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陈子毅
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
江绍基
中山大学物理科学与工程技术学院...
梁景舒
中山大学物理科学与工程技术学院...
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梁景舒
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江绍基
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陈子毅
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材料科学与工...
年份
1篇
2011
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Si(100)预结构基底对Si雕塑薄膜三维模拟生长的影响
被引量:1
2011年
建立一个雕塑薄膜三维生长的蒙特卡罗模型,模拟在PVD方法下Si在Si(100)基底上沉积的生长,考虑周期性排列预结构基底的阴影效应,模拟不同预结构单元宽度、间距及不同入射角度下斜柱状雕塑薄膜的三维形貌。结果表明,在入射角和宽度一定时,存在一个最佳间宽比值使得薄膜表面粗糙度最小;当宽度大于一定数值,粗糙度随间宽比值增大而增大。在相同预结构基底下,随入射角增大,薄膜的表面粗糙度增大;而薄膜的相对密度曲线变得平缓均匀。
梁景舒
陈子毅
余梦影
江绍基
关键词:
表面粗糙度
相对密度
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