您的位置： 专家智库 > >

李兰婷

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：天津大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇正电子
  • 1篇离子注入
  • 1篇慢正电子束
  • 1篇辐照损伤

机构

  • 1篇武汉大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇日本原子力研...

作者

  • 1篇王柱
  • 1篇黄远
  • 1篇李辉
  • 1篇李兰婷

传媒

  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
杂质的正电子亲和能对慢正电子束研究缺陷深度分布的影响
2015年
为了研究杂质的正电子亲和能对正电子技术测量空位型缺陷深度分布的影响,本文利用慢正电子技术研究了不同离子注入Mo样品中产生的缺陷及缺陷的深度分布,所得到的实验结果与SRIM计算模拟结果相比较,慢正电子测量空位型缺陷深度分布范围总是大于SRIM模拟的缺陷分布.慢正电子束测量Cu离子注入的S参数最大值的深度(150 nm)要大于Mo离子注入的深度(125 nm).结果表明,正电子亲和能高的Cu杂质团簇比Mo空位团更容易捕获正电子,且Cu团簇对正电子的捕获会影响到慢正电子束测量表面缺陷深度的结果.
台鹏飞李辉河裾厚男王柱李兰婷黄远
关键词：慢正电子束离子注入辐照损伤
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0