张岱南
- 作品数：84 被引量：26H指数：3
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省科技计划项目中央高校基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于跳变检错结构的时序错误检测单元
- 一种基于跳变检错结构的时序错误检测单元，涉及集成电路技术领域。包括时序检测部分和数据采样部分，其中时序检测部分只用8个MOS晶体管就能实现时序错误检测，结构简单，面积开销小；且数据采样部分采用了电平有效的锁存器，所以不会...
- 贺雅娟杨家兴张子骥张岱南邢彦衣溪琳张波
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- 一种具有宽频吸收特性的透吸一体三维频率选择吸波体
- 本发明属于吸透一体材料技术领域，涉及频率选择表面雷达吸波体(Frequency Selective Rasorber，FSR)，具体提供一种具有宽频吸收特性的透吸一体三维频率选择吸波体。本发明由上方的三维吸收结构与底部的...
- 樊亮晨廖宇龙李元勋向全军张岱南武琰杰
- 可拉伸式双面超宽带太赫兹吸波材料及其制备方法
- 本发明提供一种可拉伸式双面超宽带太赫兹吸波材料及其制备方法，包括可拉伸粘合剂层，可拉伸粘合剂层的上方设有上层石墨烯泡沫层，可拉伸粘合剂层的下方设有下层石墨烯泡沫层，上、下两层石墨烯泡沫层形状及大小完全一致并错位堆叠，上层...
- 文岐业汪璐张岱南梁博杨青慧陈智张怀武朱韵樵张豪
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- 一种电压可调控的各向异性磁阻传感器及其制备方法
- 一种电压可调控的各向异性磁阻传感器及其制备方法，属于自旋电子传感器技术领域。所述磁阻传感器包括基片，以及依次形成于基片之上的[非磁性金属氧化薄膜/磁性调控层/磁性响应层]<Sub>n</Sub>的多层薄膜和非磁性重金属薄...
- 金立川何昱杰张岱南贾侃成张怀武唐晓莉钟智勇白飞明
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- 一种三维花状体锌硫镉光催化材料及其制备方法和应用
- 一种三维花状体锌硫镉光催化材料及其制备方法和应用，属于半导体光催化材料技术领域。所述锌硫镉光催化材料为Cd<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1‑x</Sub>S，x＝0.2～0.8，形貌为三维分等级花状结构，单个花体...
- 向全军程蕾张怀武廖宇龙张岱南金立川李颉
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- 一种高Q值MgZrNb<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>基微波介质陶瓷材料及其制备方法
- 一种高Q值MgZrNb<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>基微波介质陶瓷材料，属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域。所述陶瓷材料的结构式为MgZr<Sub>1‑x</Sub>Ti<Sub>x</Sub...
- 刘成张兴张岱南杨青慧李元勋李颉张怀武
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- 一种基于磁偶极作用的自旋波异或逻辑门结构
- 本发明提供的基于磁偶极作用的自旋波异或逻辑门结构，属于自旋波逻辑器件技术领域。具体包括Y字形自旋波波导，连接Y字形自旋波波导两个分叉端的相移自旋波波导，和位于相移自旋波波导的侧面的铁磁层；相移自旋波波导独立传播两个自旋波...
- 钟智勇郑磊金立川张岱南唐晓莉文天龙廖宇龙张怀武
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- 一种适用于近阈值和亚阈值的低漏电标准单元的设计方法
- 适用于近阈值和亚阈值的低漏电标准单元的设计方法，属于数字集成电路技术领域。选取预定尺寸的标准器件搭建反相器并计算标准器件的N/P漏电比；搭建标准单元电路并将标准单元电路的漏电流和延时从其来源进行划分，计算得到标准单元电路...
- 贺雅娟史兴荣张子骥张岱南衣溪琳何进张波
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- 一种纳米氧化铜的制备方法
- 一种纳米氧化铜的制备方法，属于无机纳米材料制备技术领域。包括以下步骤：1)在三聚磷酸盐为模板添加剂的条件下，铜盐与氢氧化物反应生成氢氧化铜沉淀；2)步骤1)得到的氢氧化铜沉淀经水热反应生成黑色沉淀；3)步骤2)得到的黑色...
- 陈苑明向钦莹何为张岱南何雪梅王守绪张怀武周国云王翀
- 三维分等级花状Cd0.8Zn0.2S的结构调控及其光催化CO2还原被引量：6
- 2021年
- 近年来,光催化CO2还原被视为一种既能解决能源短缺又能减少温室气体,改善人类生存环境的绿色新型技术.然而,由于CO2气体的相对稳定性,构建高催化活性和高选择性的催化体系仍然面临着巨大挑战.锌硫镉固溶体作为一种廉价的固溶类材料,具有吸光范围适宜、化学性质稳定以及能带结构可调控等特点,在光催化还原CO2的方面表现出巨大的潜力.本文发展了一种简单的原位自组装法合成三维分等级花状结构的Cd0.8Zn0.2S,主要包括Cd^2+和Zn^2+离子在含硫氛围下自组装成核状前体,然后以柠檬酸钠作为形貌诱导剂进一步组装生长,同时控制Cd2+/Zn2+摩尔比和反应时间以实现三维分等级花状Cd0.8Zn0.2S的合成.结果表明,三维分等级花状结构的Cd0.8Zn0.2S在光催化还原CO2的过程中表现出优异的催化活性和稳定性.其中,在光照3 h后,CO产量达到41.4μmol g^−1,大约是相同光照条件下Cd0.8Zn0.2S纳米颗粒的三倍(14.7μmol g^−1).此外,三维分等级花状结构的Cd0.8Zn0.2S在光催化过程中展现出对光催化产物CO的较高选择性(89.9%),其中在没有任何牺牲剂或共催化剂作用下的TON为39.6.太赫兹时域光谱(THz-TDS)表明,这种三维分等级花状结构的Cd0.8Zn0.2S相较于Cd0.8Zn0.2S纳米颗粒更有利于对光的吸收,从而提高对光的有效利用率.原位漫反射傅立叶变化红外光谱表征分析揭示了三维分等级花状结构的Cd0.8Zn0.2S在光催化过程中表面吸附物质以及光催化还原中间体的存在及转化.通过实验数据和理论机理预测表明,该种三维分等级花状结构的Cd0.8Zn0.2S具有较高的电流密度和较好的载流子传输能力.基于这种三维的花状结构,使得Cd0.8Zn0.2S具有较大的比表面积和吸附位点,进一步提升体系的CO2吸附性能和光生电子的转移效率,从而有效提高光催化CO2还原的活性.
- 程蕾张岱南廖宇龙范佳杰向全军
- 关键词：高选择性可见光
