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江川

作品数：3 被引量：6H指数：1
供职机构：中南大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划湖南省科技计划项目更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇MOSI2
  • 1篇电热
  • 1篇电热材料
  • 1篇氧化层
  • 1篇应力
  • 1篇应力指数
  • 1篇真空
  • 1篇真空烧结
  • 1篇蠕变
  • 1篇蠕变行为
  • 1篇热元件
  • 1篇钛合金
  • 1篇临界应力
  • 1篇铝硅酸盐
  • 1篇抗弯强度
  • 1篇硅酸
  • 1篇硅酸盐
  • 1篇合金
  • 1篇发热元件
  • 1篇高温

机构

  • 3篇中南大学
  • 1篇航天材料及工...
  • 1篇教育部

作者

  • 3篇江川
  • 2篇易丹青
  • 1篇文智
  • 1篇刘会群
  • 1篇周宏明
  • 1篇王琪
  • 1篇王斌
  • 1篇朱慧娟

传媒

  • 1篇中国钼业
  • 1篇粉末冶金材料...

年份

  • 3篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
TA15钛合金的高温蠕变行为被引量：6
2014年
研究TA15钛合金在500~525℃下的高温蠕变行为，实验应力为250～350 MPa。计算合金在不同应力、不同温度下的稳态蠕变速率和应力指数以及蠕变激活能，并通过引入临界应力的概念对稳态蠕变的 Arrhenius 方程式进行修正，得出不同温度下的临界应力以及合金的真实蠕变应力指数，在此基础上研究其蠕变变形机制。研究结果表明，蠕变应力为350 MPa时，合金的蠕变激活能Qapp=403.1 kJ/mol；500℃和600℃下，TA15合金的蠕变临界应力？0值分别为82.15 MPa和34.79 MPa；500℃，TA15合金的真实蠕变应力指数P值为1.7～4.3，600℃时，合金的P值为4.0～6.0；在实验温度和应力范围内，位错的攀移和滑移在TA15合金蠕变变形过程中的作用很大，其中以位错攀移为主，位错滑移为辅。
王琪文智江川王斌易丹青
关键词：TA15钛合金应力指数临界应力
MoSi2基电热材料的制备与组织性能研究
MoSi2是一种金属间化合物，它具有较高的熔点、较低的热膨胀系数和良好的高温抗氧化性，已经广泛应用于高温电阻炉的发热元件。本文分别采用铝硅酸盐和ZrO2对MoSi2进行复合化研究，采用真空烧结的方法制备出常规MoSi2发...
江川
关键词：铝硅酸盐真空烧结
文献传递
MoSi_2发热元件高温通电氧化成膜规律
2014年
研究了MoSi2发热元件在1400～1600℃，空气中氧化0．25～3 h的氧化成膜规律，采用SEM和EDS测试技术分析了MoSi2发热元件通电氧化以后氧化层的组织形貌和相组成，并对其氧化膜的生长规律和抗弯强度变化原因进行了探讨。结果表明：MoSi2发热元件氧化膜生长规律符合L＝0．43＋5．05′107exp（-28397．88T ）t1/2关系，氧化激活能为236 kJ/mol。抗弯强度随着氧化膜的致密和增厚而提高，在1600℃通电氧化3 h后，氧化膜生长了22．3μm，抗弯强度达到了273 MPa，比氧化前提高了51．67％。
江川易丹青周宏明刘会群朱慧娟
关键词：MOSI2发热元件氧化层抗弯强度
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