刘兴辉
- 作品数：103 被引量：168H指数：7
- 供职机构：辽宁大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金辽宁省教育厅高等学校科学研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种用于ESD保护的低压触发SCR器件
- 本发明公开了一种用于ESD保护的低压触发SCR器件。本发明创造采用第一PMOS和第二PMOS分别进行衬底触发和栅触发，从而降低SCR器件的触发电压。ESD脉冲信号施加在Anode和Cathode之间，第一PMOS和第二P...
- 蔡小五魏俊秀梁超闫明吕川刘兴辉高哲郭红梅
- 前结背接触晶硅太阳电池发射区研究
- 2015年
- 利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了发射区表面浓度(cE)、结深(xj)及发射区覆盖比率(EF)对P型前结背接触晶硅太阳电池输出特性的影响。结果表明:基于常规低成本P型晶硅衬底(利用直拉法生长,电阻率为1.5?·cm,少子寿命为10μs)的前结背接触太阳电池,其上表面发射区表面浓度及结深对太阳电池的输出特性产生显著影响。上表面发射区表面浓度和结深越大,短波入射光外量子效率越小。当上表面发射区表面浓度为1×1019 cm–3,结深为0.2μm时,电池效率高达20.72%。侧面和下表面发射区表面浓度及结深对太阳电池输出特性的影响较小。但侧面和下表面发射区覆盖比率对太阳电池的输出特性产生显著影响。侧面和下表面发射区覆盖比率越大,太阳电池外量子效率和转换效率越高。
- 周涛陆晓东吴元庆刘兴辉吴春瑜
- 关键词：太阳电池发射区结深量子效率
- 改进碳纳米管电接触及粘贴性能的一体式冷阴极制作(英文)被引量：3
- 2013年
- 在阴极玻璃面板上研发了一种新型的一体式冷阴极.印刷的银浆被烧结后用于形成银底电极.制备了薄层底电极浆料,其中含有大量碳纳米管.将薄层底电极浆料印刷在银底电极表面,然后再将普通碳纳米管浆料制作在烘烤的薄层底电极浆料上.利用高纯度氩气作为保护气体,在烧结炉中对这两种浆料同时进行烧结.烧结后的薄层底电极将和银底电极相互融合在一起,碳纳米管层则覆盖于薄层底电极的表面.同一阴极像素中制作了两个碳纳米管发射极.备用碳纳米管发射极的存在,有利于延长整体显示器的使用寿命.利用薄层底电极作为碳纳米管层和银底电极之间的中间层,能够有效改善碳纳米管的粘贴性能,同时增强二者之间的可靠欧姆接触.利用碳纳米管作为阴极制作了一体式冷阴极场发射显示器.该显示器具有良好的发光图像质量以及更好的场发射特性.与普通碳纳米管阴极场发射显示器相比,一体式冷阴极场发射显示器能够将开启场强从2.11V/μm减小到1.68V/μm;将最大场发射电流从905μA提高到1 866.2μA;数值为367μA场发射电流的电流波动不超过4.5%.该一体式冷阴极场发射显示器已经以稳定的发光亮度而连续运行10余天.
- 李玉魁王凤歌刘兴辉卢文科曾凡光
- 关键词：冷阴极丝网印刷场致发射
- 一种CMOS温度传感器输出误差的数字校正方法被引量：2
- 2023年
- 针对CMOS温度传感器模拟校正方法需额外增加校正器件,而数字校正方法存在精度偏低的问题,提出了一种新的适用于CMOS温度传感器的数字校正方法。对CMOS温度传感器的传输函数进行推导,得到温度传感结果与数字电路的关系。根据传输函数,对温度传感器数字电路中的计数器及状态机的参数进行修调,通过改变计数周期个数及计数初值达到校正电路的增益误差及失调误差的目的,得到温度传感器的测温结果。仿真及实测结果表明,采用所提出的校正方法设计的温度传感器,在-55~125℃,测温误差小于1.04℃,满足高精度应用需求。
- 于博文俞若愚尹飞飞刘兴辉
- 关键词：温度传感器传输函数计数器状态机
- 单壁碳纳米管作沟道的场效应晶体管输运特性理论研究被引量：3
- 2012年
- 为研究以单壁碳纳米管(CNT)作沟道的场效应晶体管(FET)的输运特性,采用非平衡格林函数(NEGF)理论,构建了CNTFET的电子输运模型,该方法摒弃粗糙的连续体模型,可实现CNTFET输运性质与手性指数的直接对接。以(17,0)锯齿型管为例,数值计算了CNTFET输出特性、转移特性、跨导、亚阈值摆幅、开关态电流比等电学特性;在等效栅氧化层厚度相同的情况下,对比了采用不同栅介质材料时上述电学特性在数值上的差异,发现随栅介质介电常数的增加,漏感应势垒降低效应变得显著,这不但导致开态时从源注入到漏的电子浓度增加、电流增大,也导致关态电流增大,开关态的电流比减少。研究还发现在通常的栅源和漏源电压下,沟道中出现热电子。
- 刘兴辉张俊松王绩伟曾凡光李新敖强王震王振世马迎王瑞玉
- 关键词：碳纳米管场效应晶体管热电子
- 三极结构碳纳米管显示器的场发射特性研究
- 作者用高温催化热解法制备了碳纳米管材料设计了独立栅极的新型场发射显示结构,对碳纳米管场发射特性曲线进行了详细研究.
- 李玉魁朱长纯刘兴辉
- 关键词：碳纳米管场发射显示器
- 无晶振USB 2.0设备时钟的新型校准设计与实现
- 2021年
- 由于传统USB设备的外部晶振加锁相环产生时钟源的方式会消耗更多的管脚资源,且占用更大面积,增加成本,这对于电路以及竞争来说是一种负担,所以需要设计使用内部晶振产生时钟源。而内部晶振电路产生的时钟源由于PVT影响会存在漂移,在中心频点产生最大25%的频率偏差,因此需要对其进行校准。以往的所有校准方法都是以SOF包之间的间隔时间为时钟基准进行校正,需要同时连续且正确采样2次SOF才进行校准。为了解决上述问题,提出一种同时利用SOF包内SYNC同步码单比特脉冲计数值之和为校准基准的方法,将校准时间点提前,并提前将误差缩小在一个较小范围内,偏差越大缩小越明显,最大能把偏差缩小16.79%,使后续对SOF的采样和时间基准计数能更准确,校准的速度更快。计算SYNC单比特脉冲平均值,保留余数部分信息,对SOF包进行全采样,保证采样的准确。
- 王周刘兴辉赵建中
- 关键词：时钟校准
- 一种用于ESD保护的双向SCR结构
- 一种用于ESD保护的双向SCR结构，在P型衬底中间上部设有DNW阱；所述的DNW阱里形成PWell阱和NWell阱，PWell阱上设有第一P+注入区和第一N+注入区；所述的P型衬底的一侧上部设有第二P+注入区和第二N+注...
- 蔡小五魏俊秀高哲梁超刘兴辉翟丽蓉吕川闫明
- 一种具有自校准、自控制功能的I^(2)C接口电路被引量：3
- 2023年
- 文章提出一种在开漏模式下通过硬件自检测、自校准实现高性能I^(2)C(inter-integrated circuit)接口的设计,并给出一种I^(2)C接口自控制实现开漏功能的方法。在传统I^(2)C接口电路的基础上,增加了自检测拉低时钟总线并进行自校准的功能,使得在开漏模式下,硬件能够自动检测到时钟总线在上拉过程中的低电平并进行自校准高电平,在改善通信稳定性的基础上实现了性能提升。考虑到不同的应用场合,增加了开漏使能控制电路,为提高IP的可移植性,I^(2)C接口可自控制开漏功能,支持软件配置,灵活地应用于各种通用输入输出(general-purpose input/output,GPIO)模型中。成品开发板电路测试表明,在系统时钟为120 MHz时,该电路在开漏模式下高速通信中的位速率高达5.98 Mbit/s,在推挽模式下超快速通信中的位速率高达30.00 Mbit/s。
- 郑双双刘兴辉张文婧张建龙尹飞飞
- 关键词：自校准
- 一种提高SAR ADC的D/A转换精度的方法被引量：1
- 2019年
- 为进一步提高R-C型SAR ADC的转换精度,在传统R-C型D/A转换结构的基础上,增加了一个偏移量模块,引入了小的偏移量。在采样过程中,当输入转换电压发生低于1个有效位的变化时,D/A转换结构能更精确地采样。该改进方法不改变传统电路的基本结构,只需增加很少的元件,就可改善ADC的精度和对零点采样的准确性。对10位R-C型SAR ADC进行了D/A转换和静态参数仿真。结果表明,INL、DNL均在±1LSB内,证明了改进方法的有效性。该方法可适用于其他位的R-C型D/A采样网络。
- 廖方云王绩伟谷京儒刘兴辉
- 关键词：模数转换器
