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王月青

作品数：15 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 13篇存储器
  • 12篇相变存储
  • 12篇相变存储器
  • 4篇相变
  • 4篇相变材料
  • 3篇脉冲
  • 3篇存储阵列
  • 2篇电流
  • 2篇硬盘
  • 2篇数据擦除
  • 2篇总线
  • 2篇阈值
  • 2篇物理地址
  • 2篇响应速度
  • 2篇小电流
  • 2篇芯片
  • 2篇逻辑地址
  • 2篇接口
  • 2篇晶态
  • 2篇块管理

机构

  • 15篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 15篇宋志棠
  • 15篇陈一峰
  • 15篇王月青
  • 10篇陈小刚
  • 8篇蔡道林
  • 7篇王玉婵
  • 5篇陈后鹏
  • 5篇魏宏阳
  • 4篇周密
  • 4篇许林海
  • 3篇李喜
  • 3篇饶峰
  • 3篇卢瑶瑶
  • 2篇李顺芬
  • 2篇李鸽子
  • 2篇刘波

传媒

  • 2篇半导体光电

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统
本发明提供一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统，所述管理系统包括SATA接口控制器、微处理器、DRAM内存、本地总线、闪存控制器、及NAND闪存，所述固态硬盘内部管理系统中还包括PCRAM缓存，所述PCRA...
李顺芬陈小刚王玉婵周密李鸽子王月青陈一峰许林海陈后鹏宋志棠
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基于相变存储器器件单元的电流脉冲测试系统被引量：1
2014年
相变存储器单元的测试主要包括set、reset和read操作,目前国内外多采用施加电压脉冲的方法对相变存储单元进行reset操作,这不仅容易造成器件的损坏,而且使得相变过程中瞬态电流的准确计算非常困难。与常规测试方法不同,文章提出一种专门针对相变存储器的电流脉冲测试系统,该系统可以提供准确可控的电流脉冲来对相变存储器器件单元进行操作。
王玉婵陈小刚宋志棠陈一峰王月青陈后鹏饶峰
关键词：相变存储器SETRESET电流脉冲测试系统
相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法
本发明提供一种相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法，所述单元的写初始化方法包括如下步骤：S1：采用初始化写脉冲操作相变存储器单元，在所述相变存储器单元中形成非晶区域；所述非晶区域大于相变存储器默认写脉冲产生...
王月青蔡道林陈一峰宋志棠魏宏阳霍如如
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相变存储器及其制备方法
本发明提供一种相变存储器及其制备方法，其中，所述相变存储器至少包括：下电极，所述下电极呈阵列式排布；位于所述下电极上的下加热电极；位于多个下加热电极上的相变材料层，所述相变材料层呈条状等间距排布；位于所述下加热电极上方位...
王玉婵陈小刚陈一峰王月青宋志棠刘波
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相变存储器及其制备方法
本发明提供一种相变存储器及其制备方法，其中，所述相变存储器至少包括：下电极，所述下电极呈阵列式排布；位于所述下电极上的下加热电极；位于多个下加热电极上的相变材料层，所述相变材料层呈条状等间距排布；位于所述下加热电极上方位...
王玉婵陈小刚陈一峰王月青宋志棠刘波
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存储设备及其数据读写方法
本发明提供一种存储设备及其数据读写方法，其中，所述存储设备至少包括：相变存储器芯片；耦合到所述相变存储器芯片的相变存储器接口控制模块；耦合到外部设备的SD接口控制模块；以及耦合到所述相变存储器接口控制模块和所述SD接口控...
王月青陈小刚蔡道林宋志棠李喜陈一峰
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相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法
本发明提供一种相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法，所述单元的写初始化方法包括如下步骤：S1：采用初始化写脉冲操作相变存储器单元，在所述相变存储器单元中形成非晶区域；所述非晶区域大于相变存储器默认写脉冲产生...
王月青蔡道林陈一峰宋志棠魏宏阳霍如如
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一种具有保持力测试功能的相变存储器
本发明提供一种具有保持力测试功能的相变存储器，包括：对行地址信号进行译码以开启存储阵列相应字线的行译码器单元；对列地址信号进行译码的列译码器单元；输出测试电压/电流信号的电压源/电流源单元；开启存储阵列中相应位线，并将测...
蔡道林陈一峰宋志棠王月青霍如如魏宏阳卢瑶瑶
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基于硫系化合物的浪涌保护器件及其制备方法
本发明提供了一种基于硫系化合物的浪涌保护器件，该浪涌保护器件包括下电极（2）、位于该下电极（2）上的下加热电极（3）、位于下加热电极（3）上的硫系化合物薄膜（5）以及位于所述硫系化合物薄膜（5）上的上电极（6）；所述硫系...
陈小刚饶峰王玉婵陈后鹏陈一峰许林海宋志棠周密王月青
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一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构
本发明提供一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构，所述结构至少包括：相变基体材料层和形成在所述相变基体材料层中心区域的掺杂层。通过使中心区域的掺杂层结晶温度升高，来抑制非晶态的中心区域在小电流干扰下结晶，从而提高相...
卢瑶瑶蔡道林陈一峰宋志棠王月青魏宏阳霍如如
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共2页<12>
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