张存磊
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：浙江理工大学更多>>
- 相关领域：冶金工程电气工程一般工业技术电子电信更多>>
- ZnO和ZnS复合材料的水热法制备
- 氧化锌和硫化锌属于Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料，被越来越多的应用在光学、电学以及光催化等领域，但是它们单一的材料特性已不能满足实际生产中的应用，开发具有独特和新颖的物理、化学性能的复合半导体材料是材料学发展的一种趋势。本论文...
- 张存磊
- 关键词：氧化硫水热法纳米复合材料
- 碱浸提取碲的工艺研究被引量：4
- 2013年
- 运用正交法,对碱浸提取碲的工艺进行了优化。考察了浸出温度、NaOH浓度、液固比、浸出时间对Te浸出率的影响。同时对最佳浸出工艺下主要杂质元素Si、Se、Cu的浸出进行了研究。结果表明:浸出温度、NaOH浓度、液固比、浸出时间对Te的浸出率无显著影响。碱浸提取碲的最佳浸出工艺为:浸出温度95℃,NaOH浓度3moL/L,液固比6∶1,浸出时间3h。此工艺条件下浸出液中Si、Se含量较高,进行后续碲的提取工艺前需除杂。
- 王少锋汪琼杨静静张存磊席珍强
- 关键词：碱浸碲浸出率
- 太阳能电池用铸造多晶硅的碳浓度分布研究被引量：1
- 2013年
- 用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测定定向凝固太阳能电池用多晶硅的轴向碳浓度分布。结果表明:实验样品的轴向碳浓度分布符合分凝规律。用经典分凝公式模拟该铸造多晶硅的轴向碳浓度分布,得到该铸造多晶硅的有效分凝系数为0.45。取硅熔点温度为定向凝固过程温度,通过BPS公式计算得到,碳在定向凝固过程中的扩散速度在4.72×10-8～4.72×10-7 cm/s的范围。
- 刘耀南梁萍兰张存磊席珍强
- 关键词：碳浓度FTIR
- 快速热处理下镍对锗单晶电学性能的影响
- 2012年
- 采用磁控溅射法在n-Ge表面镀镍薄膜,通过改变快速热处理时间研究镍对锗单晶的导电型号、电阻率和少子寿命的影响,以及镍在锗中的扩散行为。结果表明:镍在锗中具有向内扩散和向外扩散两种行为,并以受主状态存在,改变了锗内部的载流子的分布;775℃热处理后,镍受主完全补偿原有的施主,使锗由n型转变为p型,随着热处理时间的增加,电阻率下降,镍受主浓度增加。即使微量的镍就可以使锗的少子寿命直线下降至零点几微秒,这表明镍在锗中会引入深能级。
- 梁萍兰郑忠云张存磊王少锋席珍强
- 关键词：锗单晶镍
