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雷玮
作品数:
7
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供职机构:
华东师范大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
朱自强
华东师范大学信息科学技术学院
张宁
华东师范大学
郭方敏
华东师范大学信息科学技术学院
郁可
华东师范大学
王有平
华东师范大学
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中国科学院
作者
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雷玮
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朱自强
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王有平
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郁可
3篇
郭方敏
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张宁
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陆卫
1篇
曹福全
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褚君浩
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胡大鹏
传媒
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功能材料
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激光与红外
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2009
4篇
2008
2篇
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Al0.15Ga0.85As/GaAs与In0.15Ga0.85As/GaAs甚长波QWIPs响应率的仿真对比
对 InGaAs/GaAs 和 AlGaAs/GaAs 两种甚长波段量子阱红外探测器(QWIP)响应率进行计算.采用物理模型与等效电路模型,结合 Crosslight 和 Spice 等软件详细表征了这两种 QWIPs ...
雷玮
郭方敏
陆卫
关键词:
ALGAAS/GAAS
INGAAS/GAAS
文献传递
一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器
本发明涉及一种基于宏观尺度ZnO单晶材料的气体传感器,属于传感器制造的技术领域。包括:基底、金属电极层、传感导电体和外接电路,其中传感导电体为宏观尺度ZnO单晶材料,通过热蒸发法大规模生产的宏观尺度ZnO单晶材料,该材料...
张宁
郁可
雷玮
王有平
曹福全
朱自强
文献传递
InGaAs/InP雪崩光电探测器异质结结构优化分析
2008年
根据一个吸收层、电荷层和倍增层分立结构(SACM)的InGaAs/InP雪崩光电探测器,减薄电荷层的厚度而引入渐变层,保持材料与厚度不变,改进成吸收层、电荷层、过渡层与倍增层分立结构(SAGCM)的雪崩光电探测器,优化了吸收层与倍增层间材料的异质结结构。采用APSYS软件对其能带结构、电场分布以及暗电流和1.55μm的脉冲光响应电流、增益等进行仿真与计算。对比两种器件的性能,结果分析表明,改进后的器件获得更低的穿通值电压,降低探测器在低偏压下的漏电流,同时得到更大的增益。
雷玮
郭方敏
胡大鹏
朱自强
褚君浩
关键词:
雪崩光电探测器
暗电流
增益
新型微纳光电探测器模型及其特性分析
Ⅲ-Ⅴ族量子阱红外探测器(QWIP)、雪崩光电探测器(APD)、谐振腔增强探测器(RCE-PD)光电导器件在不同的应用领域发挥重要的作用。在研究中,理论计算与仿真是指导实验的便捷路径,也是检验实验的方式之一,具有不可或缺...
雷玮
关键词:
微光技术
光电探测
量子阱器件
文献传递
一种肖特基二极管
本发明涉及一种新型的肖特基二极管,属于半导体器件制造技术领域。本发明提供的肖特基二极管包括:衬底、银电极层和单根超长ZnO纳米杆单晶材料。其中,银电极层设置在衬底上,超长ZnO杆状单晶材料粘结在银电极层上,电极层相互之间...
张宁
郁可
王有平
雷玮
张磊兢
朱自强
文献传递
Al0.15Ga0.85As/GaAs与In0.15Ga0.85As/GaAs甚长波QWIPs响应率的仿真对比
2007年
对In0.15Ga0.85As/GaAs和Al0.15Ga0.85As/GaAs两种甚长波段量子阱红外探测器(QwIP)响应率进行计算。采用物理模型与等效电路模型,结合Crosslight和Spice等软件详细表征了这两种QWIPs的吸收系数、暗电流、响应率、量子效率等物理特性。结果表明随外加偏压的升高QWIP的响应率增加,T=40K时,In0.15Ga0.85As/GaAs QwIP的响应率明显比Al0.15Ga0.85As/GaAs QWIP高出2倍以上,通过对量子效率的对比,使仿真结果得到验证。
雷玮
郭方敏
陆卫
关键词:
INGAAS/GAAS
一种肖特基二极管
本发明涉及一种新型的肖特基二极管,属于半导体器件制造技术领域。本发明提供的肖特基二极管包括:衬底、银电极层和单根超长ZnO纳米杆单晶材料。其中,银电极层设置在衬底上,超长ZnO杆状单晶材料粘结在银电极层上,电极层相互之间...
张宁
郁可
王有平
雷玮
张磊兢
朱自强
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