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何苗

作品数：261 被引量：0H指数：0
供职机构：广东工业大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电气工程电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 260篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 16篇电气工程
  • 16篇自动化与计算...
  • 13篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇机械工程
  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇经济管理
  • 1篇文化科学
  • 1篇语言文字
  • 1篇理学

主题

  • 33篇电池
  • 24篇阻挡层
  • 23篇发光
  • 23篇封装
  • 22篇复合材料
  • 22篇复合材
  • 21篇负极
  • 20篇多量子阱
  • 19篇传感
  • 18篇电子阻挡层
  • 18篇散热
  • 18篇离子
  • 17篇感器
  • 17篇掺杂
  • 16篇基板
  • 16篇负极材料
  • 15篇离子电池
  • 14篇锂离子
  • 14篇量子效率
  • 14篇内量子效率

机构

  • 261篇广东工业大学

作者

  • 261篇何苗
  • 146篇熊德平
  • 46篇赵韦人
  • 25篇黄波
  • 24篇冯祖勇
  • 21篇温坤华
  • 11篇陈丽
  • 10篇周俊楠
  • 8篇雷亮
  • 6篇张辉
  • 2篇高健
  • 2篇陈新
  • 2篇刘强
  • 2篇胡义华
  • 2篇汤晖
  • 2篇贺云波
  • 2篇徐斌
  • 2篇林建

年份

  • 1篇2024
  • 28篇2023
  • 6篇2022
  • 22篇2021
  • 16篇2020
  • 44篇2019
  • 112篇2018
  • 32篇2017
共 261 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种云游戏方法及设备
本申请实施例公开了一种云游戏方法，包括：根据玩家输入的游戏需求信息，生成对应游戏需求信息的配置请求文件；根据配置请求文件对应的需求算力，从区块链网络中确定可提供算力大于需求算力的响应主机；在与响应主机建立连接后，实时计算...
何苗邓晓千黄仕华熊德平
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一种垂直结构的发光二极管
本发明公开了一种垂直结构的发光二极管，该发光二极管包括：衬底；设置在衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱结构层、电子屏蔽层、p型GaN层、透明导电薄膜层；贯穿透明导电薄膜层、p型GaN层...
何苗王成民赵韦人
一种垃圾清理系统
本实用新型公开了一种垃圾清理系统，包括设置有用于收集垃圾的垃圾捕捞网的船体；控制器，用于控制执行装置运动；与控制器连接、还与垃圾捕捞网或者船体两者中的至少一个连接的执行装置，用于带动垃圾捕捞网或者船体两者中的至少一个运动...
何苗王润温坤华
文献传递
一种深紫外LED
本申请提供一种深紫外LED，包括：衬底；位于所述衬底表面的未掺杂的缓冲层；位于所述未掺杂的缓冲层背离所述衬底表面的N型AlGaN层；位于所述N型AlGaN层背离所述衬底表面的多量子阱结构；位于所述多量子阱结构背离所述衬底...
何苗黄波王成民王润周海亮
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一种深紫外LED外延芯片正装结构
本发明属于紫外LED技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延芯片正装结构。本发明提供了一种深紫外LED外延芯片正装结构，包括：n型电极、p型电极和外延芯片本体；所述n型电极和所述p型电极设置于所述外延芯片本体的同一侧；所述...
何苗杨思攀王成民王润周海亮
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一种紫外LED芯片及其制备方法
本申请公开了一种紫外LED芯片及其制备方法，该紫外LED芯片通过在衬底表面上生长外延结构，以及在所述外延结构的中间设置绝缘层和凹槽接触层，进而将完整的外延结构隔离成两种彼此绝缘的第一外延结构和第二外延结构，通过凹槽接触层...
何苗杨思攀王成民王润周海亮
一种紫外LED器件
本实用新型公开了一种紫外LED器件，该器件包括陶瓷基座；设置于所述陶瓷基座的凹槽；设置于所述陶瓷基座、位于所述凹槽上的台形阶梯结构；安装于所述台形阶梯结构处的石英玻璃盖板；共晶倒装焊接于所述凹槽底面的紫外LED芯片，其中...
何苗黄波周俊楠王志成王成民
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一种游泳池安全监控系统
本实用新型实施例公开了一种游泳池安全监控系统包括用于发射信号的发送设备、用于接收信号的第一接收设备、用于接收信号的第二接收设备和角度可调的LED聚光灯；设备之间具有通信连接；发送设备可拆卸的固定于游泳者的手腕上；第一接收...
何苗王润熊德平
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一种用于室内定位的定位系统
本发明涉及室内定位技术领域，具体公开了一种用于室内定位的定位系统，包括若干LED灯具，LED灯具包括：发光二极管；控制电路模块，所述控制电路模块中设有电子开关，所述控制电路模块通过所述电子开关与所述发光二极管电连接；供电...
何苗周俊楠程映奇王润熊德平
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一种实现短波长紫外LED的外延结构
本发明公开了一种实现短波长紫外LED的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层和P型...
何苗黄波熊德平杨思攀王润
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