姚进
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 抗辐照标准单元库验证方法研究
- 2015年
- 对抗辐照单元库的验证方法进行研究。以0.5μm抗辐照单元库为例,研究抗辐射单元库的验证方法。设计了一款验证电路,对单元库进行验证,单元库功能和性能满足设计要求,抗辐射能力达到500 krad(Si)。
- 徐大为姚进胡永强刘永灿周晓彬陈菊
- 关键词：SOI
- 单粒子瞬态扰动加固锁存电路
- 本发明涉及一种单粒子瞬态扰动加固锁存电路，属于电路设计领域。该单粒子瞬态扰动加固锁存电路包括第一低通滤波单元以及锁存器，数据输入端的第一路数据输入与锁存器的第一输入端相连，数据输入端的第二路数据输入通过第一低通滤波单元与...
- 周昕杰肖志强王栋姚进袁同伟潘滨
- 0.13μm全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子效应仿真研究被引量：2
- 2019年
- 利用计算机辅助设计Silvaco TCAD仿真工具,研究了0.13μm全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)晶体管单粒子瞬态效应,分析了不同线性能量转移(LET)、单粒子入射位置和工作偏置状态对单粒子瞬态的影响。结果表明,LET值的增加会影响沟道电流宽度,加大单粒子瞬态峰值及脉冲宽度。受入射位置的影响,由于栅极中央收集的电荷最多,FD-SOI器件的栅极中央附近区域单粒子瞬态效应最敏感。单粒子瞬态与器件工作偏置状态有很强的相关性,器件处于不同工作偏置状态下,关态偏置受单粒子效应影响最大,开态偏置具有最小的瞬态电流峰值和脉宽。
- 花正勇马艺珂殷亚楠周昕杰陈瑶姚进周晓彬
- 关键词：FD-SOI单粒子LET偏置
- 一种抗辐射结构的环形压控振荡器电路
- 本实用新型涉及集成电路技术领域，具体涉及一种抗辐射结构的环形压控振荡器电路，包括振荡器核心单元、比较器单元和差分延迟单元；所述振荡器核心单元由4级所述差分延迟单元交叉级联构成的环形振荡结构；每级所述差分延迟单元由2组输入...
- 郭风岐周昕杰姚进邱一武胡奕凡
