郑宏
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：天津理工大学更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种有机双极型场效应晶体管及其制备方法
- 一种有机双极型场效应晶体管，为在Al源、漏电极与P型有机半导体层之间插入V<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>修饰层的底栅中间接触结构，由衬底、栅电极、电介质绝缘层、P型有机半导体层、V<Sub>2</Su...
- 程晓曼赵庚田海军吴仁磊郑宏杜博群梁晓宇
- 文献传递
- 界面修饰对有机场效应管性能影响的研究
- 以有机半导体材料作为有源层的有机场效应管/(Organic Field Effect Transistor,OFET/),因其具有独特优点,如低成本、低功耗、制备工艺简单、可与柔性衬底相兼容、大面积生产等,已广泛应用于射...
- 郑宏
- 关键词：有机场效应管场效应迁移率
- 文献传递
- 一种8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管
- 一种8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管，包括栅电极、复合绝缘层、有源层、修饰层和源漏电极，其中修饰层为8-羟基喹啉铝并作为电极/有源层的阻挡层，栅电极为重掺杂磷的硅衬底，复合绝缘层包括SiO<Sub>2</S...
- 程晓曼郑宏赵赓田海军
- 文献传递
- C60场效应晶体管的制备及修饰层对器件性能影响的研究被引量：4
- 2011年
- 以重掺杂Si片作为衬底,SiO2/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为双栅绝缘层,C60为有源层,制备了不同修饰层的有机场效应晶体管(OFETs);研究了不同修饰层的器件对于场效应性能的影响。实验表明,与未加修饰层的器件相比,经过修饰的器件性能有一定的提高,其中Alq3/LiF双修饰层器件的场效应迁移率达到最大,为1.6×10-2 cm2/V.s。根据热动力学反应关系分析表明,Alq3/LiF间的协同作用导致电极和有源层的接触势垒降低是器件性能提高的原因。
- 郑宏程晓曼闫齐齐田海军赵赓印寿根
- 关键词：场效应迁移率
- 聚合物栅绝缘层厚度对并五苯有机场效应管性能的影响被引量：1
- 2012年
- 采用不同厚度的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为栅绝缘层,制备了并五苯有机场效应晶体管(OFET)。测量了不同厚度的PMMA的介电特性,并详细分析了栅绝缘层厚度对器件性能的影响。其中,采用260nm厚的PMMA栅绝缘层的OFET具有比采用其它厚度的器件更优越的性能,其场效应迁移率、阈值电压与开关电流比分别达到3.39×10-3 cm2/Vs、-19V和103。
- 杜博群吴仁磊赵庚郑宏田海军梁晓宇吴峰程晓曼
- 关键词：场效应迁移率
