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杨小峰

作品数：2 被引量：13H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：陕西省自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇低通
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇移相器
  • 1篇移相器设计
  • 1篇收发
  • 1篇收发开关
  • 1篇数字移相器
  • 1篇迁移率
  • 1篇谐振
  • 1篇晶体管
  • 1篇级联
  • 1篇隔离度
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇高隔离
  • 1篇高隔离度
  • 1篇S波段
  • 1篇CMOS射频
  • 1篇LC谐振
  • 1篇插入损耗

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇郝跃
  • 2篇杨小峰
  • 1篇史江义
  • 1篇马佩军

传媒

  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
S波段六位高精度移相器设计被引量：13
2014年
采用0．25μmGaAs高电子迁移率晶体管（HEMT）7-艺设计了一款六位S波段数字移相器．移相器采用高低通和全通网络结构，运用了提高相位精度和抑制级联散射的方法．移相器在0°～360°相位范围内以5．625°步进，在2．1～2．7GHz频率范围内，最小相位均方根误差仅为1．13°．频带范围内插入损耗小于6．3dB，幅度均衡小于0．4dB，输入输出反射系数小于一10dB．
杨小峰史江义马佩军郝跃
关键词：高电子迁移率晶体管数字移相器
一种高隔离度低损耗CMOS射频收发开关设计方法
2013年
本文采用了LC并联谐振的办法设计了高性能的CMOS收发开关,由于消除了CMOS晶体管的寄生电容的影响,降低了开关电路的插入损耗、提高隔离性能。同时利用直流偏置和交流浮动技术来提高开关的功率容纳能力。采用TSMC0.35 m RF-CMOS工艺设计的收发开关,模拟结果表明谐振频率工作点的插入损耗为1.03dB,收发端隔离39.277dB,输入1dB压缩点(P1dB)功率26.28dBm。
杨小峰郝跃
关键词：收发开关LC谐振插入损耗隔离度
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