林正怀
- 作品数：5 被引量：10H指数：3
- 供职机构：华侨大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金福建省农科院青年科技人才创新基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 石墨烯实现Nd:YVO_4激光器1064nm和1342nm双波长被动调Q被引量：4
- 2014年
- 在激光二极管端面抽运的三腔复合镜Nd…YVO4双波长激光器中,通过合理配置两个支腔腔长和输出镜透射率,采用石墨烯分散液作为可饱和吸收体,实现1064nm和1342nm双波长激光被动调Q。当1064nm支腔透射率为20%时,获得脉宽为10.8ns的1064nm脉冲和脉宽为12.5ns的1342nm脉冲,1064nm脉冲在前,两脉冲峰值的时间间隔为16ns;当1064nm支腔透射率为25%时,获得脉宽为11.3ns的1064nm脉冲和脉宽为14.2ns的1342nm脉冲,1342nm脉冲在前,两脉冲峰值的时间间隔为19ns。根据双波长谱线竞争理论和石墨烯对1064nm和1342nm激光的可饱和吸收特性,对上述实验结果给予了合理的理论解释。
- 梁莉林正怀陈狮王加贤
- 关键词：激光器ND:YVO4激光器被动调Q
- 石墨烯实现Nd:YVO_4激光器1064nm和1342nm激光的被动调Q被引量：3
- 2013年
- 在激光二极管(LD)泵浦的Nd:YVO4激光器中,采用石墨烯分散液作为可饱和吸收体,分别实现1064nm和1342nm激光的被动调Q;获得平均输出功率为0.52 W,脉宽为7.7ns,重复频率为105kHz的1342nm调Q脉冲序列和平均输出功率为0.62 W,脉宽为6.06ns,重复频率为138kHz的1064nm调Q脉冲序列。测量石墨烯分散液对低功率连续激光的吸收系数与入射功率之间的关系,结果表明样品对1342nm和1064nm激光均存在可饱和吸收,但是对1342nm激光吸收的饱和光强较低,由此分析1064nm和1342nm调Q脉冲的差别。
- 陈狮林正怀梁莉王加贤
- 关键词：石墨烯被动调QND
- 石墨烯的光学性质及其在激光器中的应用
- 石墨烯已被证实是一种典型零带隙的半金属材料，其价带和导带完美的对称相交于费米能级处((？)和(？)点)，(？)和(？)点也称为狄拉克点。在该点附近的电子能带关系为狄拉克锥。石墨烯具有的宽波段吸收和零带隙结构，使其可以作为...
- 林正怀
- 关键词：石墨烯可饱和吸收紧束缚近似
- 文献传递
- 纳米锗镶嵌二氧化硅薄膜的光学性质及其应用的研究被引量：1
- 2012年
- 采用射频磁控溅射技术与热退火处理制备了纳米锗镶嵌二氧化硅(nc-Ge/SiO2)复合薄膜。对薄膜的光吸收谱进行分析,得到了纳米Ge晶粒的光学带隙。单光束Z-扫描的实验结果表明薄膜具有较强的可饱和吸收特性。将薄膜作为可饱和吸收体插入LD端面抽运的Nd:YVO4激光器内,分别实现1 342nm和1 064nm激光的被动调Q,得到脉宽分别为29ns和22ns的脉冲序列。理论分析认为,纳米Ge晶粒形成的界面态和缺陷态对1 342nm激光产生的饱和吸收作用,是导致被动调Q的主要原因。
- 林正怀张培王加贤
- 关键词：SIO2薄膜磁控溅射技术被动调Q
- 纳米半导体复合薄膜的非线性光学性质及其在激光器中的应用被引量：3
- 2013年
- 采用射频磁控溅射技术制备了Ge掺二氧化硅(Ge-SiO2)和Ge,Al共掺二氧化硅(Ge/Al-SiO2)两种复合薄膜,并进行了热退火处理形成了纳米Ge镶嵌结构。通过紫外-可见吸收谱测量,确定了两种薄膜中纳米Ge的光学带隙,并采用皮秒激光Z-扫描技术研究了薄膜的非线性光学性质。测试结果显示,在1 064nm激发下得到的Ge-SiO2和Ge/Al-SiO2薄膜的非线性吸收系数分别为-1.23×10-7 m/V和4.35×10-8 m/W,前者为饱和吸收,而后者为双光子吸收。把两种薄膜作为可饱和吸收体均可实现1.06μm激光的被动调Q和被动锁模运转。与Ge-SiO2薄膜比较,采用Ge/Al-SiO2薄膜可以获得较窄的调Q脉冲和锁模脉冲。最后,理论分析和实验比较了两种薄膜实现被动调Q和锁模的机理。
- 王加贤林正怀张培吴志军
- 关键词：被动调Q被动锁模
