黄义
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
- 发文基金：重庆市教育科学“十二五”规划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 《CMOS数字集成电路:分析与设计》课程教学探索被引量：3
- 2018年
- 数字集成电路是将元器件和连线集成在同一块半导体芯片上制成数字逻辑电路和系统,根据系统中的门电路以及元器件数量可以将其分为小规模、中规模、大规模、超大规模以及特大规模集成电路。数字电路设计以及制作工艺标志着一个国家硬件技术发展的水平,是现代科技发展的基础,只有掌握了核心设计理念和制作工艺才能振兴我国芯片事业蓬勃发展。基于此,本文对《CMOS数字集成电路:分析与设计》课程进行探索。
- 陈伟中贺利军黄义周前能杨虹
- 关键词：数字集成电路课程探索
- 基于“互联网+”时代《微电子器件》课程的改革与实践被引量：1
- 2018年
- 本文在"互联网+"时代下将课堂教学、网络教学和实践教学相结合展开研究,创建以学生为中心,教师为主导,师生积极参与互动的新型教学模式,更新课程教学内容,改革课程教学的方式与方法,利用并完善已有的《微电子器件》课程网络教学资源库,为授课教师提供便利的教学条件,为选课学生提供自由轻松便利的学习环境,提高课程教学效率。以培养能力、提高素质为核心,提高学生在信息社会环境下的自主学习能力和可持续发展能力。
- 陈伟中贺利军黄义周前能杨虹
- 关键词：微电子器件课程改革与实践
- GaN基梯度掺杂超结电流孔径垂直电子晶体管结构设计
- 2020年
- 设计了GaN基具有超结结构的电流孔径垂直电子晶体管(SJ CAVET)和具有梯度掺杂超结结构的电流孔径垂直电子晶体管(GD-SJ CAVET)。采用Silvaco TCAD软件对两种器件的电学特性进行了仿真。与SJ CAVET相比,GD-SJ CAVET在导通时具有更大的电流密度和更宽的电流路径,并得到分布更均匀的电场,因此器件的击穿特性和导通特性均得到了较大改善。相比SJ CAVET,当GD-SJ CAVET梯度掺杂区域数量为3、n柱顶部区域的掺杂浓度为0.5×1016 cm-3时,器件的比导通电阻降低了27.3%,击穿电压提升了27.7%。
- 李金鹏周科宏黄义
- 关键词：电场分布梯度掺杂击穿电压导通电阻
- 基于0.35μm CMOS工艺的APD器件仿真分析
- 2015年
- 提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p^+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构。采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析。仿真结果表明:p阱保护环的应用,明显降低了击穿电压下pn结边缘电场强度,避免了器件的提前击穿。CMOS APD器件的击穿电压为9.2V,工作电压下响应率为0.65A/W,最大内部量子效率达到90%以上,响应速度能够达到6.3GHz,在400~900nm波长范围内,能够得到很大的响应度。
- 王巍杜超雨王婷鲍孝圆陈丽王冠宇王振黄义
- 关键词：CMOS工艺雪崩光电二极管保护环
