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米丹

作品数：4 被引量：6H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇总剂量
  • 3篇版图
  • 2篇源区
  • 2篇总剂量辐射
  • 2篇总剂量效应
  • 2篇隔离栅
  • 2篇沟道
  • 2篇场区
  • 1篇单粒子
  • 1篇单粒子效应
  • 1篇电路
  • 1篇设计技术
  • 1篇偏置
  • 1篇接触电压
  • 1篇抗辐射
  • 1篇抗辐射加固
  • 1篇控制线路
  • 1篇集成电路
  • 1篇背栅

机构

  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 4篇米丹
  • 2篇周昕杰
  • 2篇周晓彬
  • 1篇魏敬和
  • 1篇左玲玲

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种基于背栅偏置调控的总剂量加固存储结构
本发明公开一种基于背栅偏置调控的总剂量加固存储结构，属于抗辐射存储器电路领域。本发明通过在NMOS管P阱上施加已选取的合适负偏置调制电压，产生抵消由总剂量效应引起的NMOS管阈值电压漂移变化量，实现维持NMOS管的阈值电...
殷亚楠马艺珂魏敬和米丹马函
一种抗总剂量辐射的小沟道宽度NMOS管版图加固结构
本发明公开一种抗总剂量辐射的小沟道宽度NMOS管版图加固结构，属于集成电路领域，包括p型半导体衬底、设置在p型半导体衬底上的有源区、设置在有源区上的栅端、设置在中部的n<Sup>+</Sup>注入区、设置在外围的p<Su...
米丹周昕杰周晓彬殷亚楠郭风岐
体硅CMOS集成电路抗辐射加固设计技术被引量：6
2016年
首先介绍了空间辐射环境,并对各种辐射效应及其损伤机理进行分析。然后对体硅CMOS集成电路的电路结构、抗辐射加固技术和版图设计抗辐射加固技术进行探索。测试结果表明,采用版图加固抗辐射技术可以使体硅CMOS集成电路的抗辐射性能得到明显提升。
米丹左玲玲
关键词：总剂量效应单粒子效应
一种抗总剂量辐射的小沟道宽度NMOS管版图加固结构
本发明公开一种抗总剂量辐射的小沟道宽度NMOS管版图加固结构，属于集成电路领域，包括p型半导体衬底、设置在p型半导体衬底上的有源区、设置在有源区上的栅端、设置在中部的n<Sup>+</Sup>注入区、设置在外围的p<Su...
米丹周昕杰周晓彬殷亚楠郭风岐
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