您的位置: 专家智库 > >

李洪武

作品数:2 被引量:34H指数:1
供职机构:嘉兴学院机电工程学院更多>>
发文基金:浙江省科技厅软科学研究计划项目更多>>
相关领域:文化科学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 1篇电子辐照
  • 1篇氧化硅
  • 1篇实践教学
  • 1篇态密度
  • 1篇界面态
  • 1篇界面态密度
  • 1篇教学
  • 1篇工程实践教学
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇半导体
  • 1篇MOS
  • 1篇MOS结构

机构

  • 2篇嘉兴学院

作者

  • 2篇李洪武
  • 1篇张今朝
  • 1篇刘俊星
  • 1篇王安红
  • 1篇张建新
  • 1篇朱海燕

传媒

  • 1篇红外技术
  • 1篇实验技术与管...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于OBE理念进行目标细化的工程实践教学改革与实践被引量:34
2019年
针对目前地方院校工程实践类教学存在的问题,提出了基于OBE理念的"细分可操作"目标细化教学方法与举措.以"六层电梯应用教学系统"为例,构建了"小目标—多目标—总目标"的目标教学系统.教学过程中严格把控目标完成度,并有效监控、评价整个过程.结果表明,该教学改革初步取得良好效果.
戴婷朱海燕张今朝王安红祝贺李洪武
关键词:工程实践教学
金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构的电子辐照效应
2008年
金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构对于SiO2-Si界面非常敏感,能够方便地反映出氧化层电荷、界面态密度等参数。为了研究MOS结构的电子辐照效应,采取了能量为0.8 MeV,辐照剂量范围为2×1013~1×1014 cm-2的电子束作为辐照源。实验发现,MOS结构经电子辐照后,在SiO2-Si界面处引入界面态,并且在二氧化硅内部积累正电荷。通过对MOS结构在电子辐照前后高、低频C-V曲线的测试,测试出辐照在氧化层引入的界面态密度达到了1014 cm-2eV-1,而积累的正电荷面密度达到了1012 cm-2。同时得到了界面态密度和积累电荷密度与辐照剂量的关系。
张建新刘俊星李洪武
关键词:MOS结构电子辐照界面态密度
共1页<1>
聚类工具0