邵晨峰
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划高等学校学科创新引智计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
- CFD模拟RPCVD的正交法优化设计与分析被引量：3
- 2013年
- 采用正交法对减压化学气相淀积生长SiGe材料的多因素、多水平计算流体动力学模拟进行优化设计.采用FLUENT软件,对正交优化设计的试验进行了密度、速度及压强分布的模拟.对生长表面9点位置处的模拟结果进行了极差和方差分析,得到了最终的模拟优化工艺参数.正交法设计的模拟优化参数与实际工艺实验参数相一致,低温生长应变SiGe的优化模拟参数为流量1.67×10-4 m3/s,基座温度823K,反应室压强2 666.44Pa;高温生长弛豫SiGe的优化模拟参数为流量1.67×10-4 m3/s,基座温度1 123K,反应室压强7 999.32Pa.
- 戴显英郭静静邵晨峰郑若川郝跃
- 关键词：正交法计算流体动力学锗硅
- 基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法
- 本发明公开了一种基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGO...
- 戴显英李志邵晨峰王船宝郝跃张鹤鸣王晓晨
- 基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法
- 本发明公开了一种基于机械弯曲台的SiN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGO...
- 戴显英李志邵晨峰王船宝郝跃张鹤鸣王晓晨
- 文献传递
- 弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真被引量：1
- 2012年
- 基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了模拟仿真及分析.模拟结果表明,流量为50L/min、压强为2 666.44Pa、基座转速为35r/min时,基座上方流场的均匀性最佳.采用仿真优化的工艺条件进行了弛豫SiGe的RPCVD实验,其SiGe薄膜厚度分布实验结果与弛豫SiGe前驱体SiH2Cl2的Fluent浓度分布模拟结果一致,验证了该模型的正确性。
- 戴显英郑若川郭静静张鹤鸣郝跃邵晨峰吉瑶杨程
- 关键词：密度分布
- SiGe RPCVD流体动力学模拟
- 基于商用RPCVD设备结构参数，建立了RPCVD反应室结构模型;基于反应室模型，计算了雷诺数Re，确定了RPCVD的流体模型;采用FLUENT软件，模拟了RPCVD反应室的温度场、密度场、速度场，并确定了工艺优化参数。
- 戴显英竹毅初邵晨峰吉瑶郭静静宁静郝跃张鹤鸣王晓晨李志王琳查冬
- 关键词：计算流体动力学模拟仿真
- 晶圆级单轴应变SOI制备及有限元模拟研究
- 晶圆级单轴应变SOI（绝缘体上硅）技术，不仅具有速度高、功耗低、集成密度高、抗辐照等SOI技术优点，还具有载流子迁移率提升高，且在高垂直电场下不退化的单轴应变硅技术优点，是一种很具创新和竞争力的新技术。
本论文基...
- 邵晨峰
- 关键词：绝缘层上硅有限元分析
- 文献传递
- 绝缘层上单轴应变硅的应力计算与分析
- 2018年
- 为了研究晶圆级绝缘体上单轴应变硅的应力分布与应力变化趋势,首先利用绝缘体上硅晶圆在机械弯曲状态下退火的工艺,成功制作了绝缘层上单轴应变硅晶圆,其优点是工艺简单、成本低、应变量高.应用ANSYS仿真软件,重点对不同弯曲半径、不同晶向的机械致绝缘层上单轴应变硅晶圆的应力情况进行了模拟计算.模拟结果表明,应力随弯曲半径的减小而显著增加,且沿弯曲方向的应力最大,适于作为应变互补金属氧化半导体器件的沟道方向,但应力分布的均匀性会随弯曲半径的减小而略有下降.最后利用光纤光栅法对制备的绝缘层上单轴应变硅晶圆的应力分布进行了测量,其结果与ANSYS模拟结果吻合,证明了ANSYS模拟分析的准确性.
- 苗东铭戴显英吴淑静赵天龙邵晨峰邵晨峰
- 关键词：绝缘体上硅应力分布有限元分析
