白钰
- 作品数：7 被引量：7H指数：2
- 供职机构：五邑大学应用物理与材料学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省高等教育教学改革项目江门市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 磁控溅射法制备高性能ZnO薄膜晶体管被引量：2
- 2012年
- 研究了磁控溅射法制备的ZnO薄膜晶体管(TFT)。以NH3处理的热生长SiO2作为绝缘层,控制好Ar-O2比等条件溅射合适厚度的ZnO作为器件的有源层。实验表明,与普通条件下热生长的SiO2绝缘层硅片相比,NH3处理的高性能SiO2绝缘层Si片器件的载流子迁移率至少要高1个数量级以上;溅射条件在Ar-O2比25∶1情况下制作的器件性能最好;ZnO薄膜厚度也对ZnO-TFT性能有很大的影响。实验中,采用了4种膜厚,测试表明,其中25nm厚的ZnO薄膜迁移率最大。
- 白钰李祥平齐剑英
- 关键词：磁控溅射法
- OTS修饰的酞菁锌薄膜晶体管被引量：1
- 2010年
- 制备并提纯了酞菁锌(ZnPc)有机场效应晶体管,该薄膜器件以具有大π键的ZnPc作为载流子传输有源层,以自制的热生长SiO2膜层作为晶体管的栅绝缘层,经长链两亲分子十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰以后,具有复合双绝缘层的结构.测试结果显示:以此为基础制备的器件具有良好的I-V输出特性,OTS/SiO2复合双绝缘层的器件结构能有效改进有机薄膜晶体管的性能.
- 白钰范东华徐维王忆
- 关键词：酞菁锌有机薄膜晶体管
- 有源层厚度对酞菁铜薄膜晶体管电学性能的影响被引量：1
- 2012年
- 制备了顶接触的薄膜晶体管,实验中采用二氧化硅作为绝缘层,然后再依次真空蒸镀酞菁铜(CuPc)作为晶体管器件的有源层,金作为源漏电极。不同CuPc有机薄膜的厚度分别为15nm、40nm和80nm,制作成三种薄膜晶体管器件。实验证明,当有源层厚度为40nm时,能够获得最大的饱和电流和载流子迁移率。
- 白钰
- 关键词：酞菁铜厚度薄膜晶体管
- 表面修饰的ZnPc薄膜晶体管性能研究被引量：2
- 2010年
- 以热生长的SiO2作为栅绝缘层,酞菁锌(ZnPc)作为有源层,研究了具有十八烷基三氯硅烷(OTS,C18H37SiCl3)/SiO2双绝缘层结构的有机薄膜晶体管(OTFT)。实验表明,采用OTS可以有效地降低SiO2栅绝缘层的表面能并改善表面的平整度,器件的场效应迁移率提高了3.5倍,漏电流从10-9A降到10-10A,阈值电压降低了5 V,开关电流比从103增加到104。结果显示,具有OTS/SiO2双绝缘层的器件结构能有效改进OTFT的性能。
- 白钰
- 关键词：SIO2修饰晶体管
- 光刻法制作源漏电极的薄膜晶体管
- 2012年
- 采用光刻法制备了薄膜晶体管的银源漏电极,实验中变换不同的刻蚀剂以减少对SiO2栅绝缘层的损害。底接触法蒸镀的酞菁铜作为晶体管器件的有源层,制得的晶体管器件的输出特性曲线显示该器件的输出电流具有趋于饱和的倾向。
- 白钰李祥平齐剑英
- 关键词：光刻银电极晶体管
- 磁控溅射法制备复合绝缘层的薄膜晶体管
- 2010年
- 研究了磁控溅射法制备的复合绝缘层结构的有机薄膜晶体管。该器件是以酞菁铜(CuPc)作为有源层,SiO2/Si3N4/SiO2复合绝缘层和单层SiO2为绝缘层来进行对比研究的。结果显示与单层SiO2绝缘层的器件相比,具有复合绝缘层的器件结构能有效改进有机薄膜晶体管的性能。同时发现,不同厚度的SiO2/Si3N4/SiO2复合绝缘层对晶体管的性能也有影响,绝缘层太厚,感应电流小;绝缘层太薄,器件容易被击穿。
- 白钰
- 关键词：磁控溅射晶体管
- 围绕技术创新型人才培养探索“光电功能材料”课程中的创新创业教育被引量：1
- 2021年
- 技术创新型人才是建设创新型强国、制造强国和民族复兴的关键基石。培养技术创新型人才是中国高等院校的重要发展目标之一。在理解国家有关政策和上级文件精神的基础上,结合所在高校的特色和要求,深入领会创新创业的内涵,积极探索“光电功能材料”专业课中的创新创业教育模式。首先,合理设计创新创业教育的目标;然后,结合课程自身特点,设计了两道开放式、启发式的创新创业训练题;最后,根据学生的反馈情况,进行了总结,并提出了下一步的改进设想。
- 杨为家辛月申冬玲何鑫白钰白钰
- 关键词：创新创业教育
