张耿
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 不同溅射气体对a-IGZO TFT特性的影响被引量：1
- 2012年
- 采用脉冲直流(Pulsed DC)方式和不同的单组份气体(Ar、O2、N2)溅射制作IGZO,研究了缺氧(Ar)、富氧(O2)、氧替代(N2)三种情形下的IGZO-TFT特性。通过AES、XRD、AFM等分析手段,考察了不同气体制备的IGZO膜以及相应靶材的成分及结构,发现不同的溅射气体对IGZO膜的成分比例和电学结构具有重要的影响。实验结果表明,Ar-IGZO TFT在退火后具有良好的特性,S值为1 V/dec,迁移率可达8.3 cm2/Vs,开关比Ion/Ioff≥105。
- 张耿王娟向桂华蔡君蕊孙庆华赵伟明
- 关键词：薄膜晶体管
- 填充材料与后处理对印刷型碳纳米管冷阴极的影响被引量：1
- 2008年
- 采用丝网印刷法制备了由不同填充材料组成的碳纳米管冷阴极,并采用电场处理来改善其场致发射性能。采用扫描电子显微镜对处理前后样品的表面进行表征,结果表明了电场处理会使阴极中的碳纳米管暴露出来。通过优化填充材料并结合阴极的后处理,我们得到了低电压工作下的均匀发射,并实现了在二极结构场发射显示器中的可寻址显示。
- 张耿陈文礼段春艳陈军邓少芝许宁生
- 关键词：碳纳米管场致发射后处理
- 不同光刻胶作保护层对a-IGZO TFT性能的影响被引量：1
- 2012年
- 采用脉冲直流溅射的方式沉积IGZO膜层作为底栅结构TFT的有源层,并在背沟道上涂覆不同类型的光刻胶作为保护层,探讨不同保护层对器件电学特性的影响。经考察发现:采用光刻胶作为保护层时,保护层制作后短期内可维持器件的电学特性基本不变;但涂胶后暴露在空气中一定时间后,器件的电学特性开始衰退,尤其是阈值电压变化较明显,器件工作模式由增强型变为耗尽型,并推断光刻胶中溶剂接触到背沟道中IGZO,其化学反应导致沟道中氧脱附,载流子浓度增加。实验还发现:使用SU-8负性光刻胶作为保护层的器件,其电学特性衰退较小,在空气中放置一段时间后表现最稳定。
- 张耿王娟向桂华蔡君蕊孙庆华赵伟明
- 关键词：光刻胶保护层SU-8
