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领域

  • 6篇化学工程
  • 3篇电子电信
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  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇电性能
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  • 6篇介电性能
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  • 3篇SIO
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  • 2篇烧结性
  • 2篇烧结性能
  • 2篇热膨胀
  • 2篇流延
  • 2篇开裂
  • 2篇硅酸盐

机构

  • 12篇南京工业大学

作者

  • 12篇刘敏
  • 12篇周洪庆
  • 12篇吕安国
  • 7篇杨春花
  • 7篇朱海奎
  • 6篇丘泰
  • 5篇沈朝忠
  • 2篇王美娜
  • 1篇王宇光
  • 1篇韦鹏飞

传媒

  • 3篇硅酸盐学报
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇中国陶瓷
  • 1篇材料工程
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 7篇2007
  • 1篇2006
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CaO-B_2O_3-SiO_2玻璃陶瓷系生料带流延工艺研究被引量:2
2008年
采用正交实验研究固含量、粘结剂和增塑剂对CBS(CaO-B2O3-SiO2)玻璃体系浆料粘度、生坯性能影响。利用STATISTICA6.0分析表明:固含量、PVB和DBP的交互作用分别对浆料粘度和生料带的可揭膜程度影响最大,单因素及其交互作用对生坯密度均无显著影响。固含量50wt%,相对CBS玻璃粉料添加2wt%蓖麻油、7.5wt%PVB、4.5wt%DBP时,制备的浆料粘度为2.1Pa.s,较适合流延,生坯体积密度达到1.6g.cm-3,且生料带较易从流延机上剥离。875℃低温烧结试样,在10GHz微波频率下测试,介电常数为6.56,介电损耗1.57×10-3。
韦鹏飞杨春花周洪庆刘敏吕安国朱海奎沈朝忠
关键词:流延正交试验
电子封装基板的研究进展
电子封装技术的飞速发展,电子元件的高功率及日趋小型化,对封装材料的性能提出了更为严格的要求。本文从封装材料的分类的角度,综述了各种封装材料的发展现状,阐述了各种材料性能优缺点,并简单介绍了在这些分类领域中比较前沿的新材料...
沈朝忠周洪庆刘敏朱海奎吕安国杨春花王宇光
关键词:电子封装
文献传递
高频低损耗低温共烧陶瓷生料带及其制备方法
本发明涉及一种高频低损耗低温共烧陶瓷生料带及其制备方法,该生料带由无机玻璃陶瓷料和有机流延体系两部分组成,其中无机玻璃陶瓷料由钙硅硼、硼硅酸盐复相玻璃陶瓷和成核剂组成;有机流延体系由溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂和除泡剂组...
周洪庆刘敏朱海奎吕安国
文献传递
CaO-B_2O_3-SiO_2系低温共烧陶瓷的致密化行为及性能被引量:12
2008年
以CaO–B2O3–SiO2(CBS)玻璃粉末为原料,采用流延成形工艺制备了CBS系生料带。生料带在排完胶后可以在775~950℃内烧结。研究了生料带在烧成过程中致密化和晶化行为以及烧成温度对其介电性能和烧结性能的影响。结果表明:烧成样品中的主晶相为β-CaSiO3,850~900℃烧成样品中有少量CaB2O4。在样品烧成过程中,排胶后的CBS玻璃粉末首先烧结致密化,然后才开始晶化,即致密化过程要早于晶化过程,CBS玻璃的析晶倾向于整体析晶,这有利于CBS玻璃粉末的烧结。由于玻璃中析出晶相与残余玻璃相存在密度差,烧成样品的体积密度随着烧成温度的升高而降低。烧成温度的升高可促使玻璃中晶体析出和长大,且析出晶相具有比CBS玻璃低的相对介电常数(εr),样品的εr随烧成温度的升高呈下降趋势。
吕安国丘泰周洪庆刘敏
关键词:低温共烧陶瓷致密化晶化介电性能
高频低损耗低温共烧陶瓷生料带及其制备方法
本发明涉及一种高频低损耗低温共烧陶瓷生料带及其制备方法,该生料带由无机玻璃陶瓷料和有机流延体系两部分组成,其中无机玻璃陶瓷料由钙硅硼、硼硅酸盐复相玻璃陶瓷和成核剂组成;有机流延体系由溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂和除泡剂组...
周洪庆刘敏朱海奎吕安国
文献传递
硼硅酸玻璃对CaO-B_2O_3-SiO_2玻璃陶瓷结构和性能的影响被引量:6
2007年
采用在CaO-B2O3-SiO2(CBS)玻璃中添加硼硅酸玻璃的方式制备了低温烧结的CBS复相玻璃陶瓷,系统地研究了其对CBS玻璃陶瓷10MHz下的介电常数及热膨胀系数的影响规律。利用DSC,XRD和SEM微观结构分析方法,研究了试样的性能与结构的关系。研究结果表明:硼硅酸玻璃与CBS玻璃具有很好的相容性,硼硅酸玻璃的添加量在0~40%(质量分数,下同)的范围内均可在850℃烧结。硼硅玻璃能有效降低体系的介电常数,实现介电常数在5.6~6.6范围内可调;硼硅玻璃的添加量小于20%时,膨胀系数增加幅度较小,随着硼硅玻璃量的增加,膨胀系数显著增大,其原因是随着硼硅酸玻璃添加量的增加,生成了具有低介电常数、高膨胀系数的-αSiO2。
吕安国丘泰周洪庆刘敏杨春花沈朝忠
关键词:玻璃陶瓷介电性能热膨胀系数
低温烧结CaO-B_2O_3-SiO_2玻璃陶瓷及其性能被引量:2
2006年
在CaO-B_2O_3-SiO_2玻璃粉末中,通过添加助烧剂制备了CaO-B_2O_3-SiO_2(CBS)玻璃陶瓷材料。研究了助烧剂P2O5和ZnO的助烧作用、材料的介电性能和相组成、显微结构。分析认为,P2O5能促进低熔点玻璃相的形成,ZnO则可以提高玻璃相的粘度,扩大烧结温度范围,并防止试样变形,复合添加P2O5和ZnO可成功烧结CBS玻璃粉末;在CBS玻璃陶瓷材料中,包含有β-CaSiO3、α-SiO2和CaB2O4三种晶相,晶粒发育均匀,粒径分布较合理,大小为0.5μm左右;添加质量分数为2%的P2O5和0.5%的ZnO作烧结助剂,可制备10MHz下,εr为6.38,tanδ小于0.002的玻璃陶瓷材料;烧结温度低于900℃,可实现银、铜电极共烧,可用作LTCC材料。
吕安国丘泰刘敏周洪庆王美娜
关键词:助烧剂介电性能
不同形态SiO_2改性钙硅硼系微晶玻璃结构与性能被引量:2
2008年
分别研究了高硅氧玻璃(96wt%SiO2,非晶态)与二氧化硅(99wt%,石英相)的添加对CaO-SiO2-B2O3(CSB)微晶玻璃微观结构、烧结性能以及介电性能的影响。结果表明:不同形态SiO2的添加均可以有效地降低介电常数,同时高硅氧玻璃的引入增加了试样的介电损耗。添加15wt%SiO2、850℃低温烧结试样,在10MHz下,介电常数为6.01,介电损耗1.2×10^-3,且在5-40MHz频率范围内,介电常数随频率的变化不大。烧结试样的主要晶相为Quartz、CaSiO3和CaB2O4。
杨春花周洪庆刘敏吕安国朱海奎沈朝忠
关键词:高硅氧玻璃SIO2烧结性能介电性能
低温烧结硼硅钙复相微晶玻璃的结构和性能被引量:4
2007年
在硼硅钙(CaO–B_2O_3–SiO_2,CBS)玻璃中添加硼硅酸玻璃,低温烧结制备了CBS复相微晶玻璃。研究了硼硅酸玻璃的添量及烧成温度对CBS复相微晶玻璃性能的影响规律。用X射线衍射和扫描电镜微观结构分析方法研究了材料性能与结构的关系。结果表明:硼硅酸玻璃与CBS玻璃具有很好的相容性,硼硅酸玻璃的质量分数(下同)为10%~40%的范围内均可在850℃烧结。随着硼硅酸玻璃的引入,样品中生成了具有低相对介电常数(εr)和高热膨胀系数(α)的α-石英。硼硅酸玻璃有效降低了材料的εr,实现了εr在5.6~6.6范围内可调。硼硅酸玻璃的添量小于20%时,α增加幅度较小,随着硼硅玻璃添量进一步增加(30%~40%),α显著增大。烧成温度的升高可促使玻璃中晶体析出和长大且析出晶相具有比CBS玻璃低的εr,样品的εr随着烧成温度的升高呈下降趋势。
吕安国丘泰刘敏周洪庆朱海奎杨春花
关键词:微晶玻璃介电性能热膨胀性能
流延法制备两相玻璃复合基板研究
本文针对CaO-SiO-BO(CSB)玻璃与硼硅玻璃混合的无机粉料体系,探讨了流延料浆中的关键组元分散剂、粘结剂(PVB)、R值(塑性剂/粘结剂)对浆料流变性能的影响,研究流延瓷体结构与性能的关系。实验结果表明:对于50...
杨春花周洪庆刘敏吕安国沈朝忠
关键词:硼硅玻璃流延法流变性能
文献传递
共2页<12>
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