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雷宇

作品数:73 被引量:7H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:中国科学院战略性先导科技专项国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 65篇专利
  • 8篇期刊文章

领域

  • 19篇自动化与计算...
  • 9篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 42篇存储器
  • 37篇电路
  • 30篇相变存储
  • 28篇相变存储器
  • 22篇读出电路
  • 16篇灵敏放大器
  • 15篇电压
  • 11篇电流
  • 10篇选通
  • 8篇功耗
  • 7篇电源
  • 6篇低功耗
  • 6篇电阻
  • 6篇读出
  • 6篇寄生参数
  • 6篇非易失存储器
  • 6篇充电
  • 6篇传输门
  • 5篇相变
  • 5篇仿真

机构

  • 73篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇上海市纳米科...

作者

  • 73篇宋志棠
  • 73篇雷宇
  • 66篇陈后鹏
  • 37篇李喜
  • 35篇王倩
  • 12篇李晓云
  • 8篇胡佳俊
  • 5篇张琪
  • 3篇田震
  • 2篇蔡道林
  • 2篇陈小刚
  • 2篇刘卫丽
  • 2篇许震
  • 2篇苗杰
  • 1篇金荣
  • 1篇陈邦明
  • 1篇范茜

传媒

  • 3篇上海交通大学...
  • 3篇微电子学
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇浙江大学学报...

年份

  • 1篇2024
  • 9篇2023
  • 2篇2022
  • 14篇2021
  • 10篇2020
  • 14篇2019
  • 8篇2018
  • 9篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
73 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种三维相变存储器1S1R存储单元电路仿真模型
2022年
三维相变存储芯片1S1R存储单元由双向阈值选通管(OTS)和相变存储器件(PCM)串联组成.为了解决现有OTS和PCM电路仿真模型不能准确模拟器件电学特性和物理特性、不适用于限制型PCM等问题,提出了一种采用Verilog-A语言实现的1S1R电路仿真模型.该模型实现了对OTS电学特性和PCM相变过程中电流、温度、熔融比例、晶态比例和非晶比例变化的模拟,具有良好的收敛性和较快的仿真速度,仿真结果与器件实际测试结果吻合.与传统模型相比,该模型针对限制型PCM特点,实现了对PCM熔融过程、晶态非线性、熔融电阻率稳定和OTS亚阈值非线性、双向选通特性的模拟和集成.分析了OTS亚阈值非线性参数和读电压窗口的关系,发现当OTS阈值电流约等于PCM阈值电流时读窗口最大;展示了1S1R单元直流和阵列瞬态仿真结果,为三维相变存储器的电路设计和仿真提供了基础.
张光明雷宇雷宇陈后鹏宋志棠
关键词:相变存储器VERILOG-A
增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路
本发明提供增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路,所述ESD电路在传统堆叠电路的基础上增加了偏置电压传输电路和高压传输电路;偏置电压传输电路,分别与分压电路及反相器电路连接,用于实现当内部ESD总线的电压为正常...
李晓云陈后鹏王倩李喜雷宇宋志棠
文献传递
非易失存储器灵敏放大器及相变存储器
本发明提供一种非易失存储器灵敏放大器及相变存储器,包括:控制模块,产生第一控制信号及第二控制信号;低功耗模块,在外部使能信号失效时关闭比较模块;第一读取电压模块,在外部使能信号起效时读取被选中存储单元的读取电流并转化为第...
雷宇陈后鹏宋志棠
文献传递
一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统
本申请实施例所公开的一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统,其中,电路包括神经元输入模块、时钟选择模块、计数模块、置零延时模块和神经元输出模块,计数模块具有脉冲信号输入端、时钟信号输入端、清零端和计数信号输出端,神经元输...
陈后鹏吕艺王倩李喜雷宇郭家树解晨晨宋志棠
文献传递
一种突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法
本申请实施例涉及神经网络领域。采用本发明提供的突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法,通过控制突触模块中的一个开关管处于工作状态,另一个开关管处于非工作状态,进而调节突触模块中的一个忆阻器的电导,而不影响另一忆...
吕艺陈后鹏王倩李喜雷宇郭家树解晨晨宋志棠
文献传递
多级相变存储器的读出电路及读出方法
本发明提供了一种多级相变存储器的读出电路及读出方法,涉及微电子技术领域,解决了传统方法无法读出多级相变存储单元存储的多位数据的技术问题。本发明提供的多级相变存储器的读出方法应用于存储有N位二进制数据的相变存储单元,读出方...
解晨晨李喜陈后鹏王倩雷宇宋志棠
文献传递
一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法
本发明提供一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法,所述电路结构包括N位循环计数器电路,与所述N位循环计数器电路连接的N个地址产生电路,及与N个所述地址产生电路连接存储器阵列,通过把对一个存储器字的N次操作分散到N个不同的...
陈后鹏李喜王倩李晓云雷宇郭家树陈小刚宋志棠苗杰
一种三维存储器读出电路及读出方法
本发明提供一种三维存储器读出电路及读出方法,包括:读参考电路,产生一个可以快速区分读低阻态单元电流和读高阻态单元电流的读参考电流;以及灵敏放大器。读参考电路包括参考单元、位线匹配模块、字线匹配模块和传输门寄生参数匹配模块...
雷宇陈后鹏宋志棠
文献传递
一种基于相变存储器的高速读出电路设计被引量:3
2019年
通过对相变存储器中的读出电路进行改进,以提升存储器的读出速度;通过降低读出电路中灵敏放大器输出端电压摆幅,使得输出端电压提早到达交点,显著减小了读出时间;同时,基于中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)40 nm的互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片制造工艺,利用8 Mb相变存储器芯片对改进的新型高速读出电路进行验证,并对新型电路的数据读出正确性进行仿真分析.结果表明:在读Set态相变电阻(执行Set操作后的低电阻)时,新型电路与传统读出电路的读出时间均小于1 ns;在读Reset态相变电阻(执行Reset操作后的高电阻)时,新型电路相比传统读出电路的读出速度提高了35.0%以上.同时,采用蒙特卡洛仿真方法所得Reset态相变电阻的读出结果表明:在最坏的情况下,相比传统读出电路的读出时间(111 ns),新型电路的读出时间仅为58 ns;新型电路在最低Reset态相变电阻(RGST=500 kΩ)时的读出正确率仍可达98.8%.
李晓云陈后鹏陈后鹏雷宇王倩李喜
关键词:相变存储器读出电路灵敏放大器
一种电荷泵电路及其输出电压自动调节方法
本发明提供一种电荷泵电路及其输出电压自动调节方法,所述电路包括:用于根据输出电压的变化产生使能信号的使能信号产生电路,其通过控制所述升压模块的工作状态调节输出电压,最终输出电压控制在一个允许的范围内波动;连接于所述使能信...
雷宇陈后鹏宋志棠
文献传递
共8页<12345678>
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