邱景
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- FeCoNiB软磁薄膜微波电磁性能研究被引量：1
- 2011年
- 采用射频磁控溅射工艺,制备了一系列(Fe40Co40B20)1-xNix(x为原子分数)磁性薄膜,研究了样品在微波频段下的电磁性能。结果表明,通过调整Ni含量及合适的工艺参数可有效调控薄膜的微结构和电磁性能,且在(Fe40Co40B20)0.91Ni9薄膜样品中获得了优良的微波性能和高电阻率。其饱和磁化强度4πMs达到2.21T,复磁导率实部μ'在0.5～3GHz频率范围内大于195,铁磁共振频率fFMR达到3.16GHz,电阻率也达到276μΩ.cm。该薄膜可应用于GHz频段下电磁器件的设计中。
- 邱景龚荣洲冯则坤廖健生
- 关键词：磁性薄膜复磁导率电阻率
- FeCoB-SiO_2纳米磁性颗粒膜有效磁导率计算与模拟被引量：2
- 2008年
- 用带Gilbert损耗项的Landau-Lifshitz方程和Bruggeman有效媒质理论对Fe40Co40B20-SiO2纳米磁性颗粒膜的有效磁导率进行计算模拟,采用的模型是由磁性颗粒与非磁性介质组成的面心立方结构体系。模拟结果表明,磁谱曲线的变化趋势与实验数据一致,薄膜有效磁导率的实部和虚部都随着磁性颗粒的体积分数增大而增大。当磁性颗粒的体积分数在0.3到0.5之间变化时,磁导率的变化并不明显,而当磁性颗粒的体积分数在0.5到0.6之间变化时,磁导率的变化非常明显,这说明复合薄膜在磁性颗粒体积分数为0.5到0.6之间出现了逾渗阈值。
- 童燕群冯则坤邱景廖健生
- 关键词：有效媒质理论计算机模拟
- Ni添加量对FeCoNiB-SiO_2薄膜电磁性能的影响
- 2010年
- 采用RF溅射工艺制备了FeCoNiB-SiO2系薄膜。研究了Ni添加量对该种薄膜微结构和电磁性能的影响。结果表明,添加适量的Ni有利于FeCoNiB-SiO2薄膜获得优良的微波电磁性能。通过控制Ni的添加量,可以得到在GHz频段同时具有高磁导率和高损耗的薄膜样品,其磁导率实部μ＇和虚部μ＂在0.5-2.0GHz的宽频带范围内分别大于240和100,在2.1GHz处更是均大于400,其电阻率也达到了868×10–6Ω·cm。该薄膜可应用于微波吸收材料或抗电磁干扰的设计中。
- 邱景龚荣洲冯则坤聂彦王鲜
- 关键词：非晶薄膜复磁导率
- Ni含量对FeCoNiB软磁薄膜微波电磁性能的影响被引量：1
- 2011年
- 为了改良磁性材料的高频电磁性能,采用射频磁控溅射工艺制备了一系列FeCoB和FeCoNiB磁性薄膜。研究了Ni元素的引入对材料微结构和电磁性能的影响。结果表明,适量的Ni添加量有利于获得优良的微波电磁性能,这主要归因于B在晶粒边界的析出。制备的厚度约为200nm薄膜样品在GHz频段下同时具有高饱和磁化强度4πMs=2.212T,高铁磁共振频率fFMR=3.16GHz,较高的电阻率ρ=276μΩ.cm,其磁导率实部μ'在0.5～2.9GHz频率范围内>200。该薄膜可应用于GHz频段下电磁器件的设计中。
- 邱景龚荣洲冯则坤聂彦王鲜
- 关键词：磁性薄膜复磁导率电阻率
