您的位置: 专家智库 > >

蒋婧思

作品数:4 被引量:8H指数:2
供职机构:北京交通大学理学院光电子技术研究所更多>>
发文基金:教育部重点实验室开放基金教育部跨世纪优秀人才培养计划教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇导体
  • 3篇溶胶
  • 3篇稀磁半导体
  • 3篇半导体
  • 2篇溶胶凝胶
  • 2篇溶胶凝胶法
  • 2篇溶胶凝胶法制...
  • 2篇凝胶法制备
  • 2篇XO
  • 2篇ZN
  • 1篇电场诱导
  • 1篇电致发光
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇空穴
  • 1篇空穴注入
  • 1篇溅射
  • 1篇发光
  • 1篇分子
  • 1篇分子取向
  • 1篇OLED

机构

  • 4篇北京交通大学

作者

  • 4篇蒋婧思
  • 2篇侯延冰
  • 2篇唐爱伟
  • 1篇腾枫
  • 1篇师全民
  • 1篇王琰
  • 1篇滕枫
  • 1篇高瑞
  • 1篇秦丽芳

传媒

  • 2篇发光学报

年份

  • 3篇2008
  • 1篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
电场诱导空穴注入缓冲层PEDOT∶PSS取向对OLED发光性能的影响被引量:6
2008年
实验中以PEDOT∶PSS在ITO基片上旋涂作为空穴传输层,并且在旋涂PEDOT∶PSS的过程中在与ITO玻璃平面垂直的方向施加一个诱导聚合物取向的高压电场,试验着重研究了所加电场强度对双层器件:ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/Al器件性能的影响。测试结果表明,旋涂时所加电场的大小对器件的发光强度和起亮电压都有明显的影响。随着所加电场的增大,器件发光强度明显增加,起亮电压减小。由此表明:在高电场作用下,聚合物分子链沿电场方向发生了取向,而且随着电场增强这种取向作用会表现得越明显,并且在PEDOT∶PSS膜表层会形成一个梯度变化的PSS聚集,使得从ITO到MEH-PPV的功函数逐渐上升,降低空穴注入势垒,增强了空穴的注入效率。
秦丽芳侯延冰师全民蒋婧思高瑞王琰
关键词:分子取向电致发光空穴注入
溶胶凝胶法制备Zn_(1-x)Fe_xO稀磁半导体被引量:2
2008年
使用溶胶-凝胶法,制备了Fe掺杂的ZnO粉末衡磁半导体材料。通过X射线衍射对样品的晶格结构进行了分析,发现衍射峰的峰位随着Fe掺杂量出现偏移。当掺杂浓度低于6.66%时,Fe较好地替代了Zn的晶格位置,当掺杂浓度达到6.66%时出现杂相峰。使用超导量子干涉仪对所制备的磁性材料进行表征,得到了材料磁化率随温度变化关系曲线,并观察到明显的低温磁滞现象。对其磁性来源进行了分析。
蒋婧思侯延冰唐爱伟滕枫
关键词:溶胶凝胶法稀磁半导体ZNO
氧化锌掺铁稀磁半导体的制备和性质研究
稀磁半导体学是自旋电子学的一个重要分支。稀磁半导体是将磁性过渡金属或稀土离子掺入传统非磁性半导体并占据其晶格位置,通过磁性离子与非磁性离子之间的sp-d或RKKY交换作用使半导体的微观磁矩在特定外界条件下具有一定取向性,...
蒋婧思
关键词:稀磁半导体磁控溅射溶胶-凝胶
文献传递
溶胶凝胶法制备Zn1-xFexO稀磁半导体
随着自旋电子学的发展,作为主要支撑材料的稀磁半导体(diluted magnetic semi- conductor DMS)得到了广泛关注。稀磁半导体是在非磁性半导体(Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅴ族)中掺杂入过渡金属或稀土的磁性离...
蒋婧思候延冰唐爱伟腾枫
文献传递
共1页<1>
聚类工具0