王燕飞
- 作品数：9 被引量：5H指数：2
- 供职机构：华侨大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金福建省厦门市科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信一般工业技术更多>>
- nc-Ge/SiO2复合薄膜的非线性光学特性
- 采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了nc-Ge/SiO2复合薄膜。通过紫外-可见分光光度计的测量,计算出样品的光学带隙为1.12eV。采用皮秒激光脉冲单光束Z-扫描技术研究了nc-Ge/SiO2复合薄膜三阶非线性光...
- 张培王加贤王燕飞郭亨群吴志军
- 关键词：Z-扫描被动调Q
- 文献传递
- 圆环衍射效应下涡旋光束的光强变化
- 利用部分相干光的统一理论和惠更斯-菲涅耳衍射原理,推导出随机电磁涡旋光束在自由空间中传播时,尤其是部分偏振涡旋光束经圆环衍射之后光强的计算公式.研究了部分偏振涡旋光束通过圆环后的夫琅和费衍射特性,主要讨论了光强的变化情况...
- 杨先才丁攀峰王燕飞
- 关键词：部分相干涡旋光束
- 文献传递
- nc-Ge/SiO_2薄膜的光发射和光吸收研究
- 2010年
- 采用射频磁控反应溅射技术和后退火法制备了nc-Ge/SiO2薄膜材料。采用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的微结构进行测试,随着退火温度的升高,衍射峰的半高宽减小,表明Ge纳米晶粒的平均尺寸逐渐增大,发现经过1 000℃退火后的薄膜具有三个明显的纳米锗衍射峰。薄膜的傅里叶红外吸收谱表明,随着退火温度的升高,薄膜的红外吸收增强。室温下,测量了不同温度退火下薄膜的光致发光谱,观察到了紫外光、紫光和橙色光。而且不同退火温度的薄膜,其光致发光谱有所不同,理论上着重讨论了紫光和橙光的发光机制。
- 张培王加贤王燕飞郭亨群吴志军
- 关键词：光吸收发光机制
- 随机电磁涡旋光束传输过程中斯托克斯参量和偏振度的变化
- 2012年
- 基于交叉谱密度矩阵理论及其传输规律,推导随机电磁涡旋光束在自由空间中传输时的广义斯托克斯参量和偏振度的公式,分析相干长度对广义斯托克斯参量和偏振度的影响.研究结果表明:相干长度越长,即相干度越高,光束的涡旋特性越容易保持;随着相干长度的增加,斯托克斯参量和偏振度增加的比较缓慢;当相干长度远大于光斑尺寸时,广义斯托克斯参量和偏振度基本保持不变.
- 杨先才丁攀峰王燕飞
- 关键词：偏振度相干长度
- 纳米Si/SiN_x超晶格实现Nd∶YVO_4激光被动调Q
- 2011年
- 采用射频磁控反应溅射法和热退火处理制备了纳米Si/SiNx超晶格薄膜材料。把薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现了1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约20 ns、重复频率33.3 kHz的调Q脉冲序列输出。分析了纳米Si/SiNx薄膜可饱和吸收的产生机制,认为双光子吸收是产生1 342 nm激光被动调Q的主要原因。对纳米Si/SiNx薄膜材料调Q激光器的速率方程组进行了数值求解,得到的调Q脉冲时间宽度的理论值和实验结果基本相符。
- 王燕飞王加贤张培杨先才沈海波
- 关键词：激光技术超晶格薄膜被动调Q双光子吸收
- 纳米硅镶嵌薄膜的光学性质及对1342nm激光的被动调Q
- 2011年
- 采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了石英衬底的纳米Si镶嵌SiNx(nc-Si/SiNx)薄膜。通过对薄膜的小角度X射线衍射和吸收光谱测试,确定了硅晶粒尺寸和光学带隙。采用Z-扫描技术研究了薄膜的三阶非线性光学特性,结果表明薄膜的非线性吸收属于双光子吸收。把nc-Si/SiNx薄膜作为可饱和吸收体插入LD抽运的Nd:YVO4激光器中,实现了1342nm激光的被动调Q,获得51 ns的激光脉冲。理论分析和实验结果表明,由于纳米Si的光学带隙大于1342nm光子能量,所以双光子饱和吸收导致了1342nm激光的被动调Q。
- 翟云王加贤王燕飞
- 关键词：激光技术纳米硅薄膜被动调Q双光子吸收
- 半导体薄膜实现Nd∶YVO_4 1064nm和1342nm双波长激光被动调Q被引量：3
- 2012年
- 采用射频磁控溅射和热退火处理技术制备SiNx/Si/SiNx多层薄膜,测试了纳米硅晶粒平均尺寸、光学带隙和薄膜对1064nm激光的非线性吸收系数。建立SiNx/Si/SiNx多层薄膜被动调Q的Nd∶YVO4双波长激光器速率方程,得到双波长调Q脉冲的数值模拟结果。在激光二极管(LD)端面抽运的三镜复合腔Nd∶YVO4激光器中,SiNx/Si/SiNx多层薄膜作为可饱和吸收体同时实现了双波长激光被动调Q,获得20ns的1064nm激光脉冲和19ns的1342nm激光脉冲输出。研究表明,薄膜对1064nm和对1342nm的双光子饱和吸收是双波长激光被动调Q的直接原因;激光器两个支腔输出损耗的差别和薄膜对两个波长的非线性吸收系数的相对值影响了双波长脉冲的宽度和时间间隔。
- 王加贤王燕飞
- 关键词：双光子吸收
- 纳米半导体薄膜实现Nd：YVO4激光器单波长和双波长激光被动调Q
- 激光二极管泵浦全固态激光器(DPSSL)与传统的灯泵激光器相比具有效率高、稳定性好、结构紧凑、小型化、寿命长等优点,是新一代固体激光器件。本文围绕激光二极管(LD)泵浦Nd:YVO激光器的设计和运转特性、半导体薄膜材料被...
- 王燕飞
- 关键词：被动调QND:YVO4激光器可饱和吸收
- 文献传递
- 纳米Ge-SiO_2薄膜对1342nm激光的被动调Q被引量：2
- 2011年
- 采用射频磁控溅射技术和热退火处理方法制备纳米锗镶嵌二氧化硅(Ge-SiO2)薄膜.利用光吸收谱和X射线衍射谱对薄膜材料进行表征,得到薄膜的光学带隙为1.12 eV,纳米Ge晶粒的平均尺寸约为16.4 nm.将纳米Ge-SiO2薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平-凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约为40 ns,重复频率为33.3 kHz的调Q脉冲序列输出.根据实验现象并结合薄膜结构,认为纳米Ge-SiO2薄膜的界面态和缺陷态是产生调Q的主要原因.
- 王燕飞王加贤张培杨先才
- 关键词：激光技术被动调Q可饱和吸收体
