冯嘉鹏
- 作品数：6 被引量：6H指数：2
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 五种颜色激光色域扩展显示装置及其显示颜色的方法
- 本发明五种颜色激光色域扩展显示装置及其显示颜色的方法，涉及控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的装置，其构成包括五个半导体激光器可调电源a、b、c、d和e，黄绿光、红光、绿光、蓝紫光和蓝绿光五种颜色半导体激...
- 赵红东姚奕洋陈洁萌冯嘉鹏孙渤郭正泽杨磊
- 文献传递
- 基于FPGA的AES加密算法功耗研究
- 2015年
- AES(Advanced Encryption Standard)是美国国家标准技术研究所NIST旨在取代DES的21世纪的加密标准.详细介绍了AES加密的算法原理,实现了基于FPGA平台AES加密算法的设计与功能仿真.从静态和动态两方面分析了功耗的产生原因,研究了基于FPGA平台的AES加密算法降低功耗的问题,以及随着时钟频率的增加,系统功耗的变化趋势.算法模块占用逻辑资源少,加密效率高,并在保证安全性,和满足应用需求的前提下,实现了平衡数据处理速度和系统功耗这两个重要参数的目的.
- 郭正泽赵红东姚奕洋陈洁萌冯嘉鹏
- 关键词：时钟频率吞吐量
- GaN基HEMT器件的性能研究与设计优化
- 宽禁带半导体 GaN（氮化镓）是目前在高温、高频、大功率微波领域等飞速发展的第三代半导体材料的代表。它具有热导率高、击穿场强高、电子漂移速率高、耐高温、耐腐蚀、以及化学性质稳定等优点。与GaAs（砷化镓）以及Si（硅）等...
- 冯嘉鹏
- 关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓材料自热效应
- GaN基HEMT器件的优化设计被引量：2
- 2014年
- 针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参数尺寸优化GaN基HEMT器件的设计,提高器件性能。通过仿真软件模拟了器件各参数对于GaN器件电学性能的影响,分析了不同衬底构成对GaN HEMT器件自热效应的影响,系统研究了GaN HEMT器件相关参数改变对自热效应及器件电学性能的影响。结果表明:Si及金刚石组成的衬底中减小Si层的厚度有利于减小器件的自热效应,降低有源区最高温度。为提高器件性能以及进一步优化GaN基HEMT器件设计提供了一定的理论参考。
- 冯嘉鹏赵红东孙渤段磊郭正泽陈洁萌姚奕洋
- 关键词：场板自热效应
- 基于平面波展开法的二维立方晶格光子晶体带隙研究被引量：4
- 2014年
- 应用平面波展开法(PMW)计算了圆形立方晶格、正方形立方晶格及正六边形立方晶格三种不同结构的二维空气柱光子晶体带隙结构。结果表明,空气柱光子晶体存在对应TE、TM模的完全禁带,并且圆形空气柱光子晶体存在完全带隙。比较而言,圆形空气柱立方晶格的TE模禁带与完全禁带最宽,最宽禁带宽度分别为0.137(ωa/2πc)与0.018(ωa/2πc),正方形空气立方晶格的TM模禁带最宽,最宽禁带宽度为0.119(ωa/2πc)。
- 孙渤赵红东冯嘉鹏郭正泽姚奕洋王炯杰
- 关键词：光子晶体平面波展开法带隙
- 五种颜色激光色域扩展显示装置及其显示颜色的方法
- 本发明五种颜色激光色域扩展显示装置及其显示颜色的方法，涉及控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的装置，其构成包括五个半导体激光器可调电源a、b、c、d和e，黄绿光、红光、绿光、蓝紫光和蓝绿光五种颜色半导体激...
- 赵红东姚奕洋陈洁萌冯嘉鹏孙渤郭正泽杨磊
- 文献传递
