高崴崴
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：苏州科技学院更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Er离子注入GaN薄膜的阴极荧光机制研究被引量：3
- 2015年
- 采用离子注入方法制备了一系列不同Er离子剂量的GaN薄膜,并在不同温度、不同气氛下进行了退火处理。深入研究了退火温度和退火气氛对阴极荧光谱的影响机制和阴极荧光中的发光猝灭现象,获得了优化的退火条件。结果表明,当Er离子注入剂量达到1×1015cm-2时,Er离子的发光强度最高;当Er离子注入剂量达到5×1015cm-2时,出现发光猝灭现象。
- 莫亚娟王晓丹曾雄辉高崴崴王建峰徐科
- 关键词：GAN薄膜离子注入
- Er:GaN微纳米晶发光性能研究
- 2014年
- 采用溶液化学方法制备了Er3+掺杂浓度为1at%的Er∶GaN微纳米晶材料。对退火前后材料的结构、形貌和发光性能进行了表征。结果表明:Er∶GaN微纳米晶样品为纯的六方GaN相。退火后出现晶粒长大现象,且氧含量降低,微纳米晶的结晶质量变好。退火处理后出现了Er3+相关的524 nm和547 nm的绿光峰,660 nm的红光峰。在980 nm激发下,在Yb,Er∶GaN微纳米晶样品中实现了上转换荧光发射,并观察到了和Er∶GaN微纳米晶相同的发光峰。
- 高崴崴王晓丹韩佰祥莫亚娟曾雄辉徐科
- 关键词：发光性能
