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魏伟

作品数:4 被引量:2H指数:1
供职机构:昌吉学院物理系更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇日盲
  • 2篇探测器
  • 2篇紫外探测
  • 2篇紫外探测器
  • 2篇ALGAN
  • 1篇电致变色
  • 1篇性能表征
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇五氧化二钒
  • 1篇响应度
  • 1篇光谱响应
  • 1篇MSM结构
  • 1篇P-I-N

机构

  • 4篇昌吉学院
  • 1篇武汉理工大学

作者

  • 4篇魏伟
  • 2篇杨莲红
  • 2篇张保花
  • 2篇王俊珺
  • 1篇朱泉峣
  • 1篇郭福强
  • 1篇张超

传媒

  • 1篇中国陶瓷
  • 1篇高师理科学刊
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇昌吉学院学报

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2014
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
水热-溶剂热法合成PbS纳米晶的现状研究被引量:1
2014年
PbS纳米材料具有较大的玻尔半径(18nm)和较小的带隙能(0.41eV、300K),作为一种典型的窄带半导体材料,它在材料科学领域表现出了明显优于其他材料的特性。本论文归纳总结了水热-溶剂热法制备纳米材料具有的优越性,阐述了国内外采用水热-溶剂热法在合成PbS纳米材料的研究现状,并对后期工作进行了展望。
张保花郭福强魏伟
AlGaN MSM结构日盲型紫外探测器被引量:1
2014年
采用低压-金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在(0001)方向的AlN/蓝宝石模板上生长得到Al组分为40%的AlGaN材料,设计并制作了MSM型AlGaN 日盲紫外探测器。通过HRXRD,SEM,AFM对AlGaN材料进行了表征,结果表明:该材料为六方相结构,且应变程度很小,粗糙度(RMS)为1.32 nm。通过测试器件在230~320 nm之间、在不同偏压下的光谱响应曲线,发现器件的截止波长在285 nm附近,截止边很陡峭;器件的峰值响应波长为275 nm;在7 V偏压下,器件峰值响应度达到最大2.8 mA/W;零偏压下,器件的暗电流1×^10-13A,器件的暗电流很小。
杨莲红张保花王俊珺魏伟
关键词:紫外探测器光谱响应
Fe0.41V2O5薄膜制备和电致变色性能表征
2020年
采用离子交换法制备了Fe0.41V2O5干凝胶薄膜。通过XRD对薄膜的结构进行表征,结果表明Fe^3+的引入扭曲了V2O5干凝胶的层状结构并扩大了其层间距。以循环伏安法和计时电流法表征了薄膜的电化学性能;利用紫外分光光度计表征了薄膜的光学性能。结果表明V2O5干凝胶薄膜200圈循环的电荷保持率为41.4%,Fe0.41V2O5干凝胶薄膜200圈循环电荷保持率为88.8%,Fe^3+的引入提高了薄膜循环稳定性能。同时Fe^3+的引入降低了薄膜的响应速度,V2O5干凝胶薄膜的着色时间/褪色时间分别为5.0 s/6.2 s,Fe0.41V2O5干凝胶薄膜的着色时间/褪色时间分别为12.6 s/7.0 s。此外,V2O5干凝胶薄膜和Fe0.41V2O5干凝胶薄膜的光学调制能力相近,Fe^3+的引入并未对V2O5干凝胶薄膜的光学性能产生大的影响。
李鑫魏伟魏伟张超于丹睿朱泉峣
关键词:电致变色五氧化二钒溶胶-凝胶
AlGaN p-i-n型日盲紫外探测器
2014年
基于在双面抛光的蓝宝石衬底上采用等离子体增强的分子束外延方法生长了AlGaN基p-Al0.45Ga0.55N/i-Al0.35Ga0.65N/n-Al0.45Ga0.55N结构材料,p型欧姆接触采用电子束蒸发Ni/Au(5 nm/5nm)薄层叉指结构电极,制作了p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器.器件的峰值响应波长为273 nm.器件在零偏压下的暗电流很小,为nA量级,峰值响应度为8.5mA/W.器件在-5 V偏压下,峰值响应率32.5 mA/W,对应的外量子效率达到15%.
杨莲红张保花王俊珺魏伟
关键词:紫外探测器ALGAN日盲响应度
共1页<1>
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