史永贵
- 作品数：16 被引量：18H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学更多>>
- 籽晶处理工艺对物理气相传输法生长SiC单晶的影响被引量：1
- 2010年
- 将块体SiC单晶中切割下的晶片经研磨、抛光和腐蚀不同工艺处理后作为籽晶,用物理气相传输法生长SiC晶体,生长时间为10min。用光学显微镜观察晶片生长前后的形貌,讨论了不同处理工艺籽晶对晶体生长的影响。结果表明,研磨和抛光可以去除晶体切割时产生的凹坑和划痕,但残留的研磨变质层和抛光导致的机械损伤层可诱导晶片在高温晶体生长时产生多晶成核,腐蚀可以去除研磨和抛光时产生的机械损伤层,用腐蚀后的晶片作为籽晶,生长的晶体表面光滑,并且能够很好地复制籽晶的结构。
- 戴培赟史永贵杨建锋刘光亮程基宽
- 关键词：碳化硅单晶晶体生长籽晶
- 一种纯α碳化硅晶须的制备方法
- 一种纯α碳化硅晶须的制备方法，将质量百分比为80～99.5％碳化硅与0.5～20％铁粉或者镍粉均匀混合装入石墨坩埚内；将石墨坩埚装入中频感应烧结炉中，炉内压力小于10<Sup>3</Sup>Pa，充入氩气至炉内压力大于4...
- 杨建锋史永贵刘虎林戴培赟刘波波白宇乔冠军
- 一种纯α碳化硅晶须的制备方法
- 一种纯α碳化硅晶须的制备方法，将质量百分比为80～99.5％碳化硅与0.5～20％铁粉或者镍粉均匀混合装入石墨坩埚内；将石墨坩埚装入中频感应烧结炉中，炉内压力小于10<Sup>3</Sup>Pa，充入氩气至炉内压力大于4...
- 杨建锋史永贵刘虎林戴培赟刘波波白宇乔冠军
- 文献传递
- 结合碳热还原制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法
- 本发明公开了一种结合碳热还原制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法，按重量百分比，按重量百分数：碳化硅粉40～70％、氧化硅粉15～34％、纳米炭黑3～14％、酚醛树脂8～12％分别进行称量，用酒精作为溶剂湿混制备成混合粉末；然...
- 杨建锋刘虎林史永贵刘荣臻鲍崇高乔冠军王继平
- 文献传递
- 一种致密碳化硅陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种致密碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，利用纯碳化硅或反应化合生成碳化硅的物质源在2250～2500℃下所发生的分解、化合反应，采用高温物理气相传输技术，以及对气相重新结晶排列堆积过程的控制，实现碳化硅晶体...
- 杨建锋刘光亮戴培赟史永贵鲍崇高乔冠军
- 文献传递
- 一种制备1至5层单晶石墨烯的方法
- 本发明公开了一种1至5层单晶石墨烯片的制备方法，将Cu衬底放入特制的化学气相反应室中，抽真空至10<Sup>-1</Sup>～10<Sup>-4</Sup>Pa；向反应室内充入高纯H<Sub>2</Sub>，气流量为1～...
- 史永贵王东闫景东韩砀柴正张进成郝跃
- 文献传递
- 一种通孔结构的纯α-SiC材料的制备方法
- 本发明公开了一种通孔结构的纯α-SiC材料的制备方法，利用碳化硅粉与碳化硼粉混合均匀并装入石墨坩埚，放入感应烧结炉中，在坩埚顶部盖上石墨纸或石墨盖，抽真空并充入高于4×10<Sup>4</Sup>Pa的氩气后加热至210...
- 杨建锋刘波波史永贵景文甲徐照芸王波鲍崇高
- 文献传递
- 深刻蚀方法对硅基SIWF通孔显微结构的影响被引量：2
- 2015年
- 硅基集成波导滤波器通孔的显微结构和阵列精度对硅基集成波导滤波器的电磁性能和可靠性至关重要.采用KOH溶液刻蚀、皮秒紫外激光刻蚀以及感应耦合等离子体刻蚀3种方法在晶向为[100]的高阻硅单晶衬底上加工了通孔阵列,并采用线宽测量仪和扫描电镜对通孔尺寸、阵列精度以及通孔侧壁的显微结构进行了表征,对比研究了不同深刻蚀方法对硅基集成波导滤波器通孔侧壁显微结构的影响.结果表明,采用感应耦合等离子体刻蚀方法得到的硅基集成波导滤波器通孔阵列的显微结构最佳,精度最高,且通孔侧壁的粗糙度最低.由此可见,在目前工艺设备和技术水平的情况下,感应耦合等离子体刻蚀是最适合加工高性能、高精度和高可靠性硅基集成波导滤波器通孔阵列的方法.
- 杜林蒲石史永贵张进城郝跃
- 关键词：通孔深刻蚀显微结构
- 籽晶处理工艺对PVT法生长SiC单晶的影响
- 戴培赟史永贵杨建锋刘光亮程基宽
- 结合碳热还原制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法
- 本发明公开了一种结合碳热还原制备重结晶碳化硅多孔陶瓷的方法，按重量百分比，按重量百分数：碳化硅粉40～70％、氧化硅粉15～34％、纳米炭黑3～14％、酚醛树脂8～12％分别进行称量，用酒精作为溶剂湿混制备成混合粉末；然...
- 杨建锋刘虎林史永贵刘荣臻鲍崇高乔冠军王继平
