邹上荣
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 工艺参数对碳纳米管取向生长的影响
- 2009年
- 采用催化热解法,以二茂铁和二甲苯分别作为催化剂和碳源,H2和Ar作为载气,制备了定向碳纳米管阵列;考察了工艺参数对碳纳米管取向生长的影响。结果表明:在二茂铁/二甲苯溶液进入反应室的温度为310℃,H2和Ar总流速为120mL/min,抛光硅基底上容易获得定向碳纳米管阵列。
- 耿梅艳赵会仙王海燕沈金虎邹上荣胡晓阳穆慧慧
- 关键词：碳纳米管催化热解基底功能材料
- 氢气流量对定向碳纳米管生长的影响及其生长机理研究被引量：2
- 2009年
- 采用催化热解法,以二茂铁和二甲苯分别作为催化剂和碳源,在不同H2流量下,直接在硅基底上生长定向碳纳米管阵列。采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱(Raman)对样品进行观察和表征,并研究了H2流量对定向碳纳米管生长的影响和碳纳米管定向生长的机理。结果表明:H2在反应过程中起刻蚀作用,H2流量为60cm3/min时,生长的碳纳米管定向性最好。
- 耿梅艳王海燕邹上荣胡晓阳沈金虎穆慧慧
- 关键词：碳纳米管催化热解法
- 工艺参数对直流反应磁控溅射ZnO:Al薄膜沉积速率的影响
- 2009年
- 实验以合金靶材在玻璃衬底上运用直流反应磁控溅射法制备了ZAO(ZnO:Al)透明导电薄膜样品。研究了O2气流量,衬底温度,以及反应气压和溅射功率等工艺参数对ZAO薄膜沉积速率的影响规律。结果表明:沉积速率随O2气流量的增加显著降低,靶面溅射模式由金属模式转变为氧化物模式,而且这种转变趋势在改变其他参数时依然明显;沉积速率随溅射功率的增大几乎成线性增加,但随衬底温度的变化并不大;在反应气压增大的情况下,沉积速率不断上升,达到最大值后,又随气压的增大不断下降。
- 邹上荣王海燕耿梅艳穆慧
- 关键词：ZAO薄膜直流反应磁控溅射沉积速率
