廖龙忠
- 作品数：18 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺化学工程更多>>
- 一种GaN HEMT器件及制备方法
- 本发明提供了一种GaN HEMT器件及制备方法，属于半导体器件制备技术领域，GaN HEMT器件包括基底、欧姆电极、二氧化硅介质层、氮化硅介质层和栅金属层，制备方法包括在基底上制作欧姆电极‑依次形成二氧化硅介质层和氮化硅...
- 廖龙忠谭永亮高渊胡泽先付兴中张力江
- 文献传递
- 芯片的封装结构及封装方法
- 本发明提供一种芯片的封装结构及封装方法，其中，芯片的封装结构包括堆叠设置的至少两个晶圆级芯片；其中，晶圆级芯片包括：衬底、以及生长在衬底的上表面的GaN外延层，在GaN外延层上设置多个信号连接压点和多个接地压点，在衬底的...
- 崔雍廖龙忠朱延超宋洁晶付兴中张力江
- 一种采用苯并环丁烯介质隔离的片上变压器工艺被引量：2
- 2022年
- 片上变压器是实现磁耦数字隔离器设计的核心元件,需要采用特殊的工艺流片技术,以实现数字隔离器芯片的小型化和3000 V以上的高压隔离能力。为了实现片上变压器的制备,开发了一种利用光敏型苯并环丁烯(BCB)介质隔离的工艺流程。该工艺可实现均匀的介质层厚度和良好的附着能力。通过对合金成分的种子层进行刻蚀实现片上变压器线圈线条的图形化,再采用电镀实现片上变压器线圈的制备。测试结果表明:变压器芯片的金属线圈厚度约为3μm,BCB隔离介质层厚度大于10μm,介质层平坦化效果良好,与金属线圈及硅表面附着紧密,变压器最高工作频率接近600 MHz。
- 周国罗和平廖龙忠陈卓张力江
- 关键词：数字隔离器电镀
- 实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片，该方法包括：将seal ring结构的两圆片进行键合，即将两圆片的信号连接压点、接地孔压点和seal ring压点分别对应键合...
- 廖龙忠周国赵红刚樊帆李波崔玉兴
- 文献传递
- 金刚石基氮化镓晶体管制备方法及金刚石基氮化镓晶体管
- 本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种金刚石基氮化镓晶体管制备方法及金刚石基氮化镓晶体管，该方法包括：在硅基氮化镓晶圆上表面制备电极场板区；在硅基氮化镓晶圆上表面和硅晶圆上表面溅射第一金属层，并进行预键合；将载体与硅...
- 周国武毅畅付兴中廖龙忠秦龙宋洁晶冯立东宋红伟张力江崔玉兴
- 一种用于砷化镓晶圆级堆叠的工艺技术被引量：1
- 2023年
- 随着电子系统对多功能、小型化要求的不断提高,将数字控制电路、移相器、低噪声放大器等砷化镓微波集成电路(MMICs)进行3D集成是解决问题的方向。为此,设计具有数百个互连点的孔链测试结构模拟上下两层电路互连,采用砷化镓穿孔技术将正面互连压点转移到背面,研究适用砷化镓薄片的晶圆级键合技术,开发出两片式砷化镓面对背的晶圆级堆叠工艺技术,堆叠成品率达到90%以上。利用这项工艺,将砷化镓数字电路堆叠到低噪声放大器芯片上,形成了Ka波段幅相多功能电路,测试在32~38 GHz频段内,接收端增益大于21.5 dB,噪声小于4 dB,移相精度小于4°;发射端增益大于23 dB,输出功率大于25 dBm(输入功率10 dBm),移相精度小于4°。
- 廖龙忠周国毕胜赢付兴中张力江
- 关键词：3D集成
- 实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片，该方法包括：将seal ring结构的两圆片进行键合，即将两圆片的信号连接压点、接地孔压点和seal ring压点分别对应键合...
- 廖龙忠周国赵红刚樊帆李波崔玉兴
- 文献传递
- Ka波段GaN HEMT功率器件
- 2015年
- 设计了Ka波段GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料及器件结构,采用Al N插入层提高了二维电子气(2DEG)浓度。采用场板结构提高了器件击穿电压。采用T型栅工艺实现了细栅制作,提高了器件高频输出功率增益。采用钝化工艺抑制了电流崩塌,提高了输出功率。采用通孔工艺减小源极寄生电阻,通过优化钝化层厚度减小了寄生电容,提高了器件增益。基于国产SiC外延材料及0.15μm GaN HEMT工艺进行了器件流片,最终研制成功Ka波段GaN HEMT功率器件。对栅宽300μm器件在29 GHz下进行了微波测试,工作栅源电压为-2.2 V,源漏电压为20 V,输入功率为21 dBm时,器件输出功率为30 dBm,功率增益为9 dB,功率附加效率约为43%,功率密度达到3.3 W/mm。
- 廖龙忠张力江孙希国何先良崔玉兴付兴昌
- 关键词：KA波段功率器件钝化
- 半导体芯片保护层的制备方法和半导体芯片
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种半导体芯片保护层的制备方法和半导体芯片，该方法包括：在半导体芯片第一区域的上表面形成第一SiN层；其中，所述第一区域包括压点之外的区域，或所述第一区域包括所述压点之外的区域和所述压点...
- 付兴中王川宝廖龙忠吕树海张力江崔玉兴
- 文献传递
- 集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构，该方法包括：通过在完成正面工艺的圆片上表面制备BCB层，刻蚀BCB层，露出接地孔压点和信号连接压点；在刻蚀BCB层后的圆片上表面制备...
- 廖龙忠谭永亮高渊胡泽先付兴中张力江
- 文献传递
