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王萌

作品数:1 被引量:4H指数:1
供职机构:河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
发文基金:国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇铜布线
  • 1篇抛光液
  • 1篇去除速率
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米SIO
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇碱性抛光液
  • 1篇CMP

机构

  • 1篇河北工业大学

作者

  • 1篇王辰伟
  • 1篇刘玉岭
  • 1篇戎向向
  • 1篇王萌
  • 1篇田巧伟
  • 1篇郑伟艳
  • 1篇王海霞

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2013
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
碱性抛光液中纳米SiO_2磨料在Cu CMP中的作用被引量:4
2013年
GLSI多层铜互连线的平坦化中,抛光液中的SiO2磨料对铜的平坦化效率具有重要的作用。研究了碱性纳米SiO2质量分数对300 mm铜去除速率和300 mm铜布线平坦化作用的影响。结果表明,随着磨料质量分数的增大,铜的去除速率增大,晶圆的均匀性变好,但磨料质量分数过高时,铜的去除速率略有降低,可能由于纳米SiO2表面硅羟基吸附在金属铜表面,导致质量传递作用变弱,引起速率降低。通过对图形片平坦化实验研究表明,随着磨料质量分数的增大,平坦化能力增强,这是因为磨料的质量分数增大使得高低速率差增大,能够有效消除高低差,实现平坦化。
郑伟艳刘玉岭王辰伟王萌戎向向王海霞田巧伟
关键词:铜布线去除速率
共1页<1>
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