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含纳米粒子溶液对单晶硅表面的冲蚀磨损损伤实验研究被引量：8: 2006年; 利用高分辨透射电子显微镜和原子力显微镜观察了含纳米颗粒溶液冲蚀硅片表面损伤行为,考察了纳米颗粒碰撞单晶硅片所导致的微观物理损伤.结果表明:冲蚀30 s后,在高分辨透射电子显微镜下可见硅片表面呈现方向性损伤,并可观察到大量非均匀的晶格缺陷;当冲蚀10 m in时,硅片表面出现微观划痕和凹坑,在划痕一端可见原子堆积,亚表面可观察到镶嵌晶粒的非晶损伤层;继续延长冲蚀时间将加剧其表面损伤.; 徐进雒建斌; 关键词：单晶硅冲蚀磨损

计算机硬磁盘基片表面纳米粒子冲蚀磨损: 2007年; 为探讨磁盘片表面NiP涂层在颗粒冲击过程中的碰撞损伤及与冲蚀时间的关系,利用高分辨透射电镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪和俄歇电子能谱仪等考察计算机硬磁盘基片表面NiP涂层经含SiO2纳米颗粒抛光液冲击后发生的微观物理变化。结果表明:经纳米颗粒碰撞后的计算机硬磁盘基片表面NiP涂层损伤随碰撞时间明显变化,在经颗粒碰撞后的表面上可观测到颗粒嵌入、纳米尺度的凹坑和划痕;NiP涂层表面在碰撞过程中发生氧化,氧化程度随时间延长而加剧。经3min抛光液冲击后,在表面以下大约6nm深度可观测到P元素的聚集,在涂层的亚表面可观测到纳米尺度的晶粒,晶粒的尺寸受冲击时间的影响。; 徐进雒建斌; 关键词：抛光

硅片化学机械抛光碰撞去除机理研究: 利用高分辨透射电镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)观察了经历不同时间纳米颗粒碰撞单晶硅片所导致的微观物理损伤。结果表明:在碰撞初期,在原子力显微镜下没有观测到明显损伤,而在高分辨透射电镜下发现硅片表面呈现方向性的碰...; 徐进雒建斌路新春潘国顺; 关键词：化学机械抛光单晶硅碰撞; 文献传递

pH值和浓度对CeO_2抛光液性能影响的研究被引量：7: 2005年; 研究了氧化铈抛光液颗粒浓度和pH值的变化对抛光液悬浮性能、接触角和粘度的影响。结果表明:随着浓度和pH值的变化,氧化铈抛光液悬浮性能、接触角和粘度均出现变化。随着原始抛光液被逐渐稀释,抛光液的悬浮性能下降,接触角和粘度也减小,然而pH值的变化对它们的影响则较为复杂。; 徐进苏亚潘国顺雒建斌; 关键词：PH值稳定性

原子级光滑表面的制造技术与机理研究被引量：1: 2011年; 报告中国国家重点基础研究发展计划（973计划）项目《高性能电子产品设计制造精微化、数字化新原理和新方法》中有关于原子级光滑表面制造的基础研究中所取得的进展和阶段性成果。包括CMP的若干关键技术的突破，化学机械抛光的机理研究，CMP中纳米粒子行为的计算机模拟和实验研究。开展原子级光滑表面制造和化学机械抛光开展的实验研究，理论分析和计算机模拟。内容包括固体磨粒材料的选择，磨粒的表面修饰和分散，磨粒大小和含量的优化；抛光液中氧化剂，络合剂，缓释剂和其它化学助剂的作用机理；抛光压力速度等T艺参数的优化，抛光中纳米粒子的行为以及纳米团簇一硅基体碰撞过程的分子动力学模拟，纳米粒子与基体的冲击实验，抛光过程和二相流动中纳米粒子运动的荧光跟踪观察等。研究结果表明，抛光液中的固体磨粒对抛光中的材料去除和高质量表面的形成具有重要的贡献。减小颗粒的粒径一般有利于改善表面质量，但关键是保证粒子的大小均匀，因为大颗粒容易造成表面划痕或缺陷。通过对固体磨粒的含量和大小尺寸的优化，可以获得高质量的抛光表面、同时保证较高的抛光去除速率。除了固体磨粒外．抛光液中还包含氧化剂，络合剂，缓释剂，以及多种化学助剂。氧化剂与抛光工件表面发生化学反应形成软质钝化层，以便通过抛光垫和磨粒的机械作用加以去除，形成“氧化一去除一氧化”的材料去除循环。但钝化层的形成阻碍了氧化反应过程的继续发展，络合剂的作用是与氧化反应产物形成流动性较好的络合物，从而增加了钝化层的化学活性，使氧化反应和材料去除得以继续发展。高品质的抛光液的研制取决与对抛光液中各种化学成分的精心调配和长期的潜心试验。我们在计算机磁头，磁盘基片�; 潘国顺雒建斌路新春郭丹段芳莉徐进陈入领张伟胡元中; 关键词：化学机械抛光抛光液材料去除机理摩擦学分子动力学模拟

硅片化学机械抛光碰撞去除机理研究: 本文利用高分辨透射电镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)观察了经历不同时间纳米颗粒碰撞单晶硅片所导致的微观物理损伤.结果表明:在碰撞初期,在原子力显微镜下没有观测到明显损伤,而在高分辨透射电镜下发现硅片表面呈现方向性...; 徐进雒建斌路新春潘国顺; 关键词：化学机械抛光单晶硅; 文献传递

超精密表面抛光材料去除机理研究进展被引量：29: 2004年; 化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing, 简称 CMP)是目前提供全局平面化最理想的技术, 在超精密表面加工领域得到了大量研究和应用. 概述了超大规模集成电路(Ultra-large Scale Integration, 简称ULSI)多层布线中硅片、介电层和金属材料以及磁头/硬盘片化学机械抛光材料去除机理的研究现状和发展趋势, 重点评述了化学机械抛光过程中抛光液研磨颗粒与抛光片表面间相互作用机制, 并提出了材料去除机理的研究方法.; 徐进雒建斌路新春张朝辉潘国顺; 关键词：多层布线 ULSI 超大规模集成电路材料去除机理表面抛光超精密

粘度对含纳米粒子溶液冲蚀单晶硅表面的磨损影响: 2006年; 利用高分辨透射电子显微镜和原子力显微镜观察了含SiO2纳米颗粒溶液冲蚀硅片的表面损伤,考察了纳米颗粒碰撞单晶硅片所导致的微观物理损伤。结果表明,硅片经历一定时间冲蚀后,表面可见纳米尺度的凹坑和划痕,并发现一定厚度的非晶损伤层。抛光液粘度从1.2m Pa.s增加到16m Pa.s时,冲蚀后硅片表面损伤逐渐变得轻微,对应的表面凹坑最大深度从4nm减小到0.5nm,表面损伤层厚度从约12nm减小到4nm。; 徐进雒建斌; 关键词：冲蚀磨损单晶硅

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徐进

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