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张谷一

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院新金属材料国家重点实验室更多>>
相关领域：电气工程环境科学与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 1篇溅射
  • 1篇ZNS薄膜
  • 1篇A1
  • 1篇AL
  • 1篇CU
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 2篇北京科技大学

作者

  • 2篇朱洁
  • 2篇孟飞
  • 2篇张谷一
  • 1篇何建平

传媒

  • 1篇电源技术
  • 1篇中国材料科技...

年份

  • 2篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
化学水浴法制备ZnS薄膜被引量：3
2007年
采用了化学水浴法制备异质结薄膜太阳电池中的窗口层ZnS薄膜。尝试了酸性溶液制备ZnS薄膜,讨论了溶液成分、水浴时间和温度对薄膜成分和形貌的影响。研究结果表明在75℃,6h条件下沉积得到的薄膜最平整,成分最符合化学计量比,退火后薄膜主要为纤锌矿结构的ZnS相。
孟飞张谷一何建平朱洁
关键词：ZNS薄膜
磁控溅射再硒化法制备Cu（In，Al）Se2薄膜
2007年
本文采用磁控溅射的方法制备Cu-In-Al薄膜，然后固态源硒化制成Cu（In，Al）Se2薄膜。采用EDX分析薄膜的成分，SEM观察薄膜的表面形貌，XRD表征薄膜的组织结构。结果表明，由CuIn相为主相的预制膜制成的Cu（In，Al）Se2薄膜具有单一的黄铜矿结构，且随着Al含量的增加，晶面间距减小。
张谷一孟飞朱洁
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共1页<1>
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