袁凯
- 作品数：2 被引量：6H指数：1
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- 相关领域：核科学技术理学更多>>
- He离子辐照碳化钨样品的实验研究被引量：1
- 2014年
- 采用能量为100 keV的He离子辐照多晶碳化钨样品,He离子的辐照剂量为1.0×1017ions·cm-2,辐照温度从室温变化到600℃。通过SRIM软件模拟了离子的注入深度,利用导电式原子力显微镜(CAFM)分析了多晶碳化钨样品在He离子辐照条件下微观结构的演化。结果表明,He离子辐照会导致多晶碳化钨样品形成He泡,从而使样品表面发生肿胀。
- 杨杞刘东平范红玉刘纯洁袁凯
- 关键词：辐照损伤
- 基于多模式扫描探针显微镜技术分析碳化硅的辐照损伤被引量：5
- 2014年
- 本文在600℃对6H-SiC进行了He^+辐照实验,离子辐照能量为100 keV,剂量为5×10^(15)ions·cm^(-2)、1×10^(16)ions.cm^(-2)、3×10^(16)ions.cm^(-2)和8×10^(16)ions·cm^(-2)。本文采用多模式扫描探针显微镜技术,包括轻敲模式原子力显微镜、纳米压痕/划痕和导电模式原子力显微镜技术对样品辐照前后的表面损伤进行了分析。结果表明,随辐照剂量的增加,样品表面粗糙度逐渐增加,表面硬度逐渐下降。导电模式原子力显微镜能清晰地观测到样品表面氮泡分布形态,进一步说明材料表面的肿胀是由材料内部高压氮泡产生的。
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- 关键词：碳化硅辐照损伤
