刘迎春
- 作品数：19 被引量：21H指数：3
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- 相关领域：电气工程一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- 硫化对Cu-In预制膜微结构的影响
- 2008年
- 采用电沉积-硫化法制备了CuInS2薄膜,考察了硫源温度对CuInS2薄膜微结构的影响,并分析了硫化过程中的反应动力学。采用扫描电子显微镜（SEM）和能谱仪（EDS）观察并分析了薄膜的表面形貌和组分,采用X射线衍射仪（XRD）表征了薄膜的组织结构。结果表明,硫化过程的生长动力学不同于硒化过程,CuInS2薄膜的生长遵循扩散机制,当硫源温度在300～340℃之间,均可制得单一黄铜矿相结构且沿（112）面择优取向生长的CuInS2薄膜,且硫源温度为340℃制备的CuInS2薄膜均匀、致密,晶粒尺寸约为1μm,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。
- 阎有花刘迎春方玲赵海花朱景森李德仁卢志超周少雄
- 涂覆装置
- 本发明属于涂覆领域，特别涉及一种涂覆装置。本发明提供的涂覆装置能够使用喷涂、刷涂、浸涂等多种涂覆方式，可以实现在可控气氛下的连续涂覆。本发明创造性的使用了涂覆带，可以使带材表面的液膜完整均匀，并且通过改变涂覆带的材料来控...
- 刘天成潘贇陈非非戴白杨贾春波刘迎春洪兴李广敏
- 文献传递
- 薄膜太阳能电池及其基带和制备方法
- 本发明涉及薄膜太阳能电池及其基带和制备方法。具体地说，本发明涉及一种薄膜太阳能电池基带，其包括：衬底层，其由合金材料组成；扩散阻挡层，其形成于所述衬底层的上面；和纯铜层，其形成于所述扩散阻挡层的上面。本发明还涉及所述薄膜...
- 胡小萍方玲刘迎春卢志超周少雄
- 文献传递
- 薄膜太阳能电池组件拼接组装方法和设备
- 本发明提供了一种拼接组装薄膜太阳能电池组件的方法，包括：将下层覆膜引导并连续地输出到被加热的输送表面上；将多个电池条带引导并相继地输出到下层覆膜上，每个电池条带具有导电的正面以及与该正面相反的背面，首先将第一个电池条带与...
- 卢志超方玲周少雄李德仁朱景森刘迎春阎有花邓俊民张博王冰
- 文献传递
- Fe_(64.7)Co_6Cr_(2.3)Mo_(2.5)B_(5.5)C_7Si_(3.3)P_(8.7)块体非晶合金的磁致伸缩特性被引量：1
- 2017年
- 采用铜模吸铸法制备了直径2mm的Fe_(64.7)Co_6Cr_(2.3)Mo_(2.5)B_(5.5)C_7Si_(3.3)P_(8.7)块体非晶合金,其玻璃转变温度T_g、超冷液相区间ΔTx(=T_(x1)-T_g)、约化玻璃转变温度T_(rg)(=T_g/Tl)和玻璃形成能力参数γ(=T_(x1)/(T_g+Tl))分别为754,25K、0.595和0.3855。利用真空热处理炉分别在733K(T_(x1))温度对块体非晶合金进行了等温退火,采用自制的电容法磁致伸缩测量装置测试了不同退火状态下的磁致伸缩特性,显示该非晶合金淬态下饱和磁致伸缩系数λ_s为9×10^(-6),随着退火温度的升高λ_s出现了先增后减的变化,磁致伸缩曲线形状也发生先变窄后变宽的变化。在733K退火样品的软磁性能最好,饱和磁致伸缩系数λ_s(=12×10^(-6))最高。
- 倪晓俊薄希辉李准刘迎春李德仁卢志超
- 关键词：块体非晶合金磁性能磁致伸缩
- 硫化温度对CuInS_2吸收层薄膜微结构的影响被引量：4
- 2008年
- 摘要：采用电沉积一硫化法制备了CuInS2（CIS）薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和能谱仪（EDS）等实验手段对CIS薄膜的晶体结构、形貌和，组分进行了表征。结果表明：在500～560℃硫化温度范围内制备的CIS薄膜表面均生成金属性Cu2S二元相，后续的KCN刻蚀处理CuxS二元相可去除。硫。化温度为540℃制得的CIS薄膜高质量结晶、具有[112]择优取向，适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。
- 阎有花刘迎春方玲赵海花李德仁卢志超周少雄
- 关键词：硫化温度
- 硫分压对光吸收层CuInS_2薄膜性能的影响被引量：3
- 2009年
- 在不同硫分压r(r=Sn/[N2+Sn])下,采用Cu-In预制膜硫化法制备了CuInS2薄膜。用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、霍尔测试仪、紫外-可见光分光光度计对薄膜的表面形貌、结构、电学、光学性能进行了表征分析。结果表明:随着r增加,薄膜的结晶质量提高,当r=1/2时,晶粒大小如一,粒度保持在1μm左右,沿[112]晶向择优生长,载流子浓度为5.6×1016cm-3,光学带隙在1.53eV左右。
- 阎有花刘迎春方玲卢志超周少雄李正邦
- 关键词：硫化法微结构
- 带有绝缘涂层的非晶纳米晶带材的制备方法及产品
- 本发明属于绝缘材料技术领域，特别涉及带有绝缘涂层的非晶纳米晶带材的制备方法及产品。使用本发明方法得到的产品的绝缘性能好，绝缘涂层厚度小，叠片系数高，在较低的涂层厚度下仍然能够达到工艺要求。本发明方法还具有工艺简单、成本低...
- 刘迎春卢琳刘天成陈非非潘贇贾春波李广敏
- 电沉积/硫化法制备CuInS_2薄膜微结构研究被引量：3
- 2010年
- 以电沉积制备的Cu-In预制膜为衬底材料,硫粉为原料,尝试了Cu-In预制膜以一定速度移动的特殊硫化方法。采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构,并分析了硫化中的反应动力学过程。结果表明:Cu-In预制膜由CuIn和CuIn2混合相组成,由其形成的CIS薄膜中除了CuInS2相以外,还出现CuxS二元相。KCN刻蚀处理去除表层的CuxS相后,底层的CuInS2薄膜具有黄铜矿相结构,与基底附着性较好。当速度为3.3v0时,CuInS2薄膜高质量结晶,薄膜均匀、致密,组分接近化学计量比,沿(112)面择优取向生长,适合于制备CIS太阳能电池吸收层。
- 阎有花刘迎春方玲李德仁卢志超周少雄李正邦
- 关键词：微结构
- 氧对CIS薄膜太阳能电池开路电压的影响
- 2010年
- 采用硫化Cu-In前驱膜的方法制备CuInS2薄膜,通过分析CIS薄膜制备过程中不同阶段样品中的氧,讨论了氧的来源及其存在形态,以及对CIS层开路电压可能造成的影响。用扫描电镜(SEM)和能量色散谱仪(EDS)研究前驱膜的形貌及其成分,用X射线衍射仪(XRD)表征薄膜的结构,用俄歇电子能谱(AES)对硫化薄膜中各元素沿深度方向的分布进行了检测,最后用I-V测试仪对硫化膜的开路电压进行测量。结果表明,CuInS2薄膜中的氧来源于Cu-In前驱膜,氧主要以Cu2In2O5的形式存在于CIS/Cu-In界面处,由于氧化物在硫化反应过程中影响了Cu和In向外表面的扩散,从而影响了CIS薄膜的成分和CIS太阳能电池的性能。
- 侯立婷刘迎春方玲胡小萍朱景森阎有花李艳萍卢志超周少雄
- 关键词：硫化氧太阳电池
