郭泉良 作品数:3 被引量:10 H指数:2 供职机构: 深圳大学光电工程学院光电子器件与系统教育部重点实验室 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 深圳市科技计划项目 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 更多>>
短磁聚焦变像管的成像畸变分析与测试 被引量:3 2018年 分别采用单、双透镜系统研制短磁聚焦变像管,并利用Lorentz 3D-EM软件模拟电子运动成像,研究其成像畸变。当成像比例为1…1、阴极电压为-3kV时,模拟得到单、双透镜系统的空间分辨率分别为17.07lp/mm和24.49lp/mm;在离轴6mm处,单、双透镜系统的成像畸变率分别为1.43%和0.98%;在离轴为12mm处,单、双透镜系统的成像畸变率分别为7.5%和2.5%。实验结果表明:在离轴6mm处,单、双透镜系统的成像畸变率分别为2.4%和0.9%;在离轴12mm处,单、双透镜系统的成像畸变率分别为8.5%和3.2%。研究表明,采用双磁透镜成像系统有助于改善成像畸变,提高空间分辨率。 陈家堉 蔡厚智 白雁力 廖昱博 廖昱博 郭泉良 郭泉良关键词:成像系统 变像管 空间分辨率 磁聚焦变像管像转角的数值计算与实验研究 被引量:1 2017年 建立短磁聚焦变像管测试系统,利用Lorentz 3D-EM软件模拟电子运动成像并计算像转角.在不同阴极电压条件下,采用数值模拟研究变像管像转角的变化规律.结果表明,当成像倍率为1∶1、阴极电压为-3 k V时,模拟像转角为77.09°.实验测量的像转角是71.0°,且随阴极电压绝对值的下降而减小.根据模拟与实验的像转角的差值,估算出实验中采用的短磁聚焦透镜漏磁电流安匝数为45.0 A·个. 陈家堉 龙井华 蔡厚智 廖昱博 郭泉良 刘进元关键词:漏磁 磁聚焦变像管像场弯曲的改善研究 被引量:7 2017年 研制大面积阴极磁聚焦分幅变像管。在2:1电子光学倍率下,研究单磁透镜和双磁透镜成像的像场弯曲。基于光学透镜成像原理,假设成像面形状不随激励微调而改变,推导了离轴点最佳成像位置与激励变化的近似关系式,并由此提出一种测量并减小像管像场弯曲的方法;借助Matlab编程模拟了像管各离轴点的最佳成像位置,拟合得到成像曲面方程,并利用所提出的像场弯曲测量方法进行了测试验证。结果表明,在一定视场范围内,计算机模拟与实验测试结果比较接近。单、双磁透镜下的最佳成像面均为旋转抛物面,但双磁透镜成像像场弯曲比单磁透镜有明显的改善。 廖昱博 刘进元 蔡厚智 白雁力 付文勇 陈家堉 郭泉良关键词:超快光学 变像管