您的位置： 专家智库 > >

杨军杰

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 2篇信息存储
  • 2篇信息存储技术
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁层
  • 2篇铁电
  • 2篇钽
  • 2篇磁化
  • 2篇磁化强度
  • 2篇磁记录
  • 1篇电子显微术
  • 1篇多铁性
  • 1篇氧化物
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇微结构
  • 1篇微结构研究
  • 1篇锰氧化物
  • 1篇P-N结
  • 1篇铁
  • 1篇磁电
  • 1篇磁电耦合

机构

  • 4篇清华大学

作者

  • 4篇杨军杰
  • 3篇赵永刚
  • 2篇李培森
  • 2篇曲天良
  • 2篇张森
  • 1篇章晓中
  • 1篇王嘉维
  • 1篇于奕

传媒

  • 1篇电子显微学报

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件
本发明涉及一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件，属于信息存储技术领域。存储器件由第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层组成。第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层由上而下依次重叠。第一金层的厚度为200-300...
赵永刚张森杨军杰李培森曲天良
文献传递
多铁性HoMnO3外延薄膜的微结构研究
2013年
多铁性六方锰氧化物RMnO3(R=Y,Ho-Lu)具有丰富的结构与物理内涵,是近年来凝聚态物理与材料科学领域的研究热点。本文利用透射电子显微术对钇稳定氧化锆(yttria-stabilized zirconia,YSZ)基底上外延生长的HoMnO3薄膜的微结构进行表征。研究结果表明,c轴取向的HoMnO3薄膜可以在YSZ(111)基底上实现良好的外延。薄膜中的主要缺陷为异相边界(out-of-phase boundary,OPB)。OPB的产生归因于表面台阶机制和形核层机制。OPB缺陷处会出现化学计量比失衡,实验上观察到富Ho和富Mn两种类型的OPB,这些化学计量比失衡的缺陷会对薄膜的电学性能产生影响。本文研究结果有助于深入理解六方锰氧化物薄膜结构与物理性能之间的关系。
于奕章晓中杨军杰王嘉维赵永刚
关键词：多铁性透射电子显微术
多铁异质结构电、磁特性的调控
杨军杰
关键词：磁电耦合P-N结MULTIFERROIC
一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件
本发明涉及一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件，属于信息存储技术领域。存储器件由第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层组成。第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层由上而下依次重叠。第一金层的厚度为200-300...
赵永刚张森杨军杰李培森曲天良
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0