赵玉环
- 作品数：2 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划吉林省科技发展计划基金国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Ni金属诱导晶化非晶硅(a-Si∶H)薄膜被引量：7
- 2005年
- 对在氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究。XRD测量结果表明非晶硅在500℃退火1 h后就已经全部晶化。金属诱导晶化的优选晶向为(220),而且晶粒随退火时间的延长而长大。非晶硅薄膜样品500℃下退火6 h后的扫描电镜照片显示,原金属镍覆盖区非晶硅全部晶化,晶粒均匀,平均晶粒大小约为0.3μm,而且已经发生横向晶化。EDS测试Ni在晶化的非晶硅薄膜中的原子百分含量分析表明,金属Ni在MILC过程中的作用只是催化晶化,除了少量残留在MILC多晶硅中外,其余的Ni原子都迁移至晶化的前沿。500℃下退火20 h后样品的Raman测试结果也表明,金属离子向周边薄膜扩散,横向晶化了非晶硅薄膜。
- 黄金英赵玉环张志伟荆海凌志华
- 关键词：氢化非晶硅多晶硅金属诱导晶化金属诱导横向晶化
- 有源OLED像素电路的设计与仿真被引量：5
- 2005年
- 设计了有源OLED显示用非晶硅薄膜晶体管恒流型4-TFT像素驱动电路,并给出了驱动方法。应用HSPICE仿真了恒流型像素驱动电路的工作过程,详细分析了源(Source)电压VDD、存储电容Cs,以及开关晶体管T1、驱动晶体管T3的宽长比等参数对电路的输出特性的影响。仿真结果表明,此电路可以在整个帧周期持续供给OLED器件电流,并且解决了由于各像素驱动管阈值电压的差异带来的OLED亮度的不均匀问题。
- 黄金英安吉宇张志伟赵玉环荆海凌志华
- 关键词：有源OLED非晶硅薄膜晶体管像素驱动电路仿真
