(Li)/n(Nb)增加,晶体吸收边发生紫移,晶体的荧光发光强度和晶体抗光损伤阈值增强。n(Li)/n(Nb)为1.38的近化学计量比晶体的荧光发光强度和抗光损伤阈值最高。对不同n(Li)/n(Nb)的晶体的吸收边移动和抗光损伤阈值和荧光发光强度增强的机理进行讨论。
- 王义杰于峰范叶霞余萍刘威徐玉恒关承祥
- 关键词：吸收光谱光损伤荧光光谱
- 构建应用物理学专业创新人才培养模式的探索被引量：1
- 2010年
- 本文根据普通高等学校人才培养的目标要求和质量标准,构建了应用物理学专业创新人才培养模式,并具体描述了在课程体系、实践教学环节等方面所进行的探索与改革。
- 王义杰代丽卢鑫沈涛刘威
- 体全息存储技术的研究被引量：1
- 2008年
- 体全息存储因其存储容量大,传输速率快,寻址时间短等诸多优点成为下一代存储器发展的主要方向之一.本文主要从控制系统和编码技术等方面对体全息存储技术进行了研究,所用的存储材料为单掺铁系列铌酸锂晶体.采用了一套实用的体全息存储控制系统.分析并比较了几种不同的编码方案,得出了适合全息存储系统的最佳编码方案.搭建了一套完整的存储光路.详细研究了模拟图像的存储和编码格图的存储,并对存储光路中的噪声进行了分析.
- 刘威姬广举陈鹏王义杰
- 关键词：体全息存储纠错编码
