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关中杰

作品数：9 被引量：18H指数：2
供职机构：云南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金云南省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域：理学环境科学与工程矿业工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇矿业工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇溅射
  • 7篇磁控
  • 7篇磁控溅射
  • 4篇导体
  • 4篇低维结构
  • 4篇直流磁控
  • 4篇直流磁控溅射
  • 4篇生长温度
  • 4篇硅基
  • 4篇硅基底
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体低维结...
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米点
  • 3篇磁控溅射技术
  • 2篇锗量子点
  • 2篇量子点
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体质量
  • 2篇缓冲层

机构

  • 9篇云南大学

作者

  • 9篇关中杰
  • 6篇杨宇
  • 6篇李亮
  • 6篇靳映霞
  • 4篇王茺
  • 4篇叶小松
  • 2篇兰尧中
  • 1篇张艮林

传媒

  • 1篇金属矿山
  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇云南冶金

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
周期应力调制低温缓冲层硅基锗薄膜制备方法
本发明涉及半导体低维结构薄膜的制备方法，特别是使用磁控溅射技术，首先制备Si缓冲层，然后在Si缓冲层上制备Ge纳米点，再在纳米点上覆盖一层低温Ge缓冲层。通过工艺实现在低温制备的Ge缓冲层中埋入Ge纳米点作为薄膜的形核中...
靳映霞杨宇李亮关中杰
文献传递
周期应力调制低温缓冲层硅基锗薄膜制备方法
本发明涉及半导体低维结构薄膜的制备方法，特别是使用磁控溅射技术，首先制备Si缓冲层，然后在Si缓冲层上制备Ge纳米点，再在纳米点上覆盖一层低温Ge缓冲层。通过工艺实现在低温制备的Ge缓冲层中买入Ge纳米点作为薄膜的形核中...
靳映霞杨宇李亮关中杰
溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响被引量：1
2012年
利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。
叶小松王茺关中杰靳映霞李亮杨宇
关键词：磁控溅射表面形貌
菱铁矿资源开发及综合应用研究现状被引量：8
2011年
综述了当前开发利用菱铁矿资源的几种主要方法和工艺,并重点介绍了国内外菱铁矿的综合应用及研究现状。同时也指出了菱铁矿资源综合利用的发展前景及研究趋势。
关中杰张艮林兰尧中
关键词：菱铁矿选冶技术
含砷废水处理研究现状被引量：8
2010年
水中砷含量超标给人类造成了较大的危害,本文总结了近些年来含砷废水的处理方法及发展状况,以及各种除砷技术的优缺点。
陈锋关中杰兰尧中
关键词：含砷废水
磁控溅射技术制备硅基锗量子点的方法
本发明涉及半导体低维结构薄膜材料的制备方法，特别是使用磁控溅射技术，基于低温生长高温退火的两步法，制备大高宽比Ge量子点的制备方法。本发明采用直流磁控溅射技术，工作室保持高真空环境，使用氩气作为工作气体，在工作室溅射压强...
杨宇靳映霞叶小松李亮关中杰王茺
文献传递
两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响被引量：1
2012年
采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响。实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大。在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层。Ge薄膜具有良好的结晶性,表面粗糙度RMS为2.06 nm。
关中杰靳映霞王茺叶小松李亮杨宇
关键词：射频磁控溅射
磁控溅射技术制备硅基锗量子点的方法
本发明涉及半导体低维结构薄膜材料的制备方法，特别是使用磁控溅射技术，基于低温生长高温退火的两步法，制备大高宽比Ge量子点的制备方法。本发明采用直流磁控溅射技术，工作室保持高真空环境，使用氩气作为工作气体，在工作室溅射压强...
杨宇靳映霞叶小松李亮关中杰王茺
文献传递
缓冲层对Ge薄膜性能的影响研究
本论文针对改善由Si和Ge之间晶格失配较大而导致的失配位错密度高、表面粗糙度RMS大等问题对Ge薄膜性能的影响，研究制备高质量的Si基Ge薄的方法。本论文利用磁控溅射技术，采用低温缓冲层方法减小Si和Ge之间的晶格失配，...
关中杰
关键词：磁控溅射技术缓冲层
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