郭同义
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中山大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家科技部专项基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 高品质氧化钨纳米线的低温定域制备工艺及单根纳米线的物性研究
- 虽然目前氧化钨纳米线的制备方法很多,但是要在低温条件下制备高品质的氧化钨纳米线却是十分困难.我们分别利用金属Ni和Au纳米粒子作为催化剂,将化学气相沉积法与陶瓷模板法相结合,成功地在低于530oC的温度下实现了WO2和W...
- 刘飞郭同义李立方莫小姝甘海波陈军邓少芝许宁生
- 关键词：场发射特性
- 图案化氧化钨纳米线阵列的低温制备工艺及其场发射特性研究
- 2012年
- 氧化钨纳米线由于具有长径比较大、导电性好、阈值电场较低、可承受的电流较高等优点,因此在场致电子发射器件中受到人们的广泛关注。但是在氧化钨纳米结构研究发展的过程中,出现了一些技术难题,比如制备温度高(>800℃),制备的氧化钨通常混合多种化学相而导致物性不均匀等,所以束缚了氧化钨纳米线在场发射领域的快速发展。本文采用磁控溅射技术结合化学气相沉积技术在500℃下分别实现了高纯相的WO2和WO3纳米线阵列的定域生长。场发射特性研究结果表明:所制备的WO3纳米线阵列的开启电场低至0.65MV/m,阈值电场约为2.9MV/m,最大电流密度达到18.3A/cm2;WO2纳米线阵列的开启电场低至0.8MV/m,阈值电场为2.46MV/m,最大电流密度达到12.1mA/cm2。这表明在低温下制备的氧化钨纳米线阵列在场致电子发射领域具有非常广阔的应用前景。
- 刘飞郭同义李力李立方甘海波陈军邓少芝许宁生
- 关键词：场发射特性
- 一种提高氧化钨纳米材料薄膜场发射特性的原位等离子体辉光处理方法
- 本发明提供一种提高氧化钨纳米材料薄膜场发射特性的原位等离子体辉光处理方法。该方法是将氧化钨纳米材料薄膜作为场发射结构的阴极，并放置于高真空测试腔中。首先在场发射结构的阴?栅或阴?阳极之间施加高电压实现场致电子发射，再将重...
- 刘飞许宁生莫富尧郭同义邓少芝陈军
- 文献传递
- 一种有效提高氧化钨纳米线阵列的场发射均匀性的原位等离子体处理工艺
- 氧化钨纳米材料由于具有较低的开启电场和阈值电场,能够在较为温和的条件实现场致电子发射,所以被认为是一种优良的冷阴极纳米材料。但是近年来氧化钨纳米材料在场发射领域的发展遭遇到了一个瓶颈,即它的场发射均匀性无法满足其在平板显...
- 刘飞郭同义许卓莫小姝甘海波陈军邓少芝许宁生
- 文献传递
- 氧化钨纳米线冷阴极阵列制备及其发射特性研究
- 由于氧化钨纳米线具有优良的场发射特性(低开启和阈值电场、高电流密度和高亮度等),所以被认为是一种理想的冷阴极纳米材料。目前已经有很多小组开展了氧化钨纳米线制备工艺的研究,但是大部分方法的生长温度都要高于场发射常用的玻璃衬...
- 刘飞郭同义彭路希田颜陈军邓少芝许宁生
- 关键词：场发射
- 文献传递
- 一种提高氧化钨纳米材料薄膜场发射特性的原位等离子体辉光处理方法
- 本发明提供一种提高氧化钨纳米材料薄膜场发射特性的原位等离子体辉光处理方法。该方法是将氧化钨纳米材料薄膜作为场发射结构的阴极，并放置于高真空测试腔中。首先在场发射结构的阴-栅或阴-阳极之间施加高电压实现场致电子发射，再将重...
- 刘飞许宁生莫富尧郭同义邓少芝陈军
- 文献传递
- 氧化钨纳米线冷阴极阵列制备及其发射特性研究
- 由于氧化钨纳米线具有优良的场发射特性(低开启和阈值电场、高电流密度和高亮度等),所以被认为是一种理想的冷阴极纳米材料.目前已经有很多小组开展了氧化钨纳米线制备工艺的研究,但是大部分方法的生长温度都要高于场发射常用的玻璃衬...
- 刘飞郭同义彭路希田颜陈军邓少芝许宁生
- 关键词：场发射
