许林
- 作品数：4 被引量：10H指数：1
- 供职机构：重庆大学经济与工商管理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：经济管理环境科学与工程更多>>
- 化学浸蚀温度对多孔硅粉形貌和比表面积影响
- 硅是一种具有以纳米硅原子簇为骨架的海绵状结构的新型功能材料,它具有比表面积大、生物活性高、可光致发光和电致发光等特征.自1990年L.T.Canham等发现多孔硅室温光致发光现象以来,研究人员对基于多孔硅的全硅光电子器件...
- 黎学明纪新瑞许林
- 关键词：化学浸蚀多孔硅比表面积
- 烷基化多孔硅的制备与表征被引量：1
- 2005年
- 以p型单晶硅作为研究对象,采用电化学阳极氧化方法制备新鲜多孔硅以及与十二碳烯进行氢化硅烷化反应形成烷基化多孔硅,利用扫描电子显微镜、红外光谱仪、荧光光谱仪等表征烷基化多孔硅的形态、组成、光致发光、耐碱性等.结果表明,新鲜多孔硅表面呈微米级长方形块状结构,含大量Si—Hx(x=1,2,3)键,而氢化硅烷化反应后其表面则变为岛状结构,且出现与烷基有关的C—H键伸缩振动峰;延长氢化硅烷化反应时间,所得多孔硅光致发光峰值强度增加,峰位蓝移,耐碱性有明显提高.
- 黎学明许林刘娉娉张玉奇王楠
- 关键词：多孔硅光致发光
- 电化学阳极氧化时间对多孔硅表面形态及孔隙率影响
- 硅是一种新型纳米结构材料,在光子器件、光电子器件、传感器、载体介质等领域具有应用潜力,引起人们极大关注.多孔硅的表面形态和孔隙率是影响多孔硅理化性质的主要因素,而电化学阳极氧化条件则是影响多孔硅形态和孔隙率的关键.对此,...
- 黎学明许林刘强
- 关键词：电化学阳极氧化多孔硅表面形态孔隙率
- 国际贸易与FDI的技术溢出被引量：9
- 2007年
- 用16个国家11年的面板数据,对国际贸易和外商直接投资的技术溢出进行了实证分析。结果发现外商直接投资(FDI)对中国技术进步的促进作用并不明显,而国外R&D溢出通过国际贸易这一渠道对中国的技术进步起着显著的促进作用,但是这种促进作用是有条件的,即吸收国外R&D技术溢出必须与一定的国内研发水平相结合。
- 黄凌云范艳霞许林
- 关键词：外商直接投资国际贸易R&D
