马扬昭
- 作品数：6 被引量：5H指数：2
- 供职机构：湖南大学物理与微电子科学学院更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- Al_2O_3基陶瓷及玻璃基底制备Ta-N薄膜微结构与电学特性的比较研究
- 2012年
- 在N2、Ar气氛中,采用反应直流磁控溅射法在Al2O3基陶瓷及玻璃基底上制备了Ta-N薄膜,并对各样品的形貌结构、化学组分及电学特性进行了比较分析研究。结果表明,沉积于Al2O3陶瓷及玻璃基底的Ta-N薄膜分别呈团簇状生长与层状紧密堆积生长;Al2O3陶瓷基底沉积的Ta-N为单相薄膜,而玻璃基底上的Ta-N薄膜,随N2、Ar流量比增加,呈单相向多相共存转变;薄膜表面形貌和微结构与基底材料的原始形貌和微结构紧密相关,这说明基底材料对薄膜的形成有重要的影响;N2、Ar流量比相同时,玻璃基底上沉积的Ta-N薄膜电性能优于Al2O3基陶瓷基底上沉积的Ta-N薄膜。
- 马扬昭谢中周艳明夏丰金冯双磊李科
- 关键词：电阻温度系数
- Cu互连中Ta/Ta-N和Ti/Ta-N双层膜的扩散阻挡性能比较被引量：2
- 2014年
- 采用磁控溅射法在SiO2/Si基底上沉积Cu/Ta/Ta-N及Cu/Ti/Ta-N薄膜,在高纯的Ar/H2气氛保护下对样品进行快速热退火处理,用XRD、SEM、EDS及四探针电阻测试仪(FPP)等分析测试方法对Ta/Ta-N和Ti/Ta-N双层薄膜的热稳定性及互扩散阻挡性能进行了比较分析。结果表明,当退火温度低于700℃时,Cu/Ta/Ta-N/SiO2/Si和Cu/Ti/Ta-N/SiO2/Si多层膜结构表面平整,方阻值均比较小(Cu/Ta/Ta-N/SiO2/Si约为0.175Ω/□,Cu/Ti/Ta-N/SiO2/Si约为0.154Ω/□);当退火温度到达700℃时,Cu/Ta/Ta-N/SiO2/Si试样开始出现Ta2O5和Cu3Si,由于Cu向基底扩散打破Si-Si和Si-O键,Si、O经扩散通道分别与Cu、Ta反应生成了Cu3Si和Ta2O5,表明Ta/Ta-N阻挡层开始失效;而Cu/Ti/Ta-N/SiO2/Si试样的Cu/Ti相界面形成了很薄的扩散溶解层——Cu4Ti、Cu4Ti3与Cu3Ti2,有力地阻断Cu向基底扩散的通道,从而提高了Ti/Ta-N双层膜的阻挡性能,使Ti/Ta-N双层膜对Cu的有效阻挡温度高达700℃。因此,Ti/Ta-N双层膜是一种良好的扩散阻挡层。
- 何明智谢中周艳明马扬昭
- 关键词：TATI
- 长周期光纤光栅模式与耦合系数的研究被引量：2
- 2012年
- 从耦合模理论出发,采用三层介质光纤模型,用数值计算的方法分析了长周期光纤光栅纤芯模和包层模的有效折射率,一阶低次包层模的耦合系数随波长以及阶次的变化关系.研究发现,低次包层模的最大耦合系数对应的模次随波长增大而减小,不同光纤参数下耦合系数随波长变化的规律不同.耦合系数直接影响到光栅透射谱损耗峰峰值,这对长周期光栅的设计有一定的参考价值.
- 谢中冯双磊周艳明李科马扬昭
- 关键词：长周期光纤光栅光纤参数波长
- 氮流量对Ta-N电阻薄膜结构与电学性质的影响研究
- 马扬昭谢中周艳明夏丰金冯双磊李科
- Ta及Ta-N薄膜的制备与电学性能研究
- 在N2/Ar气氛中，采用反应直流磁控溅射方法在Al2O3陶瓷和玻璃基底上制备了Ta-N薄膜，对比研究了不同基底、工艺参数及热处理工艺对Ta-N薄膜微观结构、表面形貌、化学组分的演变及电性能的影响;制备并分析了Ta-N薄膜...
- 马扬昭
- 关键词：电学性能
- 文献传递
- 光纤酸性化学镀镍工艺
- 2011年
- 系统研究了石英光纤表面酸性化学镀镍工艺,同时研究了温度、主盐浓度、pH等影响镀层表面形貌的因素.得到石英光纤敏化、活化的最佳温度为35℃.最佳施镀条件为:次磷酸钠浓度为0.2 mol/L,镀液中镍离子与次磷酸钠的质量浓度比为0.35,pH值为4.8,温度为88℃.在优化的工艺条件下,发现光纤施镀前预处理过程中的粗化不是得到连续镀层的必要条件.在未经粗化的石英光纤表面得到了均匀、连续、光亮、细腻、附着力良好的镍镀层,镀层的沉积速率为5.76μm/h.
- 谢中李科黄桂芳周艳明冯双磊马扬昭
- 关键词：酸性化学镀镍石英光纤沉积速率敏化
