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张纪才: 作品数：34 被引量：32H指数：3; 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

衬底、半导体器件及衬底制作方法: 本申请公开了一种衬底、半导体器件及衬底制作方法，该衬底包括蓝宝石衬底、以及形成于蓝宝石衬底上的图形化的AlN薄膜。该半导体器件包括所述的衬底、以及形成于所述衬底上的外延层。衬底的制作方法包括：先蒸镀掩膜材料，然后再进行干...; 李雪威张纪才王建峰徐科; 文献传递

AlN上的欧姆接触电极结构及其制作方法: 本发明公开了一种在AlN上形成的欧姆接触电极结构及其制作方法。在一些实施方案中，一种在AlN上制作欧姆接触电极结构的方法包括：在的AlN基材上形成金属电极结构，获得AlN/金属接触结构；以及，直接将所述AlN/金属接触结...; 张纪才李雪威王建峰徐科; 文献传递

离子注入GaN的拉曼散射研究被引量：7: 2002年; 研究了离子注入前后GaN的拉曼散射光谱 ,特别是其中几个在各种离子注入后都存在的拉曼散射峰 ,如 2 98,36 2和 6 6 1cm- 1 峰的性质 ,峰值强度随注入元素原子量、注入剂量和退火温度的变化关系 .上述三个拉曼散射峰的强度都随注入元素原子量的增加而降低 .当注入剂量增大时 ,36 2和 6 6 1cm- 1 峰值强度减少 ,而 2 98cm- 1 峰值强度却增大 .随退火温度的升高 ,这三个拉曼散射峰的强度先增加后降低 .对所观察到的实验现象和这三个峰的起源进行了分析和讨论 .; 张纪才戴伦秦国刚应丽贞赵新生; 关键词：离子注入 GAN 拉曼散射氮化镓

一种半极性AlN模板: 本发明公开了一种半极性AlN模板，其具有半极性显露面，并且包含有<Image file="DDA0000939248930000011.GIF" he="84" imgContent="drawing" imgForma...; 张纪才刘婷王建峰徐科; 文献传递

GaN生长速率的研究被引量：3: 2005年; 采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不同NH3流量的情况下,GaN生长速率随TMGa流量增加的速率不同.GaN的生长速率与Ⅴ/Ⅲ比没有直接的关系,而与NH3,TMGa等条件有关.实验结果表明,MOCVD系统中存在着较强的预反应.预反应的程度与TMGa的流量成正比.; 金瑞琴赵德刚刘建平张纪才杨辉; 关键词：MOCVD GAN 生长速率

Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响被引量：1: 2002年; 对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入 ,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响 .当退火温度升高时 ,不管是哪一组样品 ,其黄光强度和黄光强度与带边发光带强度之比都是增强的 .无黄光的GaN样品在注入Si离子并经退火后出现明显的黄光 ;而有强黄光的GaN样品经相同处理后 ,其黄光强度较原生样品大大降低 .实验结果表明离子注入加上适当退火会在GaN中引入与黄光有关的深受主缺陷从而使黄光强度增加 ,此外 ,在离子注入过程中GaN表面不仅可以吸附离子注入引入的点缺陷 ,而且还能够吸附GaN中原有的与黄光有关的点缺陷 ,这种吸附作用随离子注入剂量增加而变强 .; 张纪才戴伦秦国刚; 关键词：GAN 离子注入光致发光谱

AlGaN中应变状态的研究: 本文用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的Al<,x>Ga<,1-x>N外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子(f<,coh>)在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,...; 张纪才王建峰王玉田杨辉; 关键词：X射线衍射 ALGAN 卢瑟福背散射; 文献传递

AlN:Er薄膜在不同退火温度下应力诱导的微观结构演变被引量：3: 2016年; 以透射电镜中的弱束衍衬成像和高分辨相位衬度成像为主要表征手段,辅以X射线衍射、拉曼光谱等测试方法,对Al N:Er样品在退火过程中的微观结构演变过程进行了深入分析。在透射电镜观察下,Er离子注入的Al N样品在退火前存在三个区域:区域Ⅰ为自表面以下约30 nm深度;区域Ⅱ为区域I以下约50 nm深度;区域Ⅲ为区域Ⅱ以下的部分,其中区域Ⅱ为损伤最为严重的区域。在较低的温度(如1025℃时)退火后,区域Ⅰ消失;但1200℃退火后,又重新可以观察到区域Ⅰ。结合TEM、XRD和Raman测试结果,从损伤恢复和应力释放的角度对上述实验现象进行了理论解释:由于Er离子半径和基体原子半径的差异,在区域Ⅱ中引入较大的应力;在1025℃退火时,来自区域Ⅱ的应力作用于区域Ⅰ,导致区域I发生大的晶格扭曲,和区域II合并,用TEM观察不到;在1200℃退火时,应力在表面释放,区域I的晶格扭曲修复,从而用TEM可重新观察到。; 阳明明莫亚娟王晓丹曾雄辉刘雪华黄俊张纪才王建峰徐科; 关键词：离子注入

Pr^(3+),Tm^(3+)共注入氮化铝薄膜的光谱特性: 2016年; 采用离子注入的方法在氮化铝薄膜中实现Pr3+和Tm3+元素的单掺杂和共掺杂。以Raman光谱为主要表征手段,对离子注入过程中薄膜内部的应力变化进行研究;以阴极荧光为主要表征手段,对其低温和室温下的发光特性进行研究。Raman光谱的结果显示,离子注入过程使得薄膜内部应力下降,而退火过程使得薄膜内部应力升高。阴极荧光光谱结果显示,Al N∶Pr3+主要跃迁峰位于528 nm;Al N∶Tm3+主要跃迁峰位位于467 nm;Al N∶Pr3+,Tm3+主要跃迁峰位位于528 nm和467 nm。Al N∶Tm3+的低温光谱显示,与1I6和1D2两个能态相关的跃迁峰相对强度会随着温度出现急剧变化,由此表明在Tm3+之间存在与温度相关的相互作用。; 阳明明王晓丹曾雄辉郭昀张纪才徐科; 关键词：氮化铝薄膜光谱特性