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杨长

作品数：10 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：上海市科学技术发展基金国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 4篇随机存储器
  • 4篇纤锌矿
  • 4篇纤锌矿结构
  • 4篇存储器
  • 3篇电阻
  • 2篇单极性
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇导电性
  • 2篇电场
  • 2篇电场作用
  • 2篇电压
  • 2篇电压扫描
  • 2篇多元合金
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇元器件
  • 2篇生物医学
  • 2篇生物医学研究
  • 2篇石英玻璃
  • 2篇探测器

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇李效民
  • 10篇杨长
  • 9篇张亦文
  • 8篇于伟东
  • 7篇曹逊
  • 5篇刘新军
  • 5篇杨蕊
  • 2篇王群
  • 2篇高相东
  • 1篇古彦飞
  • 1篇赵俊亮

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇2013
  • 2篇2011
  • 4篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2006
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种异质pn结型日盲紫外探测器
本发明公开了一种异质pn结型日盲紫外探测器，其结构自上而下依次由顶电极，锌铍镁氧薄膜，p－Si衬底和底电极叠置而成。锌铍镁氧薄膜作为光电响应材料，其分子式为Zn<Sub>1－x－y</Sub>Be<Sub>x</Sub>...
李效民杨长高相东张亦文曹逊
文献传递
籽晶层对喷雾热分解法生长ZnO薄膜结晶质量和光电性能的影响被引量：5
2006年
通过脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上沉积一层高质量的ZnO籽晶层,在籽晶层上进一步采用超声喷雾热分解(USP)法生长ZnO薄膜,研究了籽晶层对ZnO薄膜结晶质量和ZnO/Si异质结光电特性的影响。研究结果表明,在籽晶层的诱导作用下,USP法生长ZnO薄膜由多取向结构变为(002)单一取向,结晶性能得到了显著改善;籽晶层上生长的薄膜呈现出垂直于衬底生长的柱状晶结构,微观结构更加致密。通过研究紫外光照前后ZnO/Si异质结的整流特性,发现引入籽晶层后,反向偏压下异质结的光电响应显著增加,并且在开路状态下出现明显的光伏效应。
赵俊亮李效民古彦飞于伟东杨长
关键词：ZNO薄膜喷雾热分解法光电性能
电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的调控
本发明涉及在同一种存储结构中实现和调控多种电阻转变方式的方法，包括单/双极性电阻转变和两种方向的双极性电阻转变，所述的电阻转变方式均可用于电阻式随机存储器。本发明中的存储结构为多层薄膜结构，包括顶电极、阻变层和底电极。顶...
李效民杨蕊于伟东刘新军曹逊王群张亦文杨长
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一种异质pn结型日盲紫外探测器
本发明公开了一种异质pn结型日盲紫外探测器，其结构自上而下依次由顶电极，锌铍镁氧薄膜，p-Si衬底和底电极叠置而成。锌铍镁氧薄膜作为光电响应材料，其分子式为Zn<Sub>1-x-y</Sub>Be<Sub>x</Sub>...
李效民杨长高相东张亦文曹逊
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用于电阻式存储器的电诱发电阻材料及其制备方法
本发明涉及一种用于电阻式存储器的本征及掺杂钛酸锶薄膜电诱发电阻材料及其制备方法。提供了具有电诱发电阻转变特性的本征及掺杂钛酸锶SrA<Sub>x</Sub>Ti<Sub>1－x</Sub>O<Sub>3</Sub>及制备...
张亦文于伟东李效民刘新军曹逊杨蕊杨长
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禁带宽度连续可调的多元合金氧化物薄膜材料及制备方法
本发明公开了一种禁带宽度连续可调的多元合金氧化物薄膜材料及制备方法，特征在于所述的薄膜材料的组成为Zn<Sub>1－x－y</Sub>Be<Sub>x</Sub>Mg<Sub>y</Sub>O，其中x、y为摩尔分数，且0...
杨长李效民于伟东张亦文
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禁带宽度连续可调的多元合金氧化物薄膜材料及制备方法
本发明公开了一种禁带宽度连续可调的多元合金氧化物薄膜材料及制备方法，特征在于所述的薄膜材料的组成为Zn<Sub>1-x-y</Sub>Be<Sub>x</Sub>Mg<Sub>y</Sub>O，其中x、y为摩尔分数，且0...
李效民杨长于伟东张亦文
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电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的调控
本发明涉及在同一种存储结构中实现和调控多种电阻转变方式的方法，包括单/双极性电阻转变和两种方向的双极性电阻转变，所述的电阻转变方式均可用于电阻式随机存储器。本发明中的存储结构为多层薄膜结构，包括顶电极、阻变层和底电极。顶...
李效民杨蕊于伟东刘新军曹逊王群张亦文杨长
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氧化锌基同质结构的透明RRAM元器件及制作方法
本发明涉及一种氧化锌基同质结构的透明电阻式随机存储器(RRAM)元器件及制作方法。所述的存储元器件是在石英玻璃衬底上由依次制备的“电极层/阻变氧化物层/电极层”三明治结构构成。其中，电极层材料为ZnO基掺杂的透明导电薄膜...
李效民曹逊于伟东杨长张亦文刘新军杨蕊
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氧化锌基同质结构的透明RRAM元器件及制作方法
本发明涉及一种氧化锌基同质结构的透明电阻式随机存储器(RRAM)元器件及制作方法。所述的存储元器件是在石英玻璃衬底上由依次制备的“电极层/阻变氧化物层/电极层”三明治结构构成。其中，电极层材料为ZnO基掺杂的透明导电薄膜...
李效民曹逊于伟东杨长张亦文刘新军杨蕊
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